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FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存，是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不...
FLASH存儲(chǔ)器（也就是閃存）就 是非易失隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器（NVRAM），特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器，分為DRAM和SRAM兩大類(lèi)，其中常說(shuō)的內(nèi)存主要指DRAM，也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。閃存也有不同類(lèi)型，其中主要分為NO...
FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存 ，是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而...
IPUS公司的SQPI PSRAM （Pseudo SRAM）。它采用DRAM 1T1C的架構(gòu)做memory cell，相比SRAM，單位面積的硅片可以實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)容量，內(nèi)置刷新控制電路使得芯片的接口、協(xié)議等同于普通的SPI SRAM，其接口類(lèi)似于SPI NOR Flash，MCU可以通過(guò)SPI或...
對(duì)全閃存陣列（AFA）存儲(chǔ)產(chǎn)品的特點(diǎn)和功能的深入理解，可以幫助用戶確定哪些配置可能最符合自己的需求。...
當(dāng)今，物聯(lián)網(wǎng)（IoT）已對(duì)所有行業(yè)產(chǎn)生了影響，而且有望到2020年成為一個(gè)1.7萬(wàn)億美元的市場(chǎng)。IoT領(lǐng)域建立在云計(jì)算以及由移動(dòng)、虛擬和即時(shí)連接搭建的數(shù)據(jù)采集傳感器網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)之上。行業(yè)專(zhuān)家認(rèn)為，它將讓我們生活中的一切變得更加“智能”，從路燈到海港。IoT已經(jīng)滲透至各行各業(yè)：從工廠自動(dòng)化到點(diǎn)播娛樂(lè)和可...
本文中介紹的故障恢復(fù)主要是只單機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中的故障恢復(fù)，就是只有一臺(tái)電腦，與之相對(duì)的是分布式存儲(chǔ)系統(tǒng)，暫且不談。...
迄今為止，內(nèi)存還是我們目前能用到的最快的存儲(chǔ)設(shè)備，把數(shù)據(jù)盡可能放進(jìn)內(nèi)存成為各種應(yīng)用提高數(shù)據(jù)訪問(wèn)性能的最有效途徑。對(duì)于很多關(guān)鍵業(yè)務(wù)系統(tǒng)而言，內(nèi)存又是一種“揮發(fā)性”的和大小非常有限的存儲(chǔ)設(shè)備，如何在保證性能的同時(shí)使數(shù)據(jù)能持久化，如何把有限的內(nèi)存投入到無(wú)限的待處理數(shù)據(jù)上是程序設(shè)計(jì)的一個(gè)重大課題。...
CAP理論是當(dāng)前分布式存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的理論指導(dǎo)，而PACELC理論是CAP理論的擴(kuò)展，分布式存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的理論依據(jù)是時(shí)候從CAP理論擴(kuò)展為PACELC理論。...
在高速數(shù)字接口中，并行總線越來(lái)越少。原因很簡(jiǎn)單，隨著系統(tǒng)頻率的提升，并行總線在板級(jí)建置時(shí)已經(jīng)遭遇到實(shí)體瓶頸，抖動(dòng)、串?dāng)_、信號(hào)偏移、傳輸路徑不完美等因素，都將大幅降低并行總線持續(xù)建立時(shí)間窗口，從而限制系統(tǒng)帶寬的進(jìn)一步提升。...
隨著游戲與視訊應(yīng)用在行動(dòng)裝置上的普及，以及手機(jī)處理器性能的提升，eMMC的性能已經(jīng)不能滿足行動(dòng)裝置對(duì)于內(nèi)存讀寫(xiě)性能的要求，新一代的通用閃存儲(chǔ)存（UFS）規(guī)格應(yīng)運(yùn)而生。...
2006年初，美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IM Flash Technologies公司（IMFT）在市場(chǎng)上閃亮登場(chǎng)。通過(guò)整合Intel公司的NOR多層單元（MLC）閃存技術(shù)與美光的DRAM和NAND閃存的制造效率和創(chuàng)新性，并且在兩個(gè)母公司強(qiáng)大的IP庫(kù)支持下，IMFT在同一年推出的第一個(gè)產(chǎn)品就...
本視頻主要內(nèi)容：介紹了富士通半導(dǎo)體的FRAM產(chǎn)品特性：低功耗，快速讀寫(xiě)，高讀寫(xiě)次數(shù)和防輻射特性。...
近年來(lái)隨著智能三表、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療器械及醫(yī)療電子標(biāo)簽、汽車(chē)后裝設(shè)備、以及工業(yè)傳感網(wǎng)絡(luò)的快速增長(zhǎng)，F(xiàn)RAM存儲(chǔ)器以及FRAM微控制器的應(yīng)用越來(lái)越多。似乎幾年前電子工程專(zhuān)輯的報(bào)道還傾向于把FRAM（那時(shí)候遇到的縮寫(xiě)還是以FeRAM居多）作為一種新的存儲(chǔ)方式來(lái)報(bào)道，而現(xiàn)在，越來(lái)越多的應(yīng)用借FRAM的特性實(shí)現(xiàn)...
歲末年初，由EEVIA主辦的第四屆電子技術(shù)媒體論壇在深圳舉辦，ADI、Analogix、Freescale、Fujitsu、集創(chuàng)等多家業(yè)界領(lǐng)先公司的專(zhuān)家發(fā)表了演講，共同探討電子技術(shù)、市場(chǎng)發(fā)展最新趨勢(shì)。其中開(kāi)放、靈活、智能這幾個(gè)關(guān)鍵詞被頻繁提及，2015年半導(dǎo)體行業(yè)將圍繞這幾個(gè)關(guān)鍵詞展開(kāi)新一年的精彩旅...
是時(shí)候來(lái)科普下威武的鐵電（FRAM）技術(shù)了！望文生義對(duì)于工程師可不行，例如曾有客戶在設(shè)計(jì)一級(jí)三相智能電表的時(shí)候，對(duì)是否選擇鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）之前，向我們提出了一個(gè)問(wèn)題：“工業(yè)環(huán)境中那么多電磁干擾，甚至磁鐵，它會(huì)不會(huì)易于被雜散磁場(chǎng)擾亂？”看來(lái)“鐵電”這個(gè)術(shù)語(yǔ)多少起到了一點(diǎn)誤導(dǎo)作用。...
過(guò)完了眼癮，現(xiàn)在來(lái)看我們?cè)诖舜文侥岷谏虾ｋ娮诱股弦I(lǐng)未來(lái)趨勢(shì)的六大創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)吧！...
FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是被稱為FeRAM。這種存儲(chǔ)器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特點(diǎn)，在高速讀寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)。...
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司日前宣布，成功推出擁有1 Mb內(nèi)存的FRAM產(chǎn)品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級(jí)芯片尺寸封裝（WL-CSP），使得其體積僅為3.09× 2.28 × 0.33 mm，一舉成為業(yè)內(nèi)擁有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。...
在今天的舉辦的2015智能水/氣計(jì)量及管網(wǎng)執(zhí)行力論壇上，富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司市場(chǎng)部高級(jí)經(jīng)理蔡振宇作了“智能水/氣表存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)的最佳解決方案”的主題分享。水/氣表存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)最佳解決方案是什么？與傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢(shì)是啥？有哪些應(yīng)用案例？……帶著這些問(wèn)題，今天我們將通過(guò)20張圖文與大家深度分享。...
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