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兆易創(chuàng)新一季營收歷史新高達5.42億 MCU可維持60%年復(fù)合增長率

電子工程師? 2018年04月30日 17:49 ? 次閱讀

我們看到了一季度財務(wù)業(yè)績低于預(yù)期的情況(營收,經(jīng)營性業(yè)績強勁),也看到了一些有趣的地方,但仍然給予樂觀的預(yù)期。在于公司基本面堅挺以及合肥項目的高度可期。誠然,國內(nèi)fab廠建設(shè)具有微妙的中國特色,又有些許坎坷,但基于密切的產(chǎn)業(yè)鏈跟蹤和研究我們認為合肥長鑫可以做到。40年前日本做到了,30年前韓國做到了,我們大陸也可以做到。另文末附長鑫存儲技術(shù)有限公司董事長王寧國在【國家集成電路重大專項走向安徽】演講。

兆易創(chuàng)新一季報點評與506項目進度匯報:匯兌影響較大,后續(xù)看NOR結(jié)構(gòu)改善與SLC NAND起量,合肥項目進展順利。

公司公告:

一季報營收5.42億元,同比增長19.71%,歸母凈利潤0.89億元,同比增長28.55%,扣非后歸母凈利潤0.84億,同比增長30.19%。公司Q1毛利率38.24%,同比提高8.48個百分點,環(huán)比降低2.34個百分點。

我們的觀點:

(1)由于非經(jīng)因素影響歸母凈利潤略低于預(yù)期,但是經(jīng)營業(yè)績強勁,營收環(huán)比提升。

從營收來看公司創(chuàng)了一季度歷史新高,達5.42億元,環(huán)比也提升5.63%??紤]一季度淡季因素影響略超預(yù)期。主要原因在于SLC NAND起量(一季度營收超過1000萬美金)和NOR產(chǎn)能釋放(去年同期產(chǎn)能嚴重不足,庫存幾乎全部清光)。我們認為隨著SLC產(chǎn)能進一步釋放與NOR庫存釋放,未來逐季度營收會繼續(xù)走高。

我們首先看到公司一季度管理費用率和財務(wù)費用率分別為12.06%和4.62%,同比分別明顯提升3.75個百分點與4.21個百分點,二者合計降低公司業(yè)績預(yù)計0.39億,而財務(wù)費用率的提升主要因為美元匯率在2018Q1繼續(xù)走弱,管理費用率提升因為非經(jīng)性特殊事項與研發(fā)、股權(quán)激勵兩項費用增多所引起。因此我們認為這0.39億屬于非經(jīng)營性虧損,加回后公司經(jīng)營性歸母凈利潤1.28億,同比增長84.20%,經(jīng)營性業(yè)績強勁且符合預(yù)期。

公司毛利率18Q1 38.24%,環(huán)比下降2.34個百分點,我們認為主要是因為NOR價格一季度疲軟和匯率因素的影響。雖然公司收入和成本都以美元結(jié)算,但是由于NOR生產(chǎn)封測周期長達4個月(僅放置周期即有半個月以上),因此出現(xiàn)了收入端和成本端的匯率時間敞口不匹配的問題。我們測算匯率因素影響毛利率2.3個百分點(旺宏18Q1因為美元貶值毛利率下滑1個百分點)。除了匯率因素影響外,NOR低容量18Q1價格下滑也是一個原因,16M及以下產(chǎn)品價格跌回了去年一季度的水平,而公司目前中低容量市場產(chǎn)品有一定占比(尤其是旺宏等臺系在放棄這部分市場),預(yù)計這部分影響公司毛利率1個百分點略高的毛利率水平。

(2)各業(yè)務(wù)趨勢向好,未來幾季逐季走高。

2.1 NOR:價格一季度低容量(16M及以下)下滑,Q2仍然有一定壓力但綜合考慮毛利率預(yù)計穩(wěn)定。

由于GIGA 8M和4M兩款COST-DOWN產(chǎn)品推出以及某廠去年底去庫存影響,NOR 16M以下出現(xiàn)了明顯下滑,而32M及以上價格維持。因此正如上文所提及對毛利率產(chǎn)生一定壓力。而我們對后續(xù)價格的判斷是Q2可能仍有一定壓力但是Q3/Q4逐季走高,且預(yù)計對公司盈利能力影響非常有限。

首先短期來看由于NOR擴產(chǎn)周期主要集中在17Q4/18Q1,而18Q1是季節(jié)性淡季因素影響,帶來公司庫存位于歷史高位,因此二季度預(yù)計是去庫存周期,可能影響供需格局而對中低容量進一步承壓,但隨著去庫存周期結(jié)束以及需求逐季走高,美系退出和臺系轉(zhuǎn)產(chǎn)因素影響預(yù)計Q3開始回暖。且目前產(chǎn)業(yè)鏈跟蹤來看Q2降幅有限,且對公司盈利能力影響預(yù)計非常有限,主要原因在于臺系龍頭廠商降價意愿較低且NOR產(chǎn)能預(yù)計有所縮減、公司代工費降低、16/32M COST-DOWN產(chǎn)品推出三方面因素影響。

首先昨日是旺宏一季度法說會,我們第一時間發(fā)布深度跟蹤報告。旺宏領(lǐng)導(dǎo)強調(diào)公司預(yù)計18Q2 NOR價格維持,而18Q3中高容量預(yù)計小幅提升。綜合考慮公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)我們認為該預(yù)期積極,且這背后體現(xiàn)的意味我們認為是公司價格策略相對堅挺,龍頭廠商如果采用不降價策略對行業(yè)價格穩(wěn)定有積極影響。

其次公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和客戶結(jié)構(gòu)持續(xù)改善,成本端持續(xù)下滑。(1)公司中大容量(64+128+256)預(yù)計今年合計占收入60%(主要受益于公司市占率提升,產(chǎn)品升級,PC BIOS應(yīng)用升級等因素影響),另一方面公司客戶結(jié)構(gòu)改善,華為等大客戶預(yù)計將會順利導(dǎo)入,大客戶對公司當(dāng)然不意味著高盈利,但是大客戶意味著吃產(chǎn)能,對于穩(wěn)定價格和毛利率很有幫助,預(yù)計華為一家對兆易創(chuàng)新NOR的需求達數(shù)千片;(2)公司成本端下滑。18Q1代工費下滑預(yù)計15%,這一部分對成本的緩解預(yù)計二季度才能體現(xiàn),另一方面是公司16/32M兩款中容量COST-DOWN產(chǎn)品在18Q3將順利推出,考慮到8M/4M兩款產(chǎn)品公司die-size縮小30%,因此預(yù)計兩款主力產(chǎn)品的推出將極大降低公司成本。

因此綜合考慮全局,我們認為NOR的情況是產(chǎn)能倍增,產(chǎn)品結(jié)構(gòu)改善、客戶結(jié)構(gòu)改善,成本降低,價格Q2有壓力但是對公司盈利能力影響非常有限,預(yù)計毛利率維持或走高。

另外對于NOR周期和成長之爭,我們認為隨著公司256M產(chǎn)品順利推出(以及512M產(chǎn)品通過疊加2顆256M形式賣出),公司將進一步搶占臺系廠商市場(公司一季度在***營收同比大增,而臺系廠商一季度在大陸營收驟降),考慮到公司市占率僅剛過10%,該項業(yè)務(wù)仍有極大的提升空間(值得一提的是,公司2016年以前一直處于NOR下降周期,但是營收,凈利潤保持著穩(wěn)健成長)。

2.2 SLC NAND:上半年接近2000片產(chǎn)能,北京產(chǎn)線3000片產(chǎn)能TRY RUN READY。

公司目前SLC以38nm 1Gb為主(2Gb是疊加兩塊1Gb),應(yīng)用領(lǐng)域包括通訊PON、工業(yè)和汽車等高可靠應(yīng)用領(lǐng)域。由于行業(yè)景氣度整體偏高(1Gb價格基本翻了一倍,臺系將一部分NOR產(chǎn)能轉(zhuǎn)向SLC),預(yù)計該部分毛利率將維持40%以上。目前上海中芯國際產(chǎn)能接近2000片,北京中芯國際產(chǎn)線TRY RUN,有3000片產(chǎn)能,Q2底公司正式導(dǎo)入量產(chǎn)。年底SMIC總產(chǎn)能預(yù)計上萬片,而兆易創(chuàng)新預(yù)計占比超過70%,因此預(yù)計2D NAND公司產(chǎn)能年底近7000片,而去年全年平均我們預(yù)計公司NOR產(chǎn)能7000片/月,綜合考慮SLC業(yè)務(wù)毛利率我們認為將顯著提升公司盈利能力。

2.3 MCU:一直以來維持高速成長與高毛利率,未來將會繼續(xù)持續(xù)。

由于公司產(chǎn)品和ST實現(xiàn)PIN 2 PIN,除了低功耗產(chǎn)品全覆蓋(因此去年共享單車業(yè)務(wù)公司沒有吃到,但是去年由于共享單車造成了MCU的缺貨),帶來了較好的比價優(yōu)勢。MCU業(yè)務(wù)一直維持著較高的增長和毛利率水平,2017年實現(xiàn)收入3億,毛利率47.77%皆創(chuàng)歷史新高。預(yù)計2018年該項業(yè)務(wù)仍然維持60%以上的復(fù)合增長和較高的毛利率水平,一季度出貨超過去年三季度水平,全年營收預(yù)計8000萬美金+。

從未來市場空間角度公司MCU業(yè)務(wù)發(fā)展空間廣闊,市占率趕超空間極大。公司MCU年年有爆品,前年扭扭車、去年指紋識別、掃地機器人,今年無線充電。而基于cortex 的MCU公司市占率2017年僅為6%,與ST 48%和 NXP 28%差距較大,考慮到150億的MCU大陸市場,公司仍有極強的成長空間,預(yù)計2018年及以后公司該項業(yè)務(wù)超預(yù)期概率大。

資料來源:IHS

2.4 EMMC/EMCP:戰(zhàn)略布局部門,資產(chǎn)減值預(yù)計將轉(zhuǎn)回。

該項業(yè)務(wù)是公司重要戰(zhàn)略布局,因為公司一方面通過合肥長鑫掌握DRAM,另一方面自產(chǎn) 2D NAND,因此未來具備極強的EMMC/EMCP布局能力。2017年該業(yè)務(wù)貢獻公司較大營收成長。但是因為目前公司NAND產(chǎn)品仍在1Gb,因此仍需采購海外廠商NAND搭配DRAM售出,但是NAND去年的缺貨帶來了DRAM的資產(chǎn)減值損失,根據(jù)公司公告2017年因此計提資產(chǎn)減值損失3307萬元。

我們認為考慮到DRAM持續(xù)缺貨的緊張態(tài)勢(今年大概率仍然缺),該部分業(yè)務(wù)幾乎確定性轉(zhuǎn)回,而公司一季度未充分體現(xiàn),因此帶來未來潛在業(yè)績增量空間。另外隨著公司24nm 自產(chǎn)NAND推出,容量提升至36Gb,以及合肥長鑫明年底產(chǎn)能上萬片,公司該項業(yè)務(wù)營收占比將大幅度提升,戰(zhàn)略意義凸顯。

(3)合肥506項目進展順利,百億級別利潤體量。

根據(jù)公開資料,合肥項目總投資1500億,三期打滿50萬片/月產(chǎn)能,一期對應(yīng)12.5萬片/月產(chǎn)能。目前進入量產(chǎn)準備階段,一切順利,預(yù)期7月份設(shè)備跑通,第一顆國內(nèi)自主可控19nm 8Gb DDR4今年產(chǎn)出!明年年底預(yù)計產(chǎn)能數(shù)萬片并順利推出LPDDR4,2020年規(guī)劃2廠,同時2021年開始更先進制程研發(fā)。506項目是真真正正面對著700億美金且不斷增長的DRAM市場!

按照一期總產(chǎn)能12.5萬片/月,單片4.6萬塊(1000die,單顆9美元,80%良率)來看對應(yīng)684億收入體量(漲價周期前對應(yīng)400億+),百億級別利潤體量。

而對于市場普遍關(guān)注的10%良率年底是否可以做到一事,我們的態(tài)度是肯定。無論是設(shè)計團隊還是制程團隊都是優(yōu)秀且富有經(jīng)驗的。同時合肥政府上下一心全力支持,朱總常駐合肥保證項目順利推進。

(4)公司是少數(shù)同時具有好業(yè)績和大格局的標的,繼續(xù)推薦。

我們看到了一季度業(yè)績略低于預(yù)期的情況(營收,經(jīng)營性業(yè)績強勁),也看到了一些微妙有趣的地方,但仍然給予樂觀的預(yù)期。在于公司基本面仍然堅挺以及合肥項目的高度可期。誠然,國內(nèi)fab廠建設(shè)具有有趣的中國特色,又有些許坎坷,但基于密切的產(chǎn)業(yè)鏈跟蹤和研究我們認為合肥長鑫可以做到。40年前日本做到了,30年前韓國做到了,我們大陸也可以做到。

對于公司業(yè)績,我們暫不改變?nèi)匀唤o予10億預(yù)期(經(jīng)營性業(yè)績8億+,思立微和資產(chǎn)減值損失轉(zhuǎn)會1億+),基于以下三點判斷:(1)公司大客戶導(dǎo)入將極大拉動NOR出貨,帶來營收穩(wěn)健成長,出貨/庫存比例18Q2開始迅速拉升。(2)SLC NAND Q3規(guī)模放量。(3)公司毛利率基本維持。

附錄長鑫睿力集成電路演講

演講人:王寧國(長鑫存儲技術(shù)有限公司董事長;睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官)

1. ? ?重要時間節(jié)點

2016年5月6日 項目啟動

2017年3月 開始一廠建設(shè)

2018年1月 一廠廠房建設(shè)完成

2018年1月 開始設(shè)備安裝

2018年底 8Gb DDR4工程樣品(編者注:即10%研發(fā)良率通過)

2020年 開始規(guī)劃二廠建設(shè)

2. ? ?2018專利計劃

截至2017年底,已申請專利354件,2018年計劃申請專利1155件:其中計劃申請元件專利126件、設(shè)計專利144件、成像專利224件。計劃至2018年底,申請專利數(shù)量總計達到1509件。

3. ? ?睿力自主開發(fā)關(guān)鍵技術(shù)項目

元件:自主開發(fā)元件模組規(guī)格

設(shè)計:設(shè)計新的修補線路(E-Fuse),產(chǎn)生自有專利

光罩:自主開發(fā)光學(xué)鄰近效應(yīng)修整(OPC, optical proximity correction)

制造:豐富工作經(jīng)驗的工程師做制程最佳化以快速提升良率,自主開發(fā)最有效率的IT系統(tǒng)(大數(shù)據(jù)分析)

測試:自主開發(fā)測試程式(low cost RDBI wafer flow)

4. ? ?全球DRAM黃金追趕期

行業(yè)寡占格局:DRAM市場被三星、海力士、美光三家公司壟斷進入寡占市場時代;寡占市場中行業(yè)享有類似寡頭的產(chǎn)品售價和毛利水平;近期DRAM廠商良好的盈利表現(xiàn)證明了這個趨勢

應(yīng)用多元化:DRAM已經(jīng)由僅限于個人電腦(PC)一個殺手應(yīng)用擴展到移動終端、服務(wù)器、高性能顯卡等多個大型應(yīng)用領(lǐng)域;多應(yīng)用市場顯著降低了市場需求波動或萎縮的風(fēng)險;新市場轉(zhuǎn)換階段有利于新的行業(yè)力量切入。

技術(shù)演進接近極限:20納米節(jié)點以后技術(shù)演進速度放緩;演進收益快速降低;領(lǐng)先廠商的優(yōu)勢明顯減弱。

5. ? ?總結(jié)

(1)經(jīng)過多年發(fā)展,中國集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)建立較完整技術(shù)體系,產(chǎn)業(yè)鏈培育和布局基本完成,如何實現(xiàn)“替代-創(chuàng)新-引領(lǐng)”的轉(zhuǎn)變是下階段創(chuàng)新工作的主要任務(wù);

(2)在創(chuàng)新發(fā)展上,需要“奇正相合”的戰(zhàn)略,一方面要在已有路徑上追趕,在市場上進行正面競爭;同時要尋求新的路徑和戰(zhàn)場,實現(xiàn)創(chuàng)新和引領(lǐng)。

(3)設(shè)計/代工和IDM模式要協(xié)同而非競爭,關(guān)鍵是如何發(fā)揮中國市場潛力,提供產(chǎn)品解決方案,進而改變?nèi)蚣呻娐樊a(chǎn)業(yè)格局。

(4)盡快彌補產(chǎn)業(yè)鏈短板(裝備、材料、軟件工具),是擺脫受制于人,實現(xiàn)長遠、可持續(xù)的自主創(chuàng)新發(fā)展的關(guān)鍵。這方面無論是政府還是企業(yè)都不能短視,不可僥幸,需要視野、格局、勇氣和擔(dān)當(dāng)。

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STM32內(nèi)部EEPROM的使用方法

STM32內(nèi)部的EEPROM其實是Flash模擬的,也就是會占用程序的存儲空間,下載的程序也放在這個....
發(fā)表于 2023-10-23 17:04? 70次閱讀
STM32內(nèi)部EEPROM的使用方法

氮化鎵第三代半導(dǎo)體材料,在消費電源市場得到廣泛應(yīng)...

隨著各大手機和筆記本電腦品牌紛紛進入氮化鎵快充市場,氮化鎵功率器件的性能得到進一步驗證,同時也加速了....
發(fā)表于 2023-10-23 16:38? 79次閱讀
氮化鎵第三代半導(dǎo)體材料,在消費電源市場得到廣泛應(yīng)...

BBCube3D以混合3D方法實現(xiàn)異構(gòu)集成

日本東京工業(yè)大學(xué)(Tokyo Tech)的研究人員開發(fā)了一種用于處理單元(processing un....
發(fā)表于 2023-10-23 16:22? 308次閱讀
BBCube3D以混合3D方法實現(xiàn)異構(gòu)集成

RFID技術(shù)在智能半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是我國重要的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),是一個需要高度協(xié)同的領(lǐng)域,需要各個環(huán)節(jié)的緊密配合。RFID技術(shù)....
發(fā)表于 2023-10-23 15:25? 53次閱讀
RFID技術(shù)在智能半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用

Chiplet需求飆升 為何chiplet產(chǎn)能無...

制造2D和2.5D multi-die的技術(shù)已存在了近十年。然而,在Generative AI時代來....
發(fā)表于 2023-10-23 15:11? 220次閱讀
Chiplet需求飆升 為何chiplet產(chǎn)能無...

基于啟明RA6M5的物聯(lián)網(wǎng)居家環(huán)境健康監(jiān)控設(shè)備設(shè)...

本項目實現(xiàn)了基于啟明RA6M5的《物聯(lián)網(wǎng)居家環(huán)境健康監(jiān)控設(shè)備》。項目以啟明RA6M5為主控,OLED....
發(fā)表于 2023-10-23 14:42? 57次閱讀
基于啟明RA6M5的物聯(lián)網(wǎng)居家環(huán)境健康監(jiān)控設(shè)備設(shè)...

功率放大器負載上限如何計算?如何選型?

功率放大器是一種在超聲測試、電磁測試、水下通信、生物測試、新型材料測試、半導(dǎo)體測試、擊穿測試等一眾研....
發(fā)表于 2023-10-23 13:51? 42次閱讀
功率放大器負載上限如何計算?如何選型?

Holtek新推出HT67F2452紅外線驅(qū)動A...

HT67F2452工作電壓為1.8V~5.5V,系統(tǒng)資源為8K×16 Flash ROM、512×8....
發(fā)表于 2023-10-23 11:32? 33次閱讀
Holtek新推出HT67F2452紅外線驅(qū)動A...

兆易創(chuàng)新推出基于RISC-V內(nèi)核的GD32VW5...

面向?qū)崟r處理和高效通信需求,GD32VW553系列MCU采用了全新的開源指令集架構(gòu)RISC-V處理器....
發(fā)表于 2023-10-23 11:22? 58次閱讀
兆易創(chuàng)新推出基于RISC-V內(nèi)核的GD32VW5...

講講嵌入式設(shè)備,如何防止被抄襲?

嵌入式設(shè)備被抄襲已是一種普遍現(xiàn)象,特別是在國內(nèi),在沒有形成技術(shù)壁壘之前,如何防止產(chǎn)品被抄襲是一個不可....
發(fā)表于 2023-10-23 10:48? 105次閱讀
講講嵌入式設(shè)備,如何防止被抄襲?

國產(chǎn)半導(dǎo)體自動物料搬運系統(tǒng)領(lǐng)軍企業(yè)成川科技完成A...

中科創(chuàng)星常務(wù)總經(jīng)理盧小保說:與國內(nèi)其他amhs制造企業(yè)相比,星天科技組結(jié)構(gòu)完善,有豐富的半導(dǎo)體天車系....
發(fā)表于 2023-10-23 10:17? 307次閱讀
國產(chǎn)半導(dǎo)體自動物料搬運系統(tǒng)領(lǐng)軍企業(yè)成川科技完成A...

動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的相關(guān)知識

本文將介紹芯片設(shè)計中動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的相關(guān)知識,包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備....
發(fā)表于 2023-10-23 10:07? 66次閱讀
動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的相關(guān)知識

合并在即,西部數(shù)據(jù)和鎧俠控股獲127億美元融資

被協(xié)是世界第三大閃存公司,西部數(shù)據(jù)公司第四位。目前正在推進的合并實體可能會達到和世界第一大企業(yè)三星電....
發(fā)表于 2023-10-23 10:07? 222次閱讀
合并在即,西部數(shù)據(jù)和鎧俠控股獲127億美元融資

品英Pickering將在第六屆中國國際進口博覽...

第六屆中國國際進口博覽會將于2023年11月5-10日在上海國家會展中心舉辦 ? 易開發(fā)、易部署、高....
發(fā)表于 2023-10-23 10:06? 36次閱讀
品英Pickering將在第六屆中國國際進口博覽...

基于STM32F407-LTC6804芯片的BM...

本文介紹2款基于STM32F407的以凌力爾特(linear)LTC6804芯片為主的BMS方案。2....
發(fā)表于 2023-10-23 09:58? 74次閱讀
基于STM32F407-LTC6804芯片的BM...

中穎電子:前三季度歸母凈利潤同比下滑67.95%

中穎電子表示,第三季度受產(chǎn)品市場價格變動的影響,公司計入庫存產(chǎn)品的降價損失增加,影響了利潤。由于公司....
發(fā)表于 2023-10-23 09:42? 169次閱讀
中穎電子:前三季度歸母凈利潤同比下滑67.95%

首爾半導(dǎo)體、Silicon Core簽署Micr...

首爾半導(dǎo)體與美國Silicon Core簽署Micro-LED專利許可協(xié)議。據(jù)推測,該合同的目的是加....
發(fā)表于 2023-10-23 09:19? 195次閱讀
首爾半導(dǎo)體、Silicon Core簽署Micr...

博捷芯劃片機:半導(dǎo)體芯片是如何封裝的?

半導(dǎo)體芯片的封裝是指將芯片內(nèi)部的電路通過引腳、導(dǎo)線、焊盤等連接起來,并保護芯片免受外部環(huán)境的影響,同....
發(fā)表于 2023-10-23 08:38? 82次閱讀
博捷芯劃片機:半導(dǎo)體芯片是如何封裝的?

【即將召開】半導(dǎo)體光電及激光智能制造技術(shù)會議

江蘇·蘇州半導(dǎo)體光電及激光智能制造技術(shù)會議2023年10月27-28日西交利物浦國際會議中心會議背景....
發(fā)表于 2023-10-23 08:28? 97次閱讀
【即將召開】半導(dǎo)體光電及激光智能制造技術(shù)會議

臺積電再度突破硅光芯片技術(shù)!華為彎道超車計劃將要...

近日,臺積電再次宣布一項重大突破,這一消息引發(fā)了全球科技領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。這次突破涉及硅光芯片技術(shù),被....
發(fā)表于 2023-10-22 16:03? 503次閱讀
臺積電再度突破硅光芯片技術(shù)!華為彎道超車計劃將要...

總投資60億元,又一半導(dǎo)體項目封頂!

MLED是新一代顯示技術(shù),MLED顯示產(chǎn)業(yè)是國家“十四五”規(guī)劃中支持發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)。婁底半導(dǎo)體顯示新....
發(fā)表于 2023-10-22 15:22? 390次閱讀
總投資60億元,又一半導(dǎo)體項目封頂!

總投資10個億!簽約!年產(chǎn)六萬顆,正齊半導(dǎo)體落地

馬來西亞正齊集團CEO胡光榮表示,非常榮幸能夠在杭州蕭山建設(shè)第三代半導(dǎo)體模塊封裝工廠,這是我們集團響....
發(fā)表于 2023-10-22 15:11? 403次閱讀
總投資10個億!簽約!年產(chǎn)六萬顆,正齊半導(dǎo)體落地

智融科技“移動電源SOC集成快充協(xié)議芯片”榮獲廣...

經(jīng)過前期的遴選,廣東省工業(yè)和信息化廳發(fā)布了《2022年廣東省級制造業(yè)單項冠軍企業(yè)(產(chǎn)品)名單》,珠海....
發(fā)表于 2023-10-22 14:18? 291次閱讀
智融科技“移動電源SOC集成快充協(xié)議芯片”榮獲廣...

一文了解分子束外延(MBE)技術(shù)

HVPE主要是利用生長過程中的化學(xué)反應(yīng),如歧化反應(yīng)、化學(xué)還原反應(yīng)以及熱分解反應(yīng)等實現(xiàn)外延晶體薄膜的制....
發(fā)表于 2023-10-22 10:41? 118次閱讀
一文了解分子束外延(MBE)技術(shù)

近年來國內(nèi)PLC技術(shù)的進展和市場發(fā)展展望

當(dāng)上世紀80年代PLC進入我國的時候,PLC編程語言的國際標準IEC 61131-3(那時被命名為I....
發(fā)表于 2023-10-22 09:30? 301次閱讀
近年來國內(nèi)PLC技術(shù)的進展和市場發(fā)展展望

基于單片機的電感電容測量裝置設(shè)計

2023電賽C題要求做一個電感電容測量裝置,原本使用FPGA可以很好解決,但是賽題限制必須使用TI的....
發(fā)表于 2023-10-21 17:15? 147次閱讀
基于單片機的電感電容測量裝置設(shè)計

三極管的工作狀態(tài)

全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號放....
發(fā)表于 2023-10-21 11:21? 85次閱讀
三極管的工作狀態(tài)

二極管的種類

二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、鍺等)制成的一種電子器件 在PN結(jié)上加上封裝和引線。它具有單向?qū)щ娦阅埽?....
發(fā)表于 2023-10-21 11:19? 73次閱讀
二極管的種類

PN結(jié)的形成和單向?qū)щ娦栽斀?/a>

PN結(jié)的形成和單向?qū)щ娦栽斀? /></a></div><div   id=

全球半導(dǎo)體格局悄然生變

過去幾十年來,半導(dǎo)體制造由中國大陸、韓國和中國臺灣三個地區(qū)主導(dǎo),2021年這三個地區(qū)共計占全球市場的....
發(fā)表于 2023-10-21 08:11? 174次閱讀
全球半導(dǎo)體格局悄然生變

笙泉MCU在儲能電源中的作用(3): 戶外儲能逆變器

笙泉MCU在儲能電源中的作用(3): 戶外儲能逆變器 儲能電源結(jié)構(gòu)儲能電源拆解后可以分為三塊功能板:前面板、BM...
發(fā)表于 2023-07-31 15:18? 126次閱讀
笙泉MCU在儲能電源中的作用(3): 戶外儲能逆變器

USB口或TYPE-C有負載插入時怎么樣能出來一個高低電平通知MCU?

各位高手,請教一個問題。就USB口或TYPE-C有負載插入時怎么樣能出來一個高低電平通知MCU,有什么電路實現(xiàn)。...
發(fā)表于 2023-07-31 14:20? 2039次閱讀
USB口或TYPE-C有負載插入時怎么樣能出來一個高低電平通知MCU?

求助,NUC029LAN這塊芯片可以超頻嗎?

最近想用NUC029LAN這塊MCU,但是主頻只有50M,有點低了,不知是否可以像ST那樣進行超頻,如果可以,能超多...
發(fā)表于 2023-06-28 08:49? 1898次閱讀
求助,NUC029LAN這塊芯片可以超頻嗎?

如何讀寫MCU FALSH?

我要直接讀寫新唐MCU FALSH,我現(xiàn)在用的MCU是Part number: M453VG6AE 各位朋友,有相關(guān)的代碼可以參...
發(fā)表于 2023-06-28 07:30? 1263次閱讀
如何讀寫MCU FALSH?

CW32L083不同主頻功耗測試

本文主要介紹CWL083VCT6芯片在不同主頻下的功耗測試方法和測試結(jié)果。 1.HSIOSC時鐘 HSIOSC 時鐘由內(nèi)...
發(fā)表于 2023-06-27 16:17? 389次閱讀
CW32L083不同主頻功耗測試

新唐8位單片機MS51FB9AE替換N76E003AT20有什么注意事項?

MS51FB9AE目前是一個很新、高性價比的51 MCU芯片N76E003AT20 也是熱門的單片機,但升級版的MS51FB9A...
發(fā)表于 2023-06-27 13:50? 1092次閱讀
新唐8位單片機MS51FB9AE替換N76E003AT20有什么注意事項?

請問MCU硬件延時和軟件延時有什么區(qū)別?

在嵌入式項目中,軟件開發(fā)基本上都會使用到延時,那么,該用軟件延時還是硬件延時?它們又有什么區(qū)別呢?...
發(fā)表于 2023-06-27 11:33? 1261次閱讀
請問MCU硬件延時和軟件延時有什么區(qū)別?

GD32VF103V-EVAL開發(fā)板debug問題求助

使用GD32VF103V-EVAL開發(fā)板debug時報了下面錯誤,哪位大哥能指點一下,不勝感激! ...
發(fā)表于 2023-06-27 10:06? 379次閱讀
GD32VF103V-EVAL開發(fā)板debug問題求助

MCU是不是可以任意IO都可以更新HEX?

請問理論上,MCU是不是可以任意IO都可以更新HEX? ...
發(fā)表于 2023-06-27 07:48? 299次閱讀
MCU是不是可以任意IO都可以更新HEX?

求分享新唐M4內(nèi)核單片機的SWD燒錄協(xié)議

現(xiàn)成的都不滿足需求,以前一直都是自己寫上位機燒錄軟件,要根據(jù)MCU唯一ID對HEX文件處理后再燒錄,每個芯片都...
發(fā)表于 2023-06-27 06:42? 36次閱讀
求分享新唐M4內(nèi)核單片機的SWD燒錄協(xié)議