電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持數(shù)據(jù),其存儲特性相當于硬盤,這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲介質(zhì)的基礎(chǔ)。
分類
NOR和NAND是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。
在1984年,
發(fā)表于 07-03 14:33
閃存
深圳市雷龍發(fā)展有限公司
發(fā)布于 :2025年06月05日 17:58:25
隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用,NAND閃存和eMMC作為主流存儲介質(zhì),其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因,并提供延長使用壽命的實用方法。前言長時間運行后出現(xiàn)NAND或者eMMC損壞,可能
發(fā)表于 03-25 11:44
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NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù),廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機存儲中,具有高速讀寫和耐用性強的特點。
發(fā)表于 03-12 10:21
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市場研究機構(gòu)TrendForce近日對2025年NAND閃存價格走勢進行了預測,預計全年價格將呈現(xiàn)V型波動。 據(jù)TrendForce分析,2025年一季度,NAND
發(fā)表于 02-18 11:03
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”“11”,其它如TLC、QLC、PLC也按照相應(yīng)位數(shù)進行以此類推。
不同的閃存類似,其性能、耐久性和價格是不同的。
在性能和耐久性方面,SLC>MLC>TLC>QLC>
發(fā)表于 01-15 18:15
近日,三星電子已做出決定,將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護自身盈利能力而采取的重要措施。 當前,全球NAND閃存市場面臨供過于求的局面,預計今年
發(fā)表于 01-14 14:21
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智能手機、平板電腦、筆記本電腦和其他電子設(shè)備中都有應(yīng)用。 1. 定義和歷史 NAND閃存 是一種非易失性存儲技術(shù),它允許數(shù)據(jù)在斷電后仍然被保留。NAND閃存最初在1980年代由
發(fā)表于 12-25 09:37
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貼、容易脫落的問題,同時占用更少的PCB面積。
2. 使用壽命與穩(wěn)定性
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使用SLC NAND Flash晶圓:SLC NAND Flash是NAND
發(fā)表于 12-06 11:22
近日,業(yè)界傳出消息稱,三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給,并計劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場銷售該類產(chǎn)品,而到了2025年6月,MLC NAND閃存可能會正式停產(chǎn)。這一消
發(fā)表于 11-21 14:16
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《從NAND閃存啟動DaVinci EVM.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 10-16 10:15
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NAND閃存的發(fā)展歷程是一段充滿創(chuàng)新與突破的歷程,它自誕生以來就不斷推動著存儲技術(shù)的進步。以下是對NAND閃存發(fā)展歷程的詳細梳理,將全面且深入地介紹其關(guān)鍵節(jié)點和重要進展。
發(fā)表于 08-10 16:32
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NAND閃存和NOR閃存是兩種常見的閃存存儲器技術(shù),它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從技術(shù)原理、結(jié)構(gòu)、性能特點、應(yīng)用場景以及發(fā)展趨勢等方
發(fā)表于 08-10 16:14
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NAND閃存,又稱之為“NAND Flash”,是一種基于Flash存儲技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND
發(fā)表于 08-10 15:57
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據(jù)集邦咨詢于2021年7月25日公布的新近研究報告顯示,據(jù)悉,蘋果正積極考慮在其未來的iPhone產(chǎn)品線中導入一項名為QLC NAND閃存技術(shù)的革新性媒介。而這項技術(shù)的實際投入使用,預計最早可在2026年看到成果,屆時,iPho
發(fā)表于 07-25 14:50
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