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• ReRAM在內存計算方面的潛力

  隨著對人工智能 (AI) 和內存計算的興趣顯著增加，電阻式隨機存取存儲器 (ReRAM) 可能成為解鎖其模仿人腦能力的關鍵——但挑戰(zhàn)依然存在。...

  1957次閱讀 · 0評論 存儲器cpu內存計算reram兆易創(chuàng)新
  

• ADS-NPU芯片內存計算之設計挑戰(zhàn)

  模擬內存計算IMC對打破傳統(tǒng)的Von Neumann計算機架構內存墻和能耗墻應該更有優(yōu)勢，但需要同時打破設計中的模擬墻問題，這也是當前數(shù)字設計IMC-SRAM或者IMC-MRAM占多數(shù)的原因。...

  1528次閱讀 · 0評論 傳感器sram自動駕駛
  

• 熱概念增強DRAM內存子系統(tǒng)設計

  　　熱管理問題隨著內存技術的發(fā)展而發(fā)展，并成為嵌入式系統(tǒng)、可靠性和性能的關鍵。系統(tǒng)設計師和內存子系統(tǒng)設計師之間的設計動態(tài)也在不斷發(fā)展，并可能影響為耐用性和性能而構建的設計。值得信賴的系統(tǒng)級和板級合作伙伴關系以及對與 DRAM 內存模塊相關的當前熱概念的更深入了解可以使最終產品取得成功。...

  1067次閱讀 · 0評論 pcb嵌入式DRAM
  

• 一文解析四種機制的1T-DRAM技術

  隧穿電流的機理圖如圖七所示，EVB和HVB分別代表的是來自N+多晶硅柵到硅襯底的電子隧穿電流和硅襯底價帶到P+多晶硅柵的空穴隧穿電流。...

  6904次閱讀 · 0評論 DRAMsram
  

• 索尼CineAltaV2的DIT存儲與后期成本分析

  索尼CineAltaV 2可以記錄X-OCN和4K ProRes格式。對于劇組或電視臺，每種格式的碼率大小，AXS存儲卡的記錄時長，不僅與拍攝部門的使用便捷性有關，也與技術部門的采購成本有關。 針對國內廣播電視行業(yè)的應用場景，我們將系統(tǒng)幀頻設為50P，將其它所有參數(shù)固定，拍攝以下畫面，對不同格式的碼...

  1435次閱讀 · 0評論 索尼存儲

• 完善可擴展的分布式日志存儲設計方案

  開啟異步線程，將MQ服務的消息同步到MongoDB服務中，以達到持久化的目的。...

  1442次閱讀 · 0評論 服務器數(shù)據(jù)庫MySQL存儲數(shù)據(jù)
  

• 如何存儲分布式追蹤系統(tǒng)產生的數(shù)據(jù)

  本文介紹的每種方案實際上只僅僅解決了部分的問題。傳統(tǒng)的經典結構，貌似解決了所有的問題，但是其代價是非常高的。所以我們需要的一個最佳跟蹤系統(tǒng)存儲方案，除了典型的三個特點之外，還需要加上性價比這個非技術特性。只有高性價比的跟蹤系統(tǒng)方案才能在生產實踐中得到廣泛的使用。...

  944次閱讀 · 0評論 數(shù)據(jù)存儲MySQLBigTable
  

• 存儲雙活的基本架構及原理

  采用存儲磁盤設備的卷鏡像技術實現(xiàn)兩站點間的數(shù)據(jù)實時同步。兩臺存儲設備上的LUN被虛擬化為一個虛擬的卷，主機寫操作通過卷虛擬化鏡像技術同時寫入這兩個存儲設備，保持數(shù)據(jù)實時一致。...

  27301次閱讀 · 0評論 存儲技術數(shù)據(jù)中心
  

• 高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進存儲器的路線圖

  探索未來三到五年生產可能面臨的挑戰(zhàn)，以經濟的成本為晶圓廠提供解決方案...

  3086次閱讀 · 0評論 存儲器EUV3d nand
  

• 移動存儲器有哪些

  移動存儲器就是一種外接式的存儲設備，常見的有U盤、磁盤、硬盤、光盤、內存卡以及軟盤。...

  10555次閱讀 · 0評論 存儲器移動存儲器

• 磁盤存儲器的存儲容量怎么算

  磁盤存儲器是以磁盤為存儲介質的存儲器，它具備數(shù)據(jù)傳輸率高、存儲數(shù)據(jù)可以長期保存以及存儲容量大的優(yōu)點，那么一個磁盤存儲器的存儲容量應該怎么去計算它的大小呢？...

  14098次閱讀 · 0評論 存儲器磁盤存儲器

• 對象存儲和塊存儲區(qū)別介紹

  　云計算時代存儲技術的新熱點——對象存儲，也叫做“面向對象的存儲”，也有人把它稱作云存儲。...

  15407次閱讀 · 0評論 對象存儲塊存儲

• 串口屏儲存器不夠自己擴展怎么操作？

  隨著串口屏硬件平臺的發(fā)展，串口屏Flash內存芯片由大容量并口Nand型、全面進化到了小容量SPI Nor型存儲介質，而存儲容量也由1Gbit（128M字節(jié)）變成了主流的64M/128Mbit（8/16M字節(jié)）。如存儲數(shù)據(jù)過多，一定會出現(xiàn)串口屏內存不夠用的情況。那么，串口屏儲存器不夠，自己該如何擴展...

  3165次閱讀 · 0評論 存儲器內存串口Flash存儲器串口屏
  

• 半導體存儲器的發(fā)展歷程與當前挑戰(zhàn)

  計算機內存主要是DRAM和SRAM。二者相比，DRAM的存儲密度更高，而SRAM則具有最快的片上緩存。這兩類半導體存儲器都已經歷了數(shù)十年的發(fā)展。...

  4253次閱讀 · 0評論 DRAMsram半導體存儲器
  

• 三個云存儲加密的最佳做法

  云存儲的加密非常重要。如果沒有加密，云計算提供商的所有員工可能都可以看到數(shù)據(jù)。如果云存儲提供商遭受破壞，加密對于保持數(shù)據(jù)保護也至關重要。...

  4476次閱讀 · 0評論 云計算存儲加密

• 新一代內存DDR5帶來了哪些改變？

  具體有哪些變化？DDR5與DDR4差別很大，實際上更像LPDDR4，DDR5帶來9個變化。...

  4871次閱讀 · 0評論 物聯(lián)網(wǎng)內存泰克科技DDR5
  

• 獨立顯卡和集成顯卡的原理、特點應用及區(qū)別

  獨立顯卡和集成顯卡的原理、特點應用及區(qū)別...

  9414次閱讀 · 0評論 集成顯卡存儲顯卡

• 存儲系統(tǒng)IOPS設計需解決的問題及服務功能

  存儲系統(tǒng)設計始終需要在三個參數(shù)間進行權衡：容量、吞吐量和IOPS。不幸的是，對于系統(tǒng)工程師而言，存儲組件的物理限制不允許獨立設置這三個參數(shù)-至少不能在硬件中設置。...

  2838次閱讀 · 0評論 控制器存儲緩存

• 如何為系統(tǒng)選擇合適的NAND閃存？

  閃存單元由修改的場效應晶體管（FET）組成，在控制柵極和通道之間的絕緣層中具有額外的“浮置”柵極。 通過施加高壓將電荷注入到浮柵上（或從浮柵上去除）。 這會改變打開晶體管所需的柵極電壓，該電壓代表存儲在單元中的值。...

  1927次閱讀 · 0評論 閃存NAND存儲

• 如何充分發(fā)揮SSD的優(yōu)勢？

  在接口協(xié)議方面，隨著SSD的發(fā)明，NVMe協(xié)議應運而生。相較于SAS、SATA的單隊列機制，NVMe最多可以有65535個隊列，并且直接采用PCIe接口，消除了鏈路和協(xié)議瓶頸。...

  2185次閱讀 · 0評論 接口協(xié)議存儲技術SSD
  
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