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單獨(dú)工作的PCB的模擬地和數(shù)字地可在系統(tǒng)接地點(diǎn)附近單點(diǎn)匯接，如電源電壓一致，模擬和數(shù)字電路的電源在電源入口單點(diǎn)匯接，如電源電壓不一致，在兩電源較近處并-1～2μf的電容，給兩電源問(wèn)的信號(hào)返回電流提供通路。...
自從電子系統(tǒng)降噪技術(shù)在70年代中期出現(xiàn)以來(lái)，主要由于美國(guó)聯(lián)邦通訊委員會(huì)在1990年和歐盟在1992提出了對(duì)商業(yè)數(shù)碼產(chǎn)品的有關(guān)規(guī)章，這些規(guī)章要求各個(gè)公司確保它們的產(chǎn)品符合嚴(yán)格的磁化系數(shù)和發(fā)射準(zhǔn)則。符合這些規(guī)章的產(chǎn)品稱(chēng)為具有電磁兼容性EMC（Electromagnetic Compatibility）。...
電感的單位是享，型號(hào)也是用電感值來(lái)命名的，如：GZ2012-100指2012（0805）封裝10uH的電感；磁珠的單位是歐，一般磁珠的型號(hào)都是用100MHz時(shí)的電阻值來(lái)命名的，需要注意的是這里是電阻值，而不是等效感抗。比如：JCB201209-301，是指2012（0805）封裝100MHz時(shí)阻值為...
尤其在使用高速數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)時(shí)，攔截大量信息所需要的時(shí)間顯著低于攔截低速數(shù)據(jù)傳輸所需要的時(shí)間。數(shù)據(jù)雙絞線(xiàn)中的絞合線(xiàn)對(duì)在低頻下可以靠自身的絞合來(lái)抵抗外來(lái)干擾及線(xiàn)對(duì)之間的串音，但在高頻情況下（尤其在頻率超過(guò)250MHz以上時(shí)），僅靠線(xiàn)對(duì)絞合已無(wú)法達(dá)到抗干擾的目的，只有屏蔽才能夠抵抗外界干擾。...
在開(kāi)關(guān)電源中常使用工頻整流二極管、高頻整流二極管、續(xù)流二極管等，由于這些二極管都工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，如圖所示，在二極管由阻斷狀態(tài)到導(dǎo)通工作過(guò)程中，將產(chǎn)生一個(gè)很高的電壓尖峰VFP；在二極管由導(dǎo)通狀態(tài)到阻斷工作過(guò)程中，存在一個(gè)反向恢復(fù)時(shí)間trr，在反向恢復(fù)過(guò)程中，由于二極管封裝電感及引線(xiàn)電感的存在，將產(chǎn)生一...
造成這種現(xiàn)象的主要原因就是因是信號(hào)回路面積過(guò)大，不僅產(chǎn)生了較強(qiáng)的電磁輻射，而且使電路對(duì)外界干擾敏感。要改善線(xiàn)路的電磁兼容性，最簡(jiǎn)單的方法是減小關(guān)鍵信號(hào)的回路面積。 關(guān)鍵信號(hào)：從電磁兼容的角度考慮，關(guān)鍵信號(hào)主要指產(chǎn)生較強(qiáng)輻射的信號(hào)和對(duì)外界敏感的信號(hào)。...
當(dāng)干擾的能量使接收器處在不希望的狀態(tài)時(shí)引起干擾。干擾的產(chǎn)生不是直接的（通過(guò)導(dǎo)體、公共阻抗耦合等）就是間接的（通過(guò)串?dāng)_或輻射耦合）。電磁干擾的產(chǎn)生是通過(guò)導(dǎo)體和通過(guò)輻射。很多電磁發(fā)射源，如光照、繼電器、DC電機(jī)和日光燈都可引起干擾。AC電源線(xiàn)、互連電纜、金屬電纜和子系統(tǒng)的內(nèi)部電路也都可能產(chǎn)生輻射或接收到...
電磁兼容性是指電子設(shè)備在各種電磁環(huán)境中仍能夠協(xié)調(diào)、有效地進(jìn)行工作的能力。電磁兼容性設(shè)計(jì)的目的是使電子設(shè)備既能抑制各種外來(lái)的干擾，使電子設(shè)備在特定的電磁環(huán)境中能夠正常工作，同時(shí)又能減少電子設(shè)備本身對(duì)其它電子設(shè)備的電磁干擾。...
為了控制共模EMI，電源層要有助于去耦和具有足夠低的電感，這個(gè)電源層必須是一個(gè)設(shè)計(jì)相當(dāng)好的電源層的配對(duì)。有人可能會(huì)問(wèn)，好到什么程度才算好?問(wèn)題的答 案取決于電源的分層、層間的材料以及工作頻率(即IC上升時(shí)間的函數(shù))。通常，電源分層的間距是6mil，夾層是FR4材料，則每平方英寸電源層的等效電 容約為...
選用外時(shí)鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統(tǒng)的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波，方波中的高頻成份比正弦波多得多。雖然方波的高頻成份的波的幅度，比基波小，但頻率越高越容易發(fā)射出成為噪聲源，微控制器產(chǎn)生的最有影響的高頻噪聲大約是時(shí)鐘頻率的3倍。...
從嚴(yán)格意義上來(lái)講，所有電壓信號(hào)都是差分的，因?yàn)橐粋€(gè)電壓只能是相對(duì)于另一個(gè)電壓而言的。在某些系統(tǒng)里，系統(tǒng)'地'被用作電壓基準(zhǔn)點(diǎn)。當(dāng)'地'當(dāng)作電壓測(cè)量基準(zhǔn)時(shí)，這種信號(hào)規(guī)劃被稱(chēng)之為單端的。我們使用該術(shù)語(yǔ)是因?yàn)樾盘?hào)是用單個(gè)導(dǎo)體上的電壓來(lái)表示的。...
傳導(dǎo)性EMI干擾是開(kāi)關(guān)電路正常工作與寄生電容和電感共同作用產(chǎn)生的結(jié)果。圖 1 顯示了一些會(huì)進(jìn)入到您的 PCB 線(xiàn)跡中的EMI干擾源情況。Vemi1 源自開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)，例如：時(shí)鐘信號(hào)或者數(shù)字信號(hào)線(xiàn)跡等。這些干擾源的耦合方式均為通過(guò)線(xiàn)跡之間的寄生電容。這些信號(hào)將電流尖脈沖帶入鄰近 PCB 線(xiàn)跡。同樣，Vem...
在與輸出端口相連的情況下，在初次設(shè)計(jì)時(shí)，分割地-比如模擬音響地與系統(tǒng)地單點(diǎn)接地-出現(xiàn)EMI/ESD問(wèn)題的幾率幾乎是100%。...
EMI（Electro Magnetic Interference）直譯是電磁干擾。這是合成詞，我們應(yīng)該分別考慮“電磁”和“干擾”。 所謂“干擾”，指設(shè)備受到干擾后性能降低以及對(duì)設(shè)備產(chǎn)生干擾的干擾源這二層意思。第一層意思如雷電使收音機(jī)產(chǎn)生雜音，摩托車(chē)在附近行駛后電視畫(huà)面出現(xiàn)雪花，拿起電話(huà)后聽(tīng)到...
開(kāi)關(guān)電路主要由開(kāi)關(guān)管和高頻變壓器組成。開(kāi)關(guān)管及其散熱片與外殼和電源內(nèi)部的引線(xiàn)間存在分布電容，它產(chǎn)生的du/dt具有較大幅度的脈沖，頻帶較寬且諧波豐富。開(kāi)關(guān)管負(fù)載為高頻變壓器初級(jí)線(xiàn)圈，是感性負(fù)載。當(dāng)原來(lái)導(dǎo)通的開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)，高頻變壓器的漏感產(chǎn)生了反電勢(shì)E＝-Ldi/dt，其值與集電極的電流變化率成正比，...
PCB布局、布線(xiàn)以及電源層的處理對(duì)整個(gè)電路板的EMI問(wèn)題有著非常重要的影響。本文將通過(guò)實(shí)例分析討論如何利用EMIStream來(lái)解決板級(jí)EMI問(wèn)題。隨著電子系統(tǒng)的復(fù)雜度越來(lái)越高，EMI問(wèn)題也越來(lái)越多。為了使自己的產(chǎn)品能達(dá)到相關(guān)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，設(shè)計(jì)人員不得不往返于辦公室和EMC實(shí)驗(yàn)室，反復(fù)地測(cè)試、修改設(shè)計(jì)、再...
（Hybrid Integrated Circuit）是由半導(dǎo)體集成工藝與厚（?。┠すに嚱Y(jié)合而制成的集成電路?；旌霞呻娐肥窃诨嫌贸赡し椒ㄖ谱骱衲せ虮∧ぴ捌浠ミB線(xiàn)，并在同一基片上將分立的半導(dǎo)體芯片、單片集成電路或微型元件混合組裝，再外加封裝而成。具有組裝密度大、可靠性高、電性能好等特點(diǎn)。...
答：一般EMI/EMC設(shè)計(jì)時(shí)需要同時(shí)考慮輻射（radiated）與傳導(dǎo)（conducted）兩個(gè)方面。 前者歸屬于頻率較高的部分（》30MHz）后者則是較低頻的部分（《30MHz）。 所以不能只注意高頻而忽略低頻的部分。 一個(gè)好的EMI/EMC設(shè)計(jì)必須一開(kāi)始布局時(shí)就要考慮到器件的位置， PCB迭層的...
通訊與計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展使得高速PCB設(shè)計(jì)進(jìn)入了千兆位領(lǐng)域，新的高速器件應(yīng)用使得如此高的速率在背板和單板上的長(zhǎng)距離傳輸成為可能，但與此同時(shí)，PCB設(shè)計(jì)中的信號(hào)完整性問(wèn)題(SI)、電源完整性以及電磁兼容方面的問(wèn)題也更加突出。...
EMC/EMI的仿真需要用到仿真模型EMC/EMI分析要了解所用到的元器件的電氣特性，之后才能更好地具體模擬仿真。目前應(yīng)用較多的有IBIS和SPICE模型。IBIS（I/O Buffer Interface Specification），即ANSI/EIA-656，是一種通過(guò)測(cè)量或電路仿真得到，基于...
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