用一定的工藝方法將兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體結(jié)合在一起，由于界面兩側(cè)載流子濃度不同麗產(chǎn)生載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。P型區(qū)空穴向N型區(qū)擴(kuò)散，N型區(qū)自由電子向P型區(qū)擴(kuò)散。在邊界兩側(cè)兩種載流子產(chǎn)生復(fù)合，形成帶正電和負(fù)電的離子。它們不能移動(dòng)，而在邊界麗側(cè)形成空間電荷區(qū)，稱為PN結(jié)?？臻g電荷區(qū)的特性：

（1）區(qū)內(nèi)正、負(fù)離子帶電而不能移動(dòng)，載流子因復(fù)合而數(shù)量很少，因此電阻率很離，故稱耗盡層；

（2）正、負(fù)離子形成的內(nèi)電場(chǎng)阻止多予繼續(xù)擴(kuò)散，故又稱阻擋層；

（3）內(nèi)電場(chǎng)對(duì)少子有吸引作用，形成少予的逆向運(yùn)動(dòng)，稱為漂移；

（4）在沒(méi)有外電場(chǎng)作用時(shí)，當(dāng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，兩側(cè)間沒(méi)有電流，空間電荷區(qū)厚度一定。

PN結(jié)正偏時(shí)導(dǎo)通，呈現(xiàn)很小的電阻，形成較大的正向電流；PN結(jié)反偏時(shí)截止，呈現(xiàn)很大的電阻，反向電流近似為零。

通常的說(shuō)法是在不加外電壓時(shí)，這個(gè)PN結(jié)中P區(qū)的多子是空穴，N區(qū)的多子是電子（通常只考慮多子），因?yàn)闈舛炔?，載流子必然向濃度低的方向擴(kuò)散。在擴(kuò)散前，P區(qū)與N區(qū)的正負(fù)電荷是相等的，呈電中性。當(dāng)P區(qū)空穴向N區(qū)移動(dòng)時(shí)，就在PN結(jié)邊界處留下了不能移動(dòng)的負(fù)離子，用帶藍(lán)圈的負(fù)電荷表示； 當(dāng)N區(qū)自由電子向P區(qū)移動(dòng)時(shí)， 就在PN結(jié)邊界處留下了不能移動(dòng)的正離子，用帶紅圈的正電荷表示，這樣就在空間電荷區(qū)內(nèi)產(chǎn)生了一個(gè)內(nèi)建電場(chǎng)Upn，電場(chǎng)的方向是由N區(qū)指向P區(qū)的。

在擴(kuò)散作用下隨著Upn增大，載流子受到電場(chǎng)力Upn的作用而做漂移運(yùn)動(dòng)，它的方向與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)相反，最終使載流子擴(kuò)散與漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，形成了空間電荷區(qū)，如圖3所示。

當(dāng)外加正向偏壓時(shí)，電源E提供大量的空穴和電子，E的電場(chǎng)方向與Upn的電場(chǎng)方向相反，空間電荷區(qū)被兩種載流子復(fù)合而消弱變窄，載流子容易通過(guò)擴(kuò)散加強(qiáng)，呈現(xiàn)低阻狀態(tài)。

當(dāng)外加反向偏壓時(shí)，它的電場(chǎng)方向與Upn的電場(chǎng)方向一致，空間電荷區(qū)被增厚變寬，載流子不易通過(guò)擴(kuò)散減弱，呈現(xiàn)高阻狀態(tài)。此時(shí)僅有兩側(cè)的少子，也就是N區(qū)的空穴和P區(qū)的電子在Upn電場(chǎng)力作用下做漂移運(yùn)動(dòng)，形成較小的反向飽和電流IS，直至擊穿為止，其電流按二極管方程規(guī)律變化，這就是PN結(jié)的單向?qū)щ娦栽怼?/p>

PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/h2>

PN結(jié)加正向電壓（正向接法、正向偏置）

PN結(jié)加正向電壓導(dǎo)通：

耗盡層變窄，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加劇，由于外電源的作用，形成擴(kuò)散電流，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。

PN結(jié)加反向電壓（反向接發(fā)、反向偏置）

PN結(jié)加反向電壓截止：

耗盡層變寬，阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，有利于漂移運(yùn)動(dòng)，形成漂移電流。由于電流很小，故可近似認(rèn)為其截止。