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原文標(biāo)題:半導(dǎo)體知識(shí):PVD金屬沉積制程講解
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`半導(dǎo)體制程簡(jiǎn)介微機(jī)電制作技術(shù),尤其是最大宗以硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的微細(xì)加工技術(shù)(silicon- based micromachining),原本就肇源于半導(dǎo)體組件的制程技術(shù),所以必須先介
發(fā)表于 08-28 11:55
的積體電路所組成,我們的晶圓要通過(guò)氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù),所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個(gè)元器件的電性參數(shù)和性能,那么他的原理又是
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在半導(dǎo)體組件工業(yè)中,為了對(duì)所使用的材料賦與某種特性,在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用,假如
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微機(jī)電制作技術(shù),尤其是最大宗以硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的微細(xì)加工技術(shù)(silicon- based micromachining),原本就肇源于半導(dǎo)體組件的制程技術(shù),所以必須先介紹清楚這類(lèi)制程。
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本篇要講的金屬布線(xiàn)工藝,與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨(dú)立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中,光刻、刻蝕等工藝,其實(shí)是為了金屬布線(xiàn)才進(jìn)行的。在金屬布
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。 PVD 沉積工藝在半導(dǎo)體制造中用于為各種邏輯器件和存儲(chǔ)器件制作超薄、超純金屬和過(guò)渡金屬氮化物薄膜。最常見(jiàn)的
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在前幾篇文章(點(diǎn)擊查看),我們一直在借用餅干烘焙過(guò)程來(lái)形象地說(shuō)明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說(shuō)到,為制作巧克力夾心,需通過(guò)“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分,然后倒入巧克力糖漿,再蓋上一層餅干層。“倒入巧克力糖漿”和“蓋上餅干層”的過(guò)程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“
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半導(dǎo)體技術(shù)在當(dāng)今社會(huì)已成為高科技產(chǎn)品的核心,而在半導(dǎo)體制造的各個(gè)環(huán)節(jié)中,銅憑借其出色的性能特點(diǎn),已成為眾多工藝應(yīng)用的關(guān)鍵材料。在半導(dǎo)體領(lǐng)域中,銅主要被用于制造互連線(xiàn)路。在傳統(tǒng)的互連制造中,銅通常被用作通過(guò)化學(xué)氣相淀積(CVD)或
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