周一（1日）盤后，行業(yè)垂直媒體集微網(wǎng)報道稱，從供應鏈處獲悉，中芯國際已獲得部分美國設(shè)備廠商的供應許可，主要涵蓋成熟工藝用半導體設(shè)備等。

興業(yè)證券研究所電子團隊（下文簡稱“興證電子”）當日晚些時候發(fā)布報告對上述消息進行了確認，表示經(jīng)其產(chǎn)業(yè)鏈驗證，中芯國際部分供應商已經(jīng)拿到相關(guān)許可證。

其中，美國部分供應商中A公司已經(jīng)拿到相關(guān)許可證，L公司和K公司還在等待結(jié)果，判斷后邊也會陸續(xù)拿到許可證，許可證以10nm為分界點，14nm及以上工藝制程相關(guān)產(chǎn)品獲得許可，10nm及以下節(jié)點未拿到許可證。

事實上，去年年末即有報道傳出，有業(yè)界人士稱中芯國際已獲得美國成熟制程許可證，受此消息影響，當天中芯國際H股漲幅一度擴大至10%。

隨后，《科創(chuàng)板日報》記者于今年1月4日獨家確認，中芯國際之成熟制程關(guān)鍵供應已獲許可證。記者獲悉，獲得許可證的包括EDA、設(shè)備和材料等。

14nm許可超預期 中芯國際有望持續(xù)享受長工藝節(jié)點紅利

興證電子指出，根據(jù)此前判斷，中芯國際拿到成熟制程許可證的確定性較強，即28nm及以上節(jié)點會拿到許可證，目前看14nm也拿到許可證，超過預期，這意味著中芯國際在先進制程領(lǐng)域的發(fā)展還將繼續(xù)，公司會持續(xù)享受14nm這個長工藝節(jié)點的紅利。

根據(jù)中芯國際去年年末透露，公司14nm工藝已在2019年第四季度量產(chǎn)，良率已達業(yè)界量產(chǎn)水準，同時第二代FinFET已進入小量試產(chǎn)。財報顯示，以技術(shù)節(jié)點分類，中芯國際14/28納米占其2020年第三季度、第四季度收入占比分別達到14.6%、5%。

來源：中芯國際2020年第四季度財報

受成熟制程需求大增以及地緣政治因素影響，中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍在今年2月舉行的2020年第四季度電話會上曾表示，2021年公司對于先進制程的想法主要有三點：

一是保證生產(chǎn)的連續(xù)性，公司將繼續(xù)與供應商推進出口準證的申請；二是謹慎擴產(chǎn)，去年年底公司已經(jīng)完成了15000片安裝產(chǎn)能的目標，但離經(jīng)濟規(guī)模尚遠，如需進一步擴產(chǎn)，還需要走出口許可證申請流程；三是公司會考慮加強第一代、第二代FinFET多元平臺開發(fā)的部件，并拓展平臺的可靠性以及競爭力。

此外，中芯國際方面預計2021年資本開支為43億美元，其中大部分用于成熟工藝的擴產(chǎn)，小部分用于先進工藝。

興證電子認為，就中芯國際本身來說，隨著其他相關(guān)美國供應商陸續(xù)拿到許可證，在當前全球產(chǎn)能緊張的行業(yè)背景下，認為中芯國際14nm及以上工藝節(jié)點的擴產(chǎn)將超出之前規(guī)劃，公司遠期的代工市場空間進一步打開。

“卡脖子”攻克進行中 這些公司14nm已取得突破

另一方面，就產(chǎn)業(yè)鏈來說，此次中芯國際拿到許可證的事件，意味著國內(nèi)晶圓廠存儲廠未來的擴產(chǎn)可見度及確定性進一步提升，繼續(xù)看好晶圓廠存儲廠產(chǎn)業(yè)鏈設(shè)備材料的遠期發(fā)展機會。

值得一提的是，近年來，國家政策層面反復提及加快攻克半導體先進制程等“卡脖子”技術(shù)，其國產(chǎn)化訴求愈發(fā)強烈。在政策的推動下，隨著技術(shù)的積累，我國產(chǎn)業(yè)鏈無論在設(shè)備、材料亦或是晶圓制造領(lǐng)域都有了長足的進步。

設(shè)備方面，北方華創(chuàng)可用于14nm制程的硅刻蝕機已進入生產(chǎn)線驗證；中微公司16nm刻蝕機已實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)，7-10nm 刻蝕機已達世界先進水平；屹唐半導體去膠和快速退火產(chǎn)品市占率全球第二；上海微電子光刻機應用水平為90nm，預計2022年可交付28nm浸沒式DUV光刻機。

材料方面，安集科技TSV拋光液處于行業(yè)領(lǐng)先水平，在14nm節(jié)點已實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)；滬硅產(chǎn)業(yè)12英寸硅片已獲客戶認證產(chǎn)品規(guī)格超50種，8英寸及以下硅片已通過認證的產(chǎn)品規(guī)格超550種，產(chǎn)品得到臺積電、中芯國際、華潤微等眾多芯片制造企業(yè)的認可。

晶圓制造方面，中芯國際為縮短與全球最先進制程的差距，不斷加大先進制程研發(fā)投入，相繼完成了28納米HKC+工藝及第一代14納米FinFET工藝的研發(fā)并實現(xiàn)量產(chǎn)，第二代FinFET工藝的研發(fā)也在穩(wěn)健進行中并進入客戶導入階段。

同時，利用公司先進的FinFET技術(shù)在晶圓上所制成的芯片已被廣泛應用于智能手機、平板電腦、機頂盒等領(lǐng)域，公司研發(fā)費用率高于可比上市公司約12pct。預計高端手機AP/SOC、基帶芯片、CPU、GPU、礦機ASIC等下游需求的逐步上升將為先進制程差距的進一步縮小提供更強大的動力。
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