多晶硅發(fā)射極晶體管,多晶硅發(fā)射極晶體管是什么意思

多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，如這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。

多晶硅是用于太陽能電池、半導(dǎo)體、液晶顯示屏等方面的重要材料..而摻雜的多晶硅膜則可用作雙極晶體管的發(fā)射極和MOS器件的柵極.用重?fù)诫s多晶硅作為CMOS晶體管的柵極和NPN晶體管的發(fā)射極，可以獲得較薄的結(jié)深，減小柵極和發(fā)射極的寄生參數(shù)，從而提高器件的速度性能。采用薄柵氧化層（35 nm）和柵與源漏的自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，減小器件的寄生參數(shù)，獲得更高性能的CMOS晶體管。

獲得多晶硅膜的方法很多,在半導(dǎo)體器件和集成電路工藝中,低壓氣相淀積(LPCVD)是一種重要的方法.LPCVD是用加熱的方式在低壓(50-133Pa)條件下使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并淀積,形成穩(wěn)定固體薄膜如多晶硅、氮化硅、氧化硅等，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路、電力電子、光電子及MEMS等行業(yè)的生產(chǎn)工藝中。

采用多晶硅發(fā)射極雙極工藝，可以提高晶體管的電流增益，減小管子上升和下降時(shí)延，改善其頻率特性。而采用離子注入砷摻雜多晶硅作為砷摻雜發(fā)射極擴(kuò)散源技術(shù)改善晶體管性能。國外現(xiàn)代高頻和微波功率晶體管已普遍采用多晶硅發(fā)射極來提高其性能和可靠性. 結(jié)果表明多晶硅發(fā)射極晶體管具有較高的發(fā)射效率，高的電流能力，改善了EB擊穿和CB擊穿。上圖是集成電路中的多晶硅發(fā)射極晶體管的結(jié)構(gòu)圖.