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下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。與導(dǎo)通時(shí)的做法一樣，為各事件進(jìn)行了(IV)、(V)、(VI)編號(hào)。與導(dǎo)通時(shí)相比，只是VDS和ID變化的順序發(fā)生了改變，其他基本動(dòng)作是一樣的。...
當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，首先ID會(huì)變化（下述波形示意圖T1）。此時(shí)LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動(dòng)，受下述等效電路圖中所示的事件(I)影響，在圖中所示的極性產(chǎn)生公式（1）的電動(dòng)勢(shì)。公式（1）與上一篇文章中使用的公式相同。該電動(dòng)勢(shì)引起的電流將源極側(cè)作為正極對(duì)CGS進(jìn)行充電，因...
光控晶閘管（Optically Controlled Thyristor，簡(jiǎn)稱OCT）是一種集成了光控觸發(fā)元件和晶閘管的半導(dǎo)體器件。它可以通過光信號(hào)來實(shí)現(xiàn)對(duì)晶閘管的觸發(fā)和控制，具有可靠性高、響應(yīng)速度快、觸發(fā)電流低等優(yōu)點(diǎn)，適用于許多特定的場(chǎng)合...
光控晶閘管的工作原理是利用光控電阻效應(yīng)來控制晶閘管的導(dǎo)通。其內(nèi)部包含了一個(gè)光敏元件和一個(gè)晶閘管，其中光敏元件通常是一個(gè)光控電阻。當(dāng)光線照射到光敏元件時(shí)，光能會(huì)激發(fā)出光生載流子，使得光敏元件的電阻發(fā)生變化，從而影響晶閘管的控制電壓，從而控制晶閘管的導(dǎo)通。...
電力二極管與普通二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)存在較大的區(qū)別，主要體現(xiàn)在以下兩個(gè)方面： 管芯尺寸和結(jié)構(gòu)：相比普通二極管，電力二極管的管芯尺寸更大，結(jié)構(gòu)更為復(fù)雜。這是因?yàn)殡娏ΧO管需要承受更大的電流和電壓，因此需要在管芯結(jié)構(gòu)上進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，以提高其承載能力和穩(wěn)定性。同時(shí)，電力二極管通常采用多個(gè)PN結(jié)串聯(lián)組...
電力二極管的功能特點(diǎn)如下： 高電壓承受能力：電力二極管具有較高的電壓承受能力，一般可達(dá)幾百伏至幾千伏，可以承受高壓電力系統(tǒng)中的電壓波動(dòng)和電氣干擾。...
電力二極管屬于半導(dǎo)體器件，通常也被稱為功率二極管。它們主要用于高功率、高電壓和高頻率的電路中，用于控制和轉(zhuǎn)換電能。電力二極管具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速恢復(fù)時(shí)間等特性，廣泛應(yīng)用于電源、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、照明和電力電子設(shè)備等領(lǐng)域。...
電力二極管在正向偏置的情況下導(dǎo)通，反向偏置的情況下不導(dǎo)通，這是其最基本的導(dǎo)通條件。具體而言，電力二極管的導(dǎo)通條件如下...
電力二極管的結(jié)構(gòu)通常是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的PN結(jié)。與普通二極管不同，電力二極管的承受電壓和電流能力較高，因此需要采用特殊的結(jié)構(gòu)和材料，以實(shí)現(xiàn)更高的性能和可靠性。...
功率半導(dǎo)體器件一直是電力電子技術(shù)發(fā)展的重要組成部分，隨著電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)展和電力電子技術(shù)水平的提高，功率半導(dǎo)體器件也在不斷發(fā)展和創(chuàng)新。目前，功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的主要趨勢(shì)和方向包括以下幾個(gè)方面...
功率半導(dǎo)體器件是一種用于控制和轉(zhuǎn)換大功率電能的半導(dǎo)體器件，主要包括以下幾種類型： 二極管：功率二極管是一種只允許電流單向流動(dòng)的半導(dǎo)體器件，常用于整流、反向保護(hù)等應(yīng)用中。...
IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor，集成門控晶閘管）和GTO（Gate Turn-Off thyristor，門極可控晶閘管）是兩種功率半導(dǎo)體器件。相比GTO晶閘管，IGCT具有以下幾個(gè)特點(diǎn)： 更高的控制性能：IGCT具有MOSFET晶體管的...
IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor，集成門控晶閘管）和 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）都是用于高功率電力電子設(shè)備的開關(guān)器件，但它們的結(jié)構(gòu)和工作原理有所不同，主要區(qū)別如下：...
IGCT指的是集成門控晶閘管（Integrated Gate-Commutated Thyristor），是一種高壓高功率電子器件，也是一種雙向晶閘管，可以在正、反向都能夠?qū)娏鳌Ｅc傳統(tǒng)的晶閘管相比，IGCT具有更低的導(dǎo)通壓降和更高的開關(guān)速度，同時(shí)具有較好的反向阻斷能力。由于其特殊的結(jié)構(gòu)和性能，I...
IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor，集成門控晶閘管）的工作原理是通過對(duì)內(nèi)部PN結(jié)區(qū)域施加正向電壓，將PN結(jié)區(qū)域中的空穴和電子注入到N型感應(yīng)層和P型感應(yīng)層中，形成感應(yīng)電流。同時(shí)，施加正向電壓的同時(shí)，在IGCT的門控電極上施加一定的電壓信號(hào)，通過控制PN結(jié)...
高壓線性穩(wěn)壓器的原理類似于普通的線性穩(wěn)壓器，它將輸入電壓降低到輸出電壓并保持輸出電壓的穩(wěn)定。然而，高壓線性穩(wěn)壓器需要處理的是高電壓信號(hào)，因此需要采用特殊的電路設(shè)計(jì)。...
該經(jīng)典模式的線性穩(wěn)壓器通常包括一個(gè)PNP型晶體管、一個(gè)參考電壓源、一個(gè)調(diào)整電阻以及輸入和輸出濾波電容等元件。該電路中，PNP型晶體管作為控制元件，參考電壓源提供基準(zhǔn)電壓，調(diào)整電阻用于調(diào)整輸出電壓，輸入濾波電容用于抑制輸入電壓的高頻噪聲，輸出濾波電容用于抑制輸出電壓的紋波。...
在穩(wěn)壓器的工作范圍內(nèi)，線性穩(wěn)壓器的輸出電壓與輸入電壓之間的關(guān)系可以通過一個(gè)線性方程來描述，這個(gè)方程可以用斜率和截距來表示。因此，線性穩(wěn)壓器的線性度可以通過斜率的大小來衡量，斜率越大，線性度越好，輸出電壓的穩(wěn)定性就越高。...
線性穩(wěn)壓器（Linear Regulator）是一種常用的電子元器件，主要用于將輸入電壓穩(wěn)定為輸出電壓。它通常由三個(gè)主要部分組成：一個(gè)穩(wěn)壓器芯片、一個(gè)功率晶體管和一個(gè)反饋電路。...
線性穩(wěn)壓器（Linear Regulator）是一種常用的電子元器件，主要用于將輸入電壓穩(wěn)定為輸出電壓。它通常由三個(gè)主要部分組成：一個(gè)穩(wěn)壓器芯片、一個(gè)功率晶體管和一個(gè)反饋電路。...
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