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• 數(shù)字三極管與普通三極管電路對(duì)比

  數(shù)字三極管電路圖 所謂數(shù)字三極管，就是將三極管的基級(jí)分壓限流電阻與三極管集成在一起，作為一個(gè)基礎(chǔ)電子元器件使用，取代兩個(gè)電阻與一個(gè)三極管構(gòu)成的電路；...

  2797次閱讀 · 0評(píng)論 三極管二極管pcb電子元器件貼片電容
  

• 由MOS管構(gòu)成的推挽自激電路設(shè)計(jì)

  大家可以常見的小功率電源幾乎都是反激電路，LED電源有些是單端/交錯(cuò)正激，它們都是單端形式，磁芯只能利用第一象現(xiàn)。...

  4559次閱讀 · 0評(píng)論 振蕩器MOS管LED電源PWM芯片推挽電路
  

• 淺談GAN在汽車?yán)锩娴膽?yīng)用案例

  從全球來(lái)看，豪華電動(dòng)汽車趨向于采用800V系統(tǒng)，核心優(yōu)勢(shì)是電流?。ㄣ~線少）、更低的傳導(dǎo)損耗和更快的充電速度。芝能認(rèn)為2025年，中國(guó)的15萬(wàn)在研產(chǎn)品都會(huì)跟進(jìn)800V系統(tǒng)，我們能看到60kWh以上，價(jià)位段20-30萬(wàn)主力區(qū)間都是800V。...

  559次閱讀 · 0評(píng)論 電動(dòng)汽車汽車電子GaNNexperia
  

• 什么是退耦器件 如何實(shí)現(xiàn)浪涌防護(hù)?

  對(duì)于通訊等很多電路來(lái)說，為了更好地保護(hù)后續(xù)電子設(shè)備，一般設(shè)計(jì)兩級(jí)保護(hù)電路，第一級(jí)采用GDT（氣體放電管）對(duì)暫態(tài)過電壓波大部分能量進(jìn)行泄流，第二級(jí)使用后級(jí)TVS(瞬態(tài)抑制二極管）將過電壓箝位在一個(gè)較低的水平，保證其殘壓不超過所保護(hù)設(shè)備的耐受電壓。...

  991次閱讀 · 0評(píng)論 二極管浪涌保護(hù)瞬態(tài)抑制二極管
  

• 高速ADC選型準(zhǔn)則和評(píng)估方法

  隨著數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)和數(shù)字電路工作速度的提高，以及對(duì)于系統(tǒng)靈敏度等要求的不斷提高，對(duì)于高速、高精度的 ADC（Analog to Digital Converter）、DAC（Digital to Analog Converter）的指標(biāo)都提出了很高的要求。...

  1571次閱讀 · 0評(píng)論 adc衛(wèi)星通信數(shù)字信號(hào)處理數(shù)字電路信號(hào)帶寬
  

• 增加負(fù)壓驅(qū)動(dòng)電路工作原理

  　MOS管開通時(shí)的充電電阻、關(guān)斷時(shí)的放電電阻根據(jù)所選的MOS管選擇，并結(jié)合實(shí)際調(diào)試情況決定。是否增加MOS管的吸收電路根據(jù)所選擇MOS管的開關(guān)速度決定，一般來(lái)說，開關(guān)速度較快的MOS管需要增加吸收電路。...

  2122次閱讀 · 0評(píng)論 MOS管驅(qū)動(dòng)電路穩(wěn)壓管推挽電路充電電阻
  

• CBB電容常見失效原因及解決辦法

  CBB電容，聚丙烯電容（CBB），電容量：10p--10μ，額定電壓：63--2000V，極性：無(wú)。此電容的主要特點(diǎn)：性能與聚苯相似但體積小，穩(wěn)定性略差。...

  1982次閱讀 · 0評(píng)論 pcb電容LED電源薄膜電容CBB電容

• 射頻電路研究之信號(hào)串?dāng)_知識(shí)

  這種影響信號(hào)完整性的問題叫做串?dāng)_，在電路計(jì)中普遍存在，有可能出現(xiàn)在芯片、PCB板、連接器、芯片封裝和連接器電纜等器件上。如果串?dāng)_超過一定的限度就會(huì)引起電路的誤觸發(fā)，導(dǎo)致系統(tǒng)無(wú)法正常工作。...

  886次閱讀 · 0評(píng)論 PCB板連接器信號(hào)射頻電路串?dāng)_

• 碳化硅功率器件的結(jié)構(gòu)和工作原理

  碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)。...

  1959次閱讀 · 0評(píng)論 半導(dǎo)體功率器件SiC功率半導(dǎo)體碳化硅

• MOS管的結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/應(yīng)用

  MOS管的結(jié)構(gòu)主要由三個(gè)區(qū)域組成：柵極（Gate）、源極（Source）和漏極（Drain）。其中，柵極和漏極都是金屬電極，源極可以是金屬或半導(dǎo)體材料。...

  7330次閱讀 · 0評(píng)論 傳感器半導(dǎo)體MOS管漏極

• 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)

  場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場(chǎng)效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個(gè)控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。...

  3682次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET半導(dǎo)體晶體管FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管

• SiC材料及器件介紹

  SiC，作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。...

  4579次閱讀 · 0評(píng)論 晶圓場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基二極管功率器件SiC
  

• 碳化硅器件“上車”加快，800V高壓平臺(tái)蓄勢(shì)待發(fā)

  根據(jù)研究和規(guī)模化應(yīng)用的時(shí)間先后順序，業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料。 第一代半導(dǎo)體材料以硅和鍺等元素半導(dǎo)體為代表。...

  1025次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFETIGBT功率器件功率半導(dǎo)體碳化硅
  

• ADC參數(shù)解讀

  分辨率 ：ADC采集模塊有8位、10位、12位、16位、24位等。分辨率不同于精度，分辨率相當(dāng)于最小的刻度。比如參考電壓為3.3V，ADC的分辨率為12位，2的12次方為4096，通過計(jì)算可得到最小刻度為0.8mV。位數(shù)越大，分辨率就越高，得到的采樣結(jié)果越準(zhǔn)確。...

  5401次閱讀 · 0評(píng)論 封裝adc分辨率SPI采樣率
  

• 介紹不同類型的二極管 常用二極管說明

  基本二極管由一根管子、一個(gè)外殼和兩個(gè)電極組成。...

  3947次閱讀 · 0評(píng)論 二極管開關(guān)電源整流器發(fā)光二極管電壓調(diào)節(jié)器
  

• 一文詳解場(chǎng)效應(yīng)晶體管

  在半導(dǎo)體器件的講解中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說最值得拿來(lái)詳細(xì)介紹一番的。...

  3254次閱讀 · 0評(píng)論 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管JFET晶體管柵極
  

• ADC的基本結(jié)構(gòu)、分類及工作原理

  模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC，Analog-to-Digital Converter）是一種將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的設(shè)備。在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，ADC在各種應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用，如傳感器信號(hào)處理、通信系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化等。本文將介紹ADC的基本結(jié)構(gòu)、分類、工作原理以及一些關(guān)鍵技術(shù)，幫助讀者更好地理解AD...

  8399次閱讀 · 0評(píng)論 放大器adc模數(shù)轉(zhuǎn)換器模擬信號(hào)數(shù)字信號(hào)

• 工作中常見的穩(wěn)壓管應(yīng)用電路學(xué)習(xí)

  基本從學(xué)物理我們就開始接觸二極管，了解計(jì)算它的各種特性，今天旺哥和大家一起了解下二極管里面的一類二極管——穩(wěn)壓二極管...

  924次閱讀 · 0評(píng)論 三極管穩(wěn)壓二極管電源電壓穩(wěn)壓管過壓保護(hù)器
  

• 深度負(fù)反饋放大電路的放大倍數(shù)講解

  實(shí)際使用的放大電路多處于深度負(fù)反饋狀態(tài)，因此，本文重點(diǎn)分析一下深度負(fù)反饋放大電路的放大倍數(shù)。...

  4697次閱讀 · 0評(píng)論 放大電路負(fù)反饋模型負(fù)反饋電路
  

• 運(yùn)放的虛短和虛斷講解

  對(duì)于上圖所示的負(fù)反饋電路，反饋系數(shù)為F，其負(fù)相輸入電壓...

  4339次閱讀 · 0評(píng)論 運(yùn)算放大器運(yùn)放負(fù)反饋虛斷虛短
  
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