來(lái)自人體、環(huán)境甚至電子設(shè)備內(nèi)部的靜電對(duì)于精密的半導(dǎo)體芯片會(huì)造成各種損傷，例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層；損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極；CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死；短路反偏的PN結(jié)；短路正向偏置的PN結(jié)；熔化有源器件內(nèi)部的焊接線(xiàn)或鋁線(xiàn)。為了消除靜電釋放(ESD)對(duì)電子設(shè)備的干擾和破壞，需要采取多種技術(shù)手段進(jìn)行防范。

在PCB板設(shè)計(jì)時(shí)，可以通過(guò)分層、恰當(dāng)?shù)牟季植季€(xiàn)和安裝實(shí)現(xiàn)PCB的抗ESD設(shè)計(jì)。在設(shè)計(jì)過(guò)程中，通過(guò)預(yù)測(cè)可以將絕大多數(shù)設(shè)計(jì)修改僅限于增減元器件。通過(guò)調(diào)整PCB布局布線(xiàn)，能夠很好地防范ESD。

1、盡可能使用多層PCB，相對(duì)于雙面PCB而言，地平面和電源平面，以及排列緊密的信號(hào)線(xiàn)-地線(xiàn)間距能夠減小共模阻抗和感性耦合，使之達(dá)到雙面PCB的1/10到1/100。盡量地將每一個(gè)信號(hào)層都緊靠一個(gè)電源層或地線(xiàn)層。對(duì)于頂層和底層表面都有元器件、具有很短連接線(xiàn)以及許多填充地的高密度PCB，可以考慮使用內(nèi)層線(xiàn)。

2、對(duì)于雙面PCB來(lái)說(shuō)，要采用緊密交織的電源和地柵格。電源線(xiàn)緊靠地線(xiàn)，在垂直和水平線(xiàn)或填充區(qū)之間，要盡可能多地連接。一面的柵格尺寸小于等于60mm，如果可能，柵格尺寸應(yīng)小于13mm。

3、確保每一個(gè)電路盡可能緊湊。

4、盡可能將所有連接器都放在一邊。

5、如果可能，將電源線(xiàn)從卡的中央引入，并遠(yuǎn)離容易直接遭受ESD影響的區(qū)域。

6、在引向機(jī)箱外的連接器(容易直接被ESD擊中)下方的所有PCB層上，要放置寬的機(jī)箱地或者多邊形填充地，并每隔大約13mm的距離用過(guò)孔將它們連接在一起。

7、在卡的邊緣上放置安裝孔，安裝孔周?chē)脽o(wú)阻焊劑的頂層和底層焊盤(pán)連接到機(jī)箱地上。

8、PCB裝配時(shí)，不要在頂層或者底層的焊盤(pán)上涂覆任何焊料。使用具有內(nèi)嵌墊圈的螺釘來(lái)實(shí)現(xiàn)PCB與金屬機(jī)箱/屏蔽層或接地面上支架的緊密接觸。

9、在每一層的機(jī)箱地和電路地之間，要設(shè)置相同的“隔離區(qū)”；如果可能，保持間隔距離為0.64mm。

10、在卡的頂層和底層靠近安裝孔的位置，每隔100mm沿機(jī)箱地線(xiàn)將機(jī)箱地和電路地用1.27mm寬的線(xiàn)連接在一起。與這些連接點(diǎn)的相鄰處，在機(jī)箱地和電路地之間放置用于安裝的焊盤(pán)或安裝孔。這些地線(xiàn)連接可以用刀片劃開(kāi)，以保持開(kāi)路，或用磁珠/高頻電容的跳接。

11、如果電路板不會(huì)放入金屬機(jī)箱或者屏蔽裝置中，在電路板的頂層和底層機(jī)箱地線(xiàn)上不能涂阻焊劑，這樣它們可以作為ESD電弧的放電極。

12、要以下列方式在電路周?chē)O(shè)置一個(gè)環(huán)形地：

(1)除邊緣連接器以及機(jī)箱地以外，在整個(gè)外圍四周放上環(huán)形地通路。

(2)確保所有層的環(huán)形地寬度大于2.5mm。

(3)每隔13mm用過(guò)孔將環(huán)形地連接起來(lái)。

(4)將環(huán)形地與多層電路的公共地連接到一起。

(5)對(duì)安裝在金屬機(jī)箱或者屏蔽裝置里的雙面板來(lái)說(shuō)，應(yīng)該將環(huán)形地與電路公共地連接起來(lái)。不屏蔽的雙面電路則應(yīng)該將環(huán)形地連接到機(jī)箱地，環(huán)形地上不能涂阻焊劑，以便該環(huán)形地可以充當(dāng)ESD的放電棒，在環(huán)形地(所有層)上的某個(gè)位置處至少放置一個(gè)0.5mm寬的間隙，這樣可以避免形成一個(gè)大的環(huán)路。信號(hào)布線(xiàn)離環(huán)形地的距離不能小于0.5mm。

13、在能被ESD直接擊中的區(qū)域，每一個(gè)信號(hào)線(xiàn)附近都要布一條地線(xiàn)。

14、I/O電路要盡可能靠近對(duì)應(yīng)的連接器。

15、對(duì)易受ESD影響的電路，應(yīng)該放在靠近電路中心的區(qū)域，這樣其他電路可以為它們提供一定的屏蔽作用。

16、通常在接收端放置串聯(lián)的電阻和磁珠，而對(duì)那些易被ESD擊中的電纜驅(qū)動(dòng)器，也可以考慮在驅(qū)動(dòng)端放置串聯(lián)的電阻或磁珠。

17、通常在接收端放置瞬態(tài)保護(hù)器。用短而粗的線(xiàn)(長(zhǎng)度小于5倍寬度，最好小于3倍寬度)連接到機(jī)箱地。從連接器出來(lái)的信號(hào)線(xiàn)和地線(xiàn)要直接接到瞬態(tài)保護(hù)器，然后才能接電路的其他部分。

18、在連接器處或者離接收電路25mm的范圍內(nèi)，要放置濾波電容。

(1)用短而粗的線(xiàn)連接到機(jī)箱地或者接收電路地(長(zhǎng)度小于5倍寬度，最好小于3倍寬度)。

(2)信號(hào)線(xiàn)和地線(xiàn)先連接到電容再連接到接收電路。

19、要確保信號(hào)線(xiàn)盡可能短。

20、信號(hào)線(xiàn)的長(zhǎng)度大于300mm時(shí)，一定要平行布一條地線(xiàn)。

21、確保信號(hào)線(xiàn)和相應(yīng)回路之間的環(huán)路面積盡可能小。對(duì)于長(zhǎng)信號(hào)線(xiàn)每隔幾厘米便要調(diào)換信號(hào)線(xiàn)和地線(xiàn)的位置來(lái)減小環(huán)路面積。

22、從網(wǎng)絡(luò)的中心位置驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)入多個(gè)接收電路。

23、確保電源和地之間的環(huán)路面積盡可能小，在靠近集成電路芯片每一個(gè)電源管腳的地方放置一個(gè)高頻電容。

24、在距離每一個(gè)連接器80mm范圍以?xún)?nèi)放置一個(gè)高頻旁路電容。

25、在可能的情況下，要用地填充未使用的區(qū)域，每隔60mm距離將所有層的填充地連接起來(lái)。

26、確保在任意大的地填充區(qū)(大約大于25mm*6mm)的兩個(gè)相反端點(diǎn)位置處要與地連接。

27、電源或地平面上開(kāi)口長(zhǎng)度超過(guò)8mm時(shí)，要用窄的線(xiàn)將開(kāi)口的兩側(cè)連接起來(lái)。

28、復(fù)位線(xiàn)、中斷信號(hào)線(xiàn)或者邊沿觸發(fā)信號(hào)線(xiàn)不能布置在靠近PCB邊沿的地方。

29、將安裝孔同電路公地連接在一起，或者將它們隔離開(kāi)來(lái)。

(1)金屬支架必須和金屬屏蔽裝置或者機(jī)箱一起使用時(shí)，要采用一個(gè)零歐姆電阻實(shí)現(xiàn)連接。

(2)確定安裝孔大小來(lái)實(shí)現(xiàn)金屬或者塑料支架的可靠安裝，在安裝孔頂層和底層上要采用大焊盤(pán)，底層焊盤(pán)上不能采用阻焊劑，并確保底層焊盤(pán)不采用波峰焊工藝進(jìn)行焊接。

30、不能將受保護(hù)的信號(hào)線(xiàn)和不受保護(hù)的信號(hào)線(xiàn)并行排列。

31、要特別注意復(fù)位、中斷和控制信號(hào)線(xiàn)的布線(xiàn)。

(1)要采用高頻濾波。

(2)遠(yuǎn)離輸入和輸出電路。

(3)遠(yuǎn)離電路板邊緣。

32、PCB要插入機(jī)箱內(nèi)，不要安裝在開(kāi)口位置或者內(nèi)部接縫處。

33、要注意磁珠下、焊盤(pán)之間和可能接觸到磁珠的信號(hào)線(xiàn)的布線(xiàn)。有些磁珠導(dǎo)電性能相當(dāng)好，可能會(huì)產(chǎn)生意想不到的導(dǎo)電路徑。

34、如果一個(gè)機(jī)箱或者主板要內(nèi)裝幾個(gè)電路板，應(yīng)該將對(duì)靜電最敏感的電路板放在最中間。