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對(duì)于MOS管這樣一個(gè)三端口器件，先不看源極，就看柵極和漏極。...
在之前的文章中，我們了解了同步解調(diào)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)。該技術(shù)有助于測(cè)量隱藏在閃爍噪聲中的低頻信號(hào)。它試圖以比電路的 1/f 拐角頻率高得多的頻率運(yùn)行電路，以便閃爍噪聲不再是限制因素。...
當(dāng)節(jié)點(diǎn)A上的電壓為邏輯1時(shí)，互補(bǔ)邏輯0施加于節(jié)點(diǎn)/A，允許兩個(gè)晶體管在IN到OUT處傳導(dǎo)和傳遞信號(hào)。當(dāng)節(jié)點(diǎn)/A上的電壓為邏輯0時(shí)，互補(bǔ)邏輯1施加到節(jié)點(diǎn)A，關(guān)閉兩個(gè)晶體管，并在IN和OUT節(jié)點(diǎn)上強(qiáng)制高阻抗條件。...
龍騰半導(dǎo)體建有功率器件可靠性與應(yīng)用實(shí)驗(yàn)中心，專注于產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證、參數(shù)檢測(cè)、可靠性驗(yàn)證、失效分析及應(yīng)用評(píng)估，公司參考半導(dǎo)體行業(yè)可靠性試驗(yàn)條件和抽樣原則，制定產(chǎn)品可靠性規(guī)范并依此對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行完整可靠性驗(yàn)證。...
可以看到，ADC/DAC 芯片是模擬域和數(shù)字域的邊界。一旦信號(hào)轉(zhuǎn)換到數(shù)字域，所有的信號(hào)都可以通過(guò)軟件算法進(jìn)行處理和補(bǔ)償，而且這個(gè)處理過(guò)程通常不會(huì)引起額外的噪聲和信號(hào)失真，因此把 ADC/DAC 芯片前移、實(shí)現(xiàn)全數(shù)字化處理是現(xiàn)代通信、雷達(dá)技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。...
用于從正電源生成負(fù)直流電壓的傳統(tǒng) dc/dc 轉(zhuǎn)換器模塊的低成本替代方案使用低成本四半導(dǎo)體模擬開關(guān)和板載系統(tǒng)時(shí)鐘（圖1a）。 這種類型的電壓轉(zhuǎn)換器從 5V 輸入生成低功耗負(fù)偏置電壓。...
近推出了新的A/D和D/A轉(zhuǎn)換器，可以直接對(duì)1至4 GHz的IF進(jìn)行采樣；在第二、第三和第四奈奎斯特區(qū)域采樣（［4］ 至 ［7］）。這些與更高速的數(shù)字邏輯相結(jié)合，允許以數(shù)字方式完成組合（對(duì)于 A/D）和分離（對(duì)于 D/A）（［8］ 至 ［21］）。...
我們?cè)谥暗姆抡嬷惺褂玫?LT1001A 不屬于溫度依賴性類別。在測(cè)試了其他一些不符合要求的運(yùn)算放大器后，我發(fā)現(xiàn) AD8606（一款適用于低壓應(yīng)用的精密運(yùn)算放大器）在其宏模型中的某個(gè)位置具有溫度依賴性。...
一些 SAM D Microchip 微控制器的硬件中內(nèi)置了更有效的緩解措施 ［2］。這些 PWM 修改8 位經(jīng)典 PWM 序列的2 X 個(gè)連續(xù)周期，以產(chǎn)生長(zhǎng)度為 2 X+8的更長(zhǎng)重復(fù)序列。...
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過(guò)深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)...
太陽(yáng)能光伏系統(tǒng)：為了提高轉(zhuǎn)換效率和降低系統(tǒng)成本，太陽(yáng)能光伏系統(tǒng)的輸入電壓也在增加，從600V增加到1,500V。...
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(簡(jiǎn)稱MOS管)是一種新型的半導(dǎo)體器件，圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖，即在P型硅基片上有兩個(gè) N+擴(kuò)散區(qū)，其中一個(gè)稱源，用S表示，另一個(gè)稱漏，用D表示，在D和S間的硅片上覆蓋了較薄的8iO。絕緣層和金屬層，并引出一電極，稱柵，用G表示。應(yīng)用中 D接正，8接地，G用正電源控制。...
IGBT 有三個(gè)端子（集電極、發(fā)射極和柵極）都附有金屬層。然而，柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。...
大電流的快速切換會(huì)導(dǎo)致電源軌上的電壓驟降和瞬態(tài)尖峰。如果電源和控制電子設(shè)備共用一個(gè)或多個(gè)電源軌，則可能會(huì)對(duì)控制電路產(chǎn)生干擾。...
在另一個(gè)應(yīng)用中，規(guī)范列出了僅根據(jù)其在類似應(yīng)用中的使用而制定的采樣率。將此值包含在規(guī)范中，給系統(tǒng)設(shè)計(jì)者帶來(lái)了任何靈活性。如果該速率實(shí)際上不是該應(yīng)用程序的采樣率怎么辦？如果新軟件似乎可以在指定的采樣率下工作，那么該采樣率將在應(yīng)用程序的生命周期內(nèi)保持固定，并且該值永遠(yuǎn)不會(huì)受到質(zhì)疑...
了解您所面臨的設(shè)計(jì)權(quán)衡非常重要。為了幫助你，在降壓設(shè)計(jì)中開發(fā)了一個(gè)“影響什么”的矩陣...
National Semiconductor的 LM3485 IC包含具有電流限制功能的高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器（參考文獻(xiàn) 1）。然而，由于可變開關(guān)頻率和過(guò)沖，以及無(wú)法將反饋調(diào)節(jié)到低于 1.24V 參考電壓，該模擬 IC 的遲滯控制方案可能會(huì)在某些應(yīng)用中產(chǎn)生令人懷疑的性能。...
對(duì)于誤碼率 （BER） 模擬，將發(fā)現(xiàn)的誤碼數(shù)除以總位數(shù)來(lái)計(jì)算 BER。對(duì)于統(tǒng)計(jì)上顯著的結(jié)果，應(yīng)該計(jì)算數(shù)百到一千個(gè)錯(cuò)誤。即使 BER 相當(dāng)高（10-4）；計(jì)算 500 個(gè)錯(cuò)誤需要 500 萬(wàn)位。為了使仿真在合理的短時(shí)間內(nèi)運(yùn)行，必須找到一個(gè)相當(dāng)簡(jiǎn)單的模型...
較小的微控制器可能缺乏較大處理器所擁有的一些強(qiáng)大的調(diào)試工具，例如 BDM、J-Tag 和 SWD。較小的 MCU 也可以作為基礎(chǔ)金屬運(yùn)行，而不使用操作系統(tǒng)，這意味著操作系統(tǒng)中可用的任何調(diào)試工具都會(huì)丟失。...
噪聲是混合信號(hào) ASIC 中的一個(gè)常見問(wèn)題，會(huì)降低性能并危及產(chǎn)品的完成度。本應(yīng)用筆記提供了添加外部電路的提示和技巧，使許多 ASIC 可用于原型設(shè)計(jì)或作為終產(chǎn)品進(jìn)行交付。討論了通過(guò)校正模擬電路中的噪聲、進(jìn)行調(diào)整、校準(zhǔn)增益和偏移以及清潔電源來(lái)優(yōu)化 ASIC 的方法。...
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