制造年會(huì)如火如荼地進(jìn)行，滿滿干貨讓人應(yīng)接不暇。高峰論壇的演講仿佛還在耳畔，又有兩場專題演講向大家襲來。

華虹三廠副廠長康軍和華虹宏力技術(shù)研發(fā)總監(jiān)楊繼業(yè)為大家?guī)砹耸裁淳蕛?nèi)容呢？一起來看看吧！

2017制造年會(huì)現(xiàn)場新聞速遞 9月27日上午，華虹三廠副廠長康軍以“高可靠性的嵌入式存儲(chǔ)器工藝技術(shù)”為題，向各位參會(huì)嘉賓介紹了華虹宏力的當(dāng)家工藝。華虹宏力擁有SONOS Flash和SuperFlash技術(shù)，以及eFlash+高壓和eFlash+射頻（RF）兩個(gè)衍生工藝平臺(tái)，技術(shù)節(jié)點(diǎn)涵蓋0.18微米到90納米。同時(shí)還可為客戶提供高性能、高密度的標(biāo)準(zhǔn)單元庫，并可根據(jù)不同需求為客戶定制高速度、低功耗、超低靜態(tài)功耗的嵌入式閃存IP、嵌入式電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）IP，可幫助客戶減小低功耗設(shè)計(jì)難度，搶占市場先機(jī)。

康軍副廠長詳細(xì)介紹了華虹宏力SONOS存儲(chǔ)模塊特征參數(shù)，有力論證了其在高溫下優(yōu)良的耐久性和數(shù)據(jù)保持能力，以及在-40℃ ~ 85℃寬溫范圍內(nèi)良好的寫干擾性能。康軍副廠長自豪地表示：“基于SONOS EEPROM平臺(tái)制造的金融IC卡芯片，已通過EMVCo、CC EAL5+、萬事達(dá)CQM等多項(xiàng)國際權(quán)威認(rèn)證，證明了我們的金融IC卡芯片工藝及安全管理系統(tǒng)已達(dá)到國際先進(jìn)水平?！盨ONOS存儲(chǔ)器工藝中還可嵌入高壓器件，目前，華虹宏力32V和12V/15V的HV CMOS以及14~40V的LDMOS均已處于大量出貨狀態(tài)。

緊接著，康軍副廠長指出嵌入式閃存正在向電壓更低，光罩更少、存儲(chǔ)單元更小的方向演變。華虹宏力的Floating gate（浮柵型） eFlash和SONOS eFlash在數(shù)據(jù)保持能力及耐久性上，均有優(yōu)異表現(xiàn)，而自主開發(fā)的極具競爭力的90納米NORD eFlash在這兩方面甚至表現(xiàn)出了更高的可靠性。此外，華虹宏力還專為物聯(lián)網(wǎng)打造了0.11微米eFlash超低功耗技術(shù)平臺(tái)，提供整合射頻、高性能閃存的同時(shí)，兼顧了低功率、低成本的優(yōu)勢。

華虹宏力將鞏固在嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域的世界領(lǐng)先地位，竭誠為客戶提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)。

9月27日下午，華虹宏力技術(shù)研發(fā)總監(jiān)楊繼業(yè)發(fā)表技術(shù)演講“深耕卓越IGBT技術(shù)，智造綠色‘芯’未來”，與大家分享了華虹宏力功率技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展方向。

華虹宏力是全球首家、最大的功率器件8英寸代工廠，早在2001年，華虹宏力就開始了Trench MOSFET代工業(yè)務(wù)。研發(fā)人員持續(xù)攻關(guān)，于2011年成功開發(fā)了深溝槽超級結(jié)（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）技術(shù)平臺(tái)，這個(gè)革命性的突破也標(biāo)志著華虹宏力成為世界第一家提供 DT-SJ解決方案的晶圓代工廠。2013年，基于溝槽結(jié)構(gòu)的600V-1200V非穿通型和場截止型（Field Stop，F(xiàn)S）IGBT的量產(chǎn)也大獲成功。今年年初，又推出了第三代DT-SJ 平臺(tái)。

楊繼業(yè)總監(jiān)強(qiáng)調(diào)，“華虹宏力現(xiàn)擁有MOSFET/DT-SJ/IGBT技術(shù)，可提供從低電壓至高電壓應(yīng)用的完整解決方案?！苯刂怪?017年6月，華虹宏力功率器件平臺(tái)累計(jì)出貨量已突破500萬片晶圓，其中DT-SJ出貨超過25萬片，IGBT超過5萬片。

IGBT被譽(yù)為“功率半導(dǎo)體皇冠”，在綠色能源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)和新能源汽車等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊。目前，華虹宏力戰(zhàn)略性地專注于LPT（Light Punch-Through）和 FS IGBT技術(shù)，且擁有大陸最全、最先進(jìn)的全套IGBT背面制程代工技術(shù)。通過設(shè)備升級、改造，華虹宏力成功配置了一整套IGBT超薄片（可生產(chǎn)至60微米薄片）背面工藝/測試生產(chǎn)線，成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。配合獨(dú)特的激光退火工藝用于背面注入雜質(zhì)激活，大大提高了背面注入雜質(zhì)的激活率。

功率器件性能的改變不僅表現(xiàn)在能量變換效率的提升，而且表現(xiàn)在系統(tǒng)裝置能量處理能力上——功率密度的提升，此指標(biāo)平均每4年就提升1倍，被業(yè)界稱為“功率電子領(lǐng)域的摩爾定律”。楊繼業(yè)總監(jiān)表示：“華虹宏力研發(fā)團(tuán)隊(duì)也正加速研發(fā)1700V以上超高壓IGBT技術(shù)，向更高電壓、更大電流等級和大功率進(jìn)發(fā)，以期在新能源及工業(yè)市場一展身手?！?/p>

此外，楊繼業(yè)總監(jiān)還受邀參加了“IGBT先進(jìn)制造-面臨機(jī)遇和挑戰(zhàn)圓桌論壇”，與多位IGBT專家展開了頭腦風(fēng)暴。