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寬帶濾波器是一種濾波器，其特點(diǎn)是可以通過(guò)傳輸較大的帶寬范圍內(nèi)的信號(hào)，同時(shí)將帶內(nèi)信號(hào)的幅度進(jìn)行調(diào)整和限制。它可以通過(guò)處理頻率范圍較寬的信號(hào)，來(lái)濾除不需要的頻率分量，同時(shí)將所需的頻率分量傳輸至輸出端口。...
本文介紹DS1859數(shù)字控制電阻與MAX3735激光驅(qū)動(dòng)器接口的三種選擇。其中包括一種使用運(yùn)算放大器的新技術(shù)，可提供線性傳遞函數(shù)。它可以針對(duì)任意電流范圍進(jìn)行調(diào)整。在最小電阻下，它甚至可以產(chǎn)生比DS1859電位器中流動(dòng)的電流更大的電流。這些技術(shù)也可以應(yīng)用于其他部件。...
陶瓷濾波器和石英晶體濾波器都是常見(jiàn)的濾波器類型，它們?cè)跒V波原理、結(jié)構(gòu)和性能方面存在一些區(qū)別。...
晶體濾波器和陶瓷濾波器是兩種常見(jiàn)的電子濾波器。它們的區(qū)別如下： 工作原理不同：晶體濾波器是利用石英晶體的諧振特性進(jìn)行信號(hào)濾波，而陶瓷濾波器則是利用壓電陶瓷材料的諧振特性進(jìn)行信號(hào)濾波。...
本應(yīng)用筆記提出了多個(gè)高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）與多路復(fù)用輸入或集成插值濾波器的同步方法。這種DAC用于I/Q上變頻器或數(shù)字波束成形發(fā)射器。這些DAC提供數(shù)據(jù)時(shí)鐘輸出，用于與數(shù)據(jù)源同步。...
晶體濾波器通常沒(méi)有方向，即可以正向或反向使用，其濾波特性和頻率響應(yīng)不會(huì)受到方向的影響。...
晶體濾波器是一種使用晶體振蕩器作為基礎(chǔ)的濾波器，其工作原理基于晶體振蕩器的特性。...
濾波器的帶寬大小通常取決于特定應(yīng)用的需求，不是越小越好。在某些情況下，需要較窄的帶寬以濾除高頻噪聲，但在其他情況下，則需要更寬的帶寬以允許信號(hào)通過(guò)。...
PIN二極管通常用作電視調(diào)諧器中RF信號(hào)的可變衰減器，以及固定設(shè)備中的寬帶RF的可變衰減器。這些二極管可以作為分立器件安裝在電路板上，也可以集成到混合GaAs模塊中。在高RF頻率下，PIN二極管的正向電阻隨著通過(guò)結(jié)的直流電流的增加而減?。▓D1）。...
本應(yīng)用筆記比較了數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）和數(shù)字電位器。傳統(tǒng)上，數(shù)字電位器旨在取代簡(jiǎn)單的機(jī)械電位器。隨著最近分辨率和附加功能的提高，數(shù)字電位計(jì)也可用于一些傳統(tǒng)的DAC插座。同樣，傳統(tǒng)的DAC封裝太大，成本太高，無(wú)法與數(shù)字電位計(jì)競(jìng)爭(zhēng)。然而，DAC的價(jià)格和封裝尺寸已顯著降低，因此在某些插座中可以使用DAC或數(shù)...
滿足高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）的數(shù)字定時(shí)要求對(duì)于實(shí)現(xiàn)最高性能至關(guān)重要。隨著時(shí)鐘頻率的增加，數(shù)據(jù)接口的建立和保持時(shí)間成為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員關(guān)注的重要問(wèn)題。本應(yīng)用筆記旨在全面解釋與Analog高性能轉(zhuǎn)換器解決方案相關(guān)的設(shè)置和保持時(shí)間。...
在設(shè)計(jì)數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）系統(tǒng)時(shí)，DAC規(guī)格及其基準(zhǔn)電壓源協(xié)同工作，以產(chǎn)生整體系統(tǒng)性能。因此，DAC和參考應(yīng)同時(shí)選擇。組件的規(guī)格可以相互權(quán)衡，以確保以最低的成本滿足系統(tǒng)規(guī)格。...
下面的電路圖是SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的同步式boost電路，LS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)的示例。電路圖中包括SiC MOSFET的寄生電容、電感、電阻，HS和LS的SiC MOSFET的VDS和ID的變化帶來(lái)的各處的柵極電流（綠色線）。...
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止HS和LS同時(shí)導(dǎo)通，設(shè)置了兩個(gè)SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時(shí)間。右下方的波形表示其門(mén)極信號(hào)（VG）時(shí)序。...
這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器與專用柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行特性對(duì)比。在電路構(gòu)成中，有上次介紹過(guò)的電解電容器和薄膜電容器。在不使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，作為柵極誤導(dǎo)通對(duì)策，增加微法級(jí)的CGS，對(duì)VGS施加-5V作為負(fù)偏壓（搭載第二代SiCMOSFET的全SiC模塊）。...
小川給大家介紹的是共集電極放大電路的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。...
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