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隨著汽車和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Λ@取更多可再生能源的需求不斷增長，對(duì)小型、高效、精確且具有成本效益的功率轉(zhuǎn)換器和電機(jī)控制器的需求正在高速增長。...
俗話說的好“電路和我有一個(gè)能跑就行，電路不跑我就跑”。今天這期帶來的是群友的一個(gè)硬件bug。...
WENOS-PROTO協(xié)議簇軟件是井芯微自研的以太二、三層商用網(wǎng)絡(luò)交換及路由協(xié)議棧解決方案。...
迅為RK3568開發(fā)板驅(qū)動(dòng)指南Linux中通用SPI設(shè)備驅(qū)動(dòng)...
我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件，這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了許多在普通5V或12V系統(tǒng)中不會(huì)出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。...
AWID[3:0]與ARID[3:0]：對(duì)于只有一個(gè)主機(jī)從機(jī)設(shè)備，該值可設(shè)置為任意。...
扇出型晶圓級(jí)中介層封裝（ FOWLP）以及封裝堆疊（Package-on-Package, PoP）設(shè)計(jì)在移動(dòng)應(yīng)用中具有許多優(yōu)勢，例如低功耗、短信號(hào)路徑、小外形尺寸以及多功能的異構(gòu)集成。此外，它還可以應(yīng)用于多種封裝平臺(tái)，包括PoP、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）和芯片尺寸封裝（ CSP）。這些優(yōu)勢來源于一種稱...
由于對(duì)高效和緊湊的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的需求不斷增長，EPC設(shè)計(jì)了EPC9176板，采用eGaN IC，可實(shí)現(xiàn)真空吸塵器逆變器的最大性能。EPC9176采用3個(gè)EPC23102 eganic。這種板是一種三相逆變器，能夠提供無散熱器的13ARMS和帶散熱器的18 ARMS，使IC的溫升低于50°C。EPC9...
阻抗是表示交流電路中電流流動(dòng)難易程度的重要值。具有以復(fù)數(shù)形式表示的特殊性質(zhì)，會(huì)受到電阻、電感、電容等因素的多重影響。利用這種復(fù)數(shù)表示形式，可以考慮電信號(hào)的相位差和頻率依賴性，從而有助于對(duì)電路特性進(jìn)行詳細(xì)分析。...
在第二步采集到的數(shù)據(jù)基礎(chǔ)之上，用Reality AI Tools創(chuàng)建模型。...
一款三相無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器板，采用了 [EPC23102] ePower? 階段 IC，最大 R~DS(on)~為 6.6 mΩ，最大設(shè)備電壓為 100 V。EPC9176 可提供高達(dá) 35 Apk（25 A RMS ）的穩(wěn)態(tài)電流和 40 Apk 的脈沖輸出電流。 *附件：EPC9176 快速入...
解釋完帶寬這一概念，我們來考慮如何才能通過仿真準(zhǔn)確的預(yù)測信號(hào)完整性。 信號(hào)帶寬的確定、器件模型的獲取 當(dāng)我們確定了要分析的信號(hào)的信息（包含速率、接口電平、上升時(shí)間等等）、以及驅(qū)動(dòng)器和接收器型號(hào)之后，我們就可以計(jì)算得到信號(hào)的帶寬。一般來說芯片廠家提供的仿真模型無論是IBIS還是Spice模型都是很信號(hào)...
本地匿名化解決方案，以隱私和安全為核心設(shè)計(jì)原則，利用Terraform部署技術(shù)實(shí)現(xiàn)靈活自動(dòng)擴(kuò)展，確保高吞吐量與高效管理。該方案確保隱私保護(hù)、具備高靈活性與控制力，并支持離線操作，已廣泛應(yīng)用于歐洲多個(gè)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，為企業(yè)數(shù)據(jù)管理、安全保障和利用帶來革命性變化！...
三菱電機(jī)開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時(shí)器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。...
一般來講，如果要實(shí)現(xiàn)移位寄存器的話，通常都是寫RTL用reg來構(gòu)造，比如1bit變量移位一個(gè)時(shí)鐘周期就用1個(gè)reg，也就是一個(gè)寄存器FF資源，而移位16個(gè)時(shí)鐘周期就需要16個(gè)FF，這種方法無疑非常浪費(fèi)資源。...
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用Si IGBT和SiCMOSFET器件在不同電流下的優(yōu)異特性，一般會(huì)將的Si-IGBT和 SiC-MOS...
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會(huì)影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電流分配。...
穿心磁珠也叫磁珠濾波器，是一種EMI噪音濾波器，主要用于抑制高頻噪音。實(shí)物與電感相似，原理與電感基本一樣，所以部分廠家會(huì)將穿心磁珠歸類為電感。電感是一種儲(chǔ)能器，對(duì)于抑制噪音的主要原理有點(diǎn)類似電網(wǎng)調(diào)節(jié)的“削峰填谷”，就是利用楞次定律來實(shí)現(xiàn)抑制噪音。電感在濾波應(yīng)用的過程中會(huì)有銅損與鐵損，所以當(dāng)然也會(huì)有利...
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。驅(qū)動(dòng)IC電流越來越大，如采用DSO-...
晶振的振蕩本質(zhì)上是一種機(jī)械振動(dòng)（在壓電晶體層面）。當(dāng)兩個(gè)晶振靠得很近時(shí)，它們的機(jī)械振動(dòng)可能會(huì)相互影響。一個(gè)晶振的振動(dòng)可能會(huì)通過電路板或者外殼等介質(zhì)傳遞給另一個(gè)晶振，從而改變另一個(gè)晶振的振動(dòng)特性。...
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