聯(lián)發(fā)科宣布推出最新一代7納米FinFET硅認(rèn)證的112G遠(yuǎn)程SerDes知識(shí)產(chǎn)權(quán)，為公司在定制化的特殊應(yīng)用芯片（ASIC）產(chǎn)品陣線再添生力軍。聯(lián)發(fā)科采用硅認(rèn)證（Silicon-Proven）的7納米FinFET制程技術(shù)，使資料中心能夠快速有效地處理大量特定類型的資料，更加提升超高性能運(yùn)算的速度。

聯(lián)發(fā)科表示，公司擁有全球業(yè)界最廣泛的SerDes產(chǎn)品組合，這次推出最新一代SerDes高速傳輸?shù)?12G知識(shí)產(chǎn)權(quán)服務(wù)，讓企業(yè)級(jí)網(wǎng)絡(luò)與超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心能有效地布建下一代連接應(yīng)用，以滿足其特定需求，更進(jìn)一步擴(kuò)展聯(lián)發(fā)科在定制化芯片ASIC方案的競(jìng)爭(zhēng)力并鞏固在SerDes產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

聯(lián)發(fā)科進(jìn)一步指出，新推出的112G遠(yuǎn)程SerDes是基于高性能訊號(hào)處理（DSP）的解決方案，具有PAM4和NRZ信令，適用于惡劣環(huán)境與嘈雜的應(yīng)用場(chǎng)景。該芯片可用于短、中、長(zhǎng)距離的應(yīng)用（VSR、MR和LR），并針對(duì)每個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行功率優(yōu)化。由于采用最新的7納米制程技術(shù)，在性能、功耗及晶粒尺寸都具有一流的競(jìng)爭(zhēng)力。

此外，112G遠(yuǎn)程SerDes支援多種IEEE標(biāo)準(zhǔn)的速度，包括1/10/25/50/100G和FC16/FC32/FC64。聯(lián)發(fā)科最新的ASIC方案提供了強(qiáng)大的診斷與測(cè)試功能，包括不干擾主資料路徑的內(nèi)置資料監(jiān)控器，以及對(duì)內(nèi)建自我測(cè)試（built-in self-test，BIST）和電子回路的支援。

而面對(duì)ASIC市場(chǎng)需求正高速成長(zhǎng)，聯(lián)發(fā)科指出，將會(huì)持續(xù)投資，致力于為客戶提供一流的ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)。隨著國(guó)際一線的市場(chǎng)客戶對(duì)獨(dú)特系統(tǒng)解決方案需求的增加，聯(lián)發(fā)科積極布局，為客戶發(fā)展具有高運(yùn)算能力、高傳輸速度及低功耗等高度差異化的定制化芯片，為整個(gè)通信及消費(fèi)業(yè)者提供發(fā)展動(dòng)力。

目前，聯(lián)發(fā)科開始為10G、28G、56G和112G等ASIC設(shè)計(jì)提供業(yè)界最完整的SerDes產(chǎn)品組合。其ASIC服務(wù)和IP產(chǎn)品組合覆蓋了廣泛應(yīng)用，包括企業(yè)和超大規(guī)模資料中心、超高性能網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)、路由器或運(yùn)算應(yīng)用、5G基站基礎(chǔ)架構(gòu)、人工智能（AI）、深度學(xué)習(xí)（DL）應(yīng)用，以及要求在長(zhǎng)距離互連中具備極高頻寬的新型運(yùn)算應(yīng)用。

而聯(lián)發(fā)科的ASIC服務(wù)可為客戶在多種領(lǐng)域拓展商機(jī)。從有線與無線通訊、超高性能運(yùn)算，到以電池供電的物聯(lián)網(wǎng)、本地連接、個(gè)人多媒體，以及先進(jìn)感測(cè)器和射頻等。聯(lián)發(fā)科為ASIC客戶提供全面的專業(yè)技術(shù)服務(wù)，包括系統(tǒng)及平臺(tái)設(shè)計(jì)、系統(tǒng)單芯片（SoC）設(shè)計(jì)、系統(tǒng)整合、芯片實(shí)體布局、生產(chǎn)支援和產(chǎn)品導(dǎo)入等。目前首個(gè)采用聯(lián)發(fā)科112G遠(yuǎn)程SerDes IP的合作伙伴產(chǎn)品已經(jīng)在開發(fā)中，預(yù)計(jì)將于2020年下半年上市。
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