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摘要：射頻前端模塊是無線通信的核心，濾波器作為射頻前端的關(guān)鍵器件，可將帶外干擾和噪聲濾除以保留特定頻段內(nèi)的信號(hào)，滿足射頻系統(tǒng)的通訊要求。...
由于高密度打件采用微小化元器件與制程，因此元器件與載板之間的連結(jié)，吃錫量大幅減少，為提高打件可靠度，避免外界濕度、高溫及壓力等影響，塑封制程可將完整的元器件密封包覆在載板上。...
機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能等數(shù)據(jù)豐富的應(yīng)用程序是數(shù)據(jù)中心、5G 和自動(dòng)駕駛汽車等廣泛應(yīng)用程序的關(guān)鍵數(shù)據(jù)推動(dòng)因素。要運(yùn)行這些應(yīng)用程序，需要一個(gè)強(qiáng)大的處理器，其基礎(chǔ)是基于 Si 的集成電路 (IC)。...
SOP8封裝（小輪廓封裝）是一種非常常見的芯片封裝形式，適用于各種類型的芯片，包括語音芯片。...
改質(zhì)切割是一種將半導(dǎo)體晶圓分離成單個(gè)芯片或晶粒的激光技術(shù)。該過程是使用精密激光束在晶圓內(nèi)部形成改質(zhì)層，使晶圓可以通過輕微外力沿激光掃描路徑精確分離。...
感光速度:即光刻膠受光照射發(fā)生溶解速度改變所需的最小能量，感光速度越快，單位時(shí)間內(nèi)芯片制造的產(chǎn)出越高，經(jīng)濟(jì)效益越好，另-方面，過快的感光速度會(huì)對(duì)引起工藝寬容度的減小，影響工藝制程的穩(wěn)定性。...
無論是采用Fan-in還是Fan-out，WLP晶圓級(jí)封裝和PCB的連接都是采用倒裝芯片形式，芯片有源面朝下對(duì)著印刷電路板，可以實(shí)現(xiàn)最短的電路徑，這也保證了更高的速度和更少的寄生效應(yīng)。...
集成電路芯片持續(xù)朝著密度不斷增加和器件尺寸不斷微縮的方向發(fā)展，其中最為關(guān)鍵的一個(gè)參數(shù)就是柵極線條寬度。任何經(jīng)過光刻后的光刻膠線條寬度或刻蝕后柵極線條寬度與設(shè)計(jì)尺寸的偏離都會(huì)直接影響最終器件的性能、成品率及可靠性，所以先進(jìn)的工藝控制都需要對(duì)線條寬度進(jìn)行在線測(cè)量，通常稱為關(guān)鍵尺寸（CriticalD...
摘 要：針對(duì)半導(dǎo)體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術(shù)發(fā)展的角度，分析半導(dǎo)體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢(shì)，重點(diǎn)介紹集成電路工藝設(shè)備、分立器件工藝設(shè)備等細(xì)分領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展態(tài)勢(shì)和主要技術(shù)挑戰(zhàn)。...
芯片的制造過程可以分為前道工藝和后道工藝。前道是指晶圓制造廠的加工過程，在空白的硅片完成電路加工，出廠后依然是完整的圓形硅片。后道是指封裝和測(cè)試過程，在封測(cè)廠中將圓形的硅片切割成單獨(dú)的晶粒，完成外殼的封裝，最后完成終端測(cè)試，出廠為芯片成品。...
基于傳感器和物聯(lián)網(wǎng)（IoT），可以感知產(chǎn)品的狀態(tài)，從而進(jìn)行預(yù)防性維修維護(hù)，及時(shí)幫助客戶更換備品備件，甚至可以通過了解產(chǎn)品運(yùn)行的狀態(tài)，幫助客戶帶來商業(yè)機(jī)會(huì)。...
正在開發(fā)新的凸點(diǎn)（bump）結(jié)構(gòu)以在倒裝芯片封裝中實(shí)現(xiàn)更高的互連密度，但它們復(fù)雜、昂貴且越來越難以制造。...
隨著晶圓代工制程不斷縮小，摩爾定律逼近極限，先進(jìn)封裝是后摩爾時(shí)代的必然選擇。其中，利用高端封裝融合最新和成熟節(jié)點(diǎn)，采用系統(tǒng)封裝(SiP)和基于小芯片的方法，設(shè)計(jì)和制造最新的SoC產(chǎn)品已經(jīng)成為主要的技術(shù)路徑。2.5D/3D封裝正在加速3D互連密度的技術(shù)突破，TSV及TGV的技術(shù)作為2.5D/3D封裝的...
集成電路和電子系統(tǒng)的快速發(fā)展，推動(dòng)著封裝和集成技術(shù)向著輕型化、高集成度、多樣化的方向不斷革新，也帶動(dòng)了封裝的電/熱/機(jī)械及結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與仿真工具的快速發(fā)展。...
傳統(tǒng)CMOS技術(shù)的缺陷在于： 襯底的厚度會(huì)影響片上的寄生電容， 間接導(dǎo)致芯片的性能下降。 SOI技術(shù)主要是將 源極/漏極 和 硅片襯底分開， 以達(dá)到（部分）消除寄生電容的目的。...
刻蝕設(shè)備的重要性僅次于光刻機(jī)。而隨著NAND閃存進(jìn)入3D、4D時(shí)代，要求刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高的深寬比，刻蝕設(shè)備的投資占比顯著提升，從25%提至50%。...
經(jīng)過前端工藝處理并通過晶圓測(cè)試的晶圓將從背面研磨（Back Grinding）開始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序，其目的不僅是為了減少晶圓厚度，還在于聯(lián)結(jié)前端和后端工藝以解決前后兩個(gè)工藝之間出現(xiàn)的問題。半導(dǎo)體芯片（Chip）越薄，就能堆疊（Stacking）更多芯片，集成度也就越高。但集成...
高端性能封裝主要以追求最優(yōu)化計(jì)算性能為目的，其結(jié)構(gòu)主要以 UHD FO、2.5D 和 3D 先進(jìn)封裝為 主。在上述封裝結(jié)構(gòu)中，決定封裝形式的主要因素為 價(jià)格、封裝密度和性能等。...
SiP是（System In Package）的簡(jiǎn)稱，中譯為系統(tǒng)級(jí)封裝。...
精密陶瓷基板具有優(yōu)良的電絕緣性、高導(dǎo)熱性、高附著強(qiáng)度和大的載流能力。使用溫度范圍寬，可以達(dá)到-55℃～850℃，熱膨脹系數(shù)接近于硅芯片。在多溫區(qū)測(cè)試環(huán)境下，是解決形變的有效方案之一。...
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