半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體景氣的先行指標(biāo)。所謂兵馬未動，糧秣先行，半導(dǎo)體景氣循環(huán)初期常伴隨著設(shè)備投資的增溫。全球半導(dǎo)體歷經(jīng)一年多的調(diào)整，慢慢回溫，尤其從半導(dǎo)體設(shè)備廠看到了曙光。

全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備廠商美國應(yīng)材，于美國時間2019/11/14舉辦線上法說會，釋出非常正面的訊息，不論是第四季（截至10月）之成長率，毛利率，EPS，皆高于市場預(yù)期。眺望2020，應(yīng)材預(yù)測第一季度（截至1月）的營收為41億美元，高于市場預(yù)期的36.8億美元。預(yù)計毛利率為44.6％，EPS介于0.87～0.95美元，遠(yuǎn)高于市場預(yù)期的0.75美元。

若細(xì)看其法說內(nèi)容，可看到半導(dǎo)體復(fù)蘇的亮點。由于5G需求加速，晶圓代工／邏輯客戶大量投資，因此對于半導(dǎo)體設(shè)備拉貨積極。應(yīng)材上調(diào)了對2019年晶圓廠設(shè)備的預(yù)估，認(rèn)為2019年的支出水平可與2017年相似，以目前能見度來看，公司對2020年持樂觀態(tài)度，預(yù)計晶圓代工/邏輯領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)增長。

半導(dǎo)體大宗商品NAND FLASH，出現(xiàn)投資復(fù)蘇跡象。2020半導(dǎo)體設(shè)備，晶圓代工／邏輯是第一棒，而NAND將是第二棒，應(yīng)材甚至認(rèn)為2020年記憶體的復(fù)蘇將由NAND領(lǐng)導(dǎo)。至于另一個大宗記憶體商品，DRAM，相關(guān)客戶技術(shù)正轉(zhuǎn)向更先進的金屬閘極電晶體，因此DRAM將會接續(xù)第三棒。這樣一棒接一棒，棒棒是強棒的半導(dǎo)體復(fù)蘇態(tài)勢，已經(jīng)是多年僅見。

而中國***與韓國權(quán)值股王臺積電、三星，也分別在近期法說釋出類似訊息。第四季臺積電、三星晶圓代工資本支出創(chuàng)下新高，并帶動半導(dǎo)體設(shè)備廠走出新一波成長循環(huán)。2020年臺積電5nm將進入量產(chǎn)，預(yù)期2020年資本支出將維持在140～150億美元高檔，而三星晶圓代工7nm陸續(xù)導(dǎo)入量產(chǎn)，三星電子于2019年4月中宣布，將在2030年以前投資133兆韓元（1，160億美元），拓展非記憶芯片和晶圓代工事業(yè)（平均每年116億美元）。大規(guī)模的半導(dǎo)體投資都象征了半導(dǎo)體市場將進入美麗新世界。

臺積電近期財報上修今年之資本支出，由年初預(yù)估的100～110億美元提高至140億～150億美元，增幅多達(dá)40％，并表示2020年資本支出將維持2019年水準(zhǔn)。臺積電對于積極的資本表示，主要乃預(yù)見5G手機和基地臺高端芯片的需求高于預(yù)期。

觀察2019年年中以來，全球主要市場的5G智慧型手機替換和基地臺之布建發(fā)展加速。預(yù)估5G滲透率將比4G增長速度更快，2020年5G手機滲透率將達(dá)到15％，而此前的滲透率預(yù)期僅為個位數(shù)。

本次半導(dǎo)體設(shè)備的復(fù)蘇，主要來自5G需求拉動，而晶片微小化需導(dǎo)入新制程及新封裝技術(shù)，進而提升對設(shè)備之需求，也加速臺積電、英特爾、三星啟動軍備競賽。由臺股的選股的角度而言，建議可聚焦臺積電提高資本支出之受惠個股。由于臺積電5nm及7nm加強版皆導(dǎo)入EUV制程，EUV在先進制程中扮演重要角色，最大受惠者ASML Holding于第三季法說會中表示，第三季完成7臺EUV系統(tǒng)出貨，也接到23臺EUV系統(tǒng)訂單，此為單季最高訂單紀(jì)錄，為ASML代工EUV雷射穩(wěn)壓模組的帆宣將直接受惠拿下大單。
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