1.?導讀
鉛鹵鈣鈦礦納米晶(PeNCs)由于具有熒光量子產率高,帶隙可調,成本低廉,光電性能優(yōu)異以及易于制備等特點,引起了廣泛的關注。近幾年,基于鈣鈦礦的發(fā)光二極管(LED)發(fā)展迅速,成為了低成本、溶液制備固態(tài)照明的候選者。
鈣鈦礦基白光LED可以通過堆疊具有互補發(fā)射顏色的納米晶薄膜獲得。然而,鹵素離子的偏析和離子交換導致這種LED的器件結構復雜,且存在顏色不穩(wěn)定的問題。所以,需要開發(fā)新的思路和技術制備白光LED。 ?
一種利用鑭系(Ln3+)離子摻雜CsPbCl3PeNCs制備白光鈣鈦礦LED的新方法證明了全面和普遍的通過單組分Ln3+離子摻雜PeNCs實現(xiàn)高效穩(wěn)定的白光LED的策略,為開發(fā)低成本、簡單的白光鈣鈦礦LED提供了最佳解決方案。 ? ?
2. 研究背景
照明在人們的日常生活中占有重要地位,開發(fā)具有低成本、節(jié)能、照明效果好的照明產品將是迫切需要的。由于鈣鈦礦優(yōu)異的光電性能,鈣鈦礦基白光LED在材料制備和器件結構設計上也取得了顯著進展,在低成本、高質量照明技術方面顯示出巨大的發(fā)展?jié)摿Α??
離子摻雜被認為是調控納米晶的電學、磁學和光學性能的一種有效途徑。Ln3+離子摻雜CsPbCl3鈣鈦礦,通過激子向Ln3+離子的4f或5d能級進行能量傳遞,從而產生Ln3+的特有發(fā)射,有望實現(xiàn)單組分PeNCs白光發(fā)射。然而,由于PeNC宿主向Ln3+離子的能量傳遞效率較低,以及存在相當大的非輻射弛豫,導致了Ln3+離子對光致發(fā)光(PL)的貢獻很小,在電致發(fā)光(EL)器件中很難被觀察到。
因此,提高PeNC宿主向Ln3+離子的能量傳遞效率至關重要。此外,眾所周知,半導體納米晶的表面狀態(tài)一直是決定其光學和電學性質及其應用的主要因素。油酸和油胺是合成PeNCs中應用最廣泛的表面配體,它們在納米晶表面的結合能力較差,對于獲得穩(wěn)定高效EL是一種阻礙。因此,通過引入結合能力更強的配體來鈍化缺陷是提高PeNCs性能的一種重要途徑。
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圖1 不同Ln3+離子摻雜CsPbCl3納米晶的發(fā)射譜。 ?
3.?創(chuàng)新研究
根據(jù)F?rster-Dexter理論,考慮到Ln3+離子不同的4f電子構型,需要調節(jié)鈣鈦礦宿主的帶隙以與Ln3+離子的能級匹配,增加能量傳遞效率,從而增強Ln3+離子在發(fā)光中的貢獻。本研究中,以銪離子為典型例子進行能帶調控。根據(jù)銪離子的4f能級,Eu3+的5L6能級位于基態(tài)7F0?(394 nm) 以上的3.1 eV能量左右,而未經修飾的CsPbCl3?納米晶的激子發(fā)射位于3.0 eV左右(410 nm),導致激子能量與Eu3+的7F0-5L6躍遷不匹配。
離子的摻雜可以調節(jié)晶格距離,使晶格常數(shù)減小,從而增大帶隙。在此,少量鉀離子被引入到鈣鈦礦晶格中來調節(jié)宿主帶隙,得到了高效的銪離子的發(fā)光。同時,基于F?rster能量傳遞公式,在理論上和實驗室均證明了鉀離子的引入提高了能量傳遞效率。
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圖2?a?Ln3+離子摻雜CsPbCl3?基LED結構的原理圖和能級圖。
b,c 不同K+離子濃度下,Eu3+摻雜CsPbCl3納米晶的帶隙和相應的熒光量子效率,能量傳遞效率。d 理論和實驗上激子中心波長-積分重疊面積的依賴關系曲線。 ?
PeNC膠體溶液在成膜時由于粒子聚集和表面缺陷態(tài)的存在,在形成薄膜后樣品的PLQY會降低很多。因此,我們追求清除NC表面的未配位的位點,以提高薄膜的性能。在機體中,磷酸肌酸是補充三磷酸腺苷的能量儲備劑,適當?shù)难a充還可以提高機體的免疫力。
磷酸肌酸是一種多功能配體,既包含路易斯堿官能團(P=O, C=O),也包含質子基團(-OH),具有有效的缺陷鈍化能力。類似于人體的特異性免疫,P=O和C=O與Pb2+特異性配位, -OH基團與Cl-離子形成氫鍵,都可以治愈PeNC表面的缺陷。
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圖3?磷酸肌酸鈍化鈣鈦礦納米晶的原理圖。
因此,在帶隙調制的基礎上,我們還對Ln3+摻雜的PeNCs進行了磷酸肌酸后處理,并制備了LED器件。在電場作用下,基于Ln3+離子摻雜PeNCs的鈣鈦礦LED的電極上產生載流子,并通過載流子傳輸層傳輸?shù)接性磳雍蚅n3+誘導的缺陷態(tài)上,隨后輻射復合發(fā)射光子,分別產生PeNC宿主和缺陷的EL。
另外,得益于激子與Ln3+離子上能級之間能量的完美匹配,有源層中的部分激子向Ln3+離子的上能級發(fā)生能量傳遞,然后通過非輻射弛豫到發(fā)射能級,從而產生了Ln3+離子的EL。
圖4 a基于無鈍化和帶鈍化pps的LED結構。從圖中可以看出,磷酸肌酸可以鈍化缺陷,缺陷可以捕獲載流子(如空穴、電子),減少激子復合,從而降低器件性能。b 基于Ln3+摻雜PeNCs的LED可能的EL機制。 ? ?
4. 應用與展望
這種寬帶隙混合A位的Ln3+摻雜CsxK1-xPbCl3?PeNCs的方法,寬帶隙PeNC宿主能夠保證激子向Ln3+離子的有效能量傳遞(以Eu3+作為典型例子進行研究)。為了克服膠體溶液旋涂成薄膜的效率損失,我們用磷酸肌酸鈍化了PeNCs, 該分子與表面Pb2+陽離子和Cl-陰離子有很強的結合能力。以不同Eu3+摻雜濃度的改性PeNCs作為有源層制備了高效、光譜穩(wěn)定的LED。由于CsPbCl3鈣鈦礦宿主向Eu3+離子的高效能量轉移,制備的LED具有從藍色到橙色可調的EL。 ?
最重要的是,基于Eu3+?(3.5 mol%)摻雜K0.15Cs0.85PbCl3?PeNCs的LED實現(xiàn)了單組分白光發(fā)射,其峰值EQE為5.4%,在單組分鈣鈦礦基白光LED中表現(xiàn)出了相當優(yōu)異的性能。此外,利用帶隙調控和缺陷鈍化的方法,實現(xiàn)了基于Ce3+、Er3+、Sm3+離子摻雜PeNCs的LED器件。
本工作展示了單組分Ln3+離子摻雜鈣鈦礦在實現(xiàn)高效穩(wěn)定白光LED方面的優(yōu)勢,為開發(fā)低成本、結構簡單的鈣鈦礦白光LED提供了最佳方案。 轉載內容僅代表作者觀點 不代表中科院半導體所立場。
審核編輯:劉清