（文章來源：數(shù)碼小妖精）

近年來，我國在高新技術(shù)研發(fā)方面不斷獲得新突破，原本的薄弱領(lǐng)域更是逐步建立起技術(shù)壁壘，在全球市場中站穩(wěn)腳跟，例如國產(chǎn)芯片。提及國產(chǎn)芯片，想必大多數(shù)消費者都會第一時間聯(lián)想到華為海思，但除了民營科技巨頭在研發(fā)國產(chǎn)芯之外，“國家隊”早已走上自研之路。

中科院傳來好消息，中國科學家研發(fā)除了新型垂直納米環(huán)柵晶體管，這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項技術(shù)成熟后，國產(chǎn)2nm芯片有望成功“破冰”，意義重大。

眾所周知，目前市面上最先進的工藝為7nm以及第二代7nm，中國芯片代工巨頭臺積電的5nm有望2020年實現(xiàn)量產(chǎn)。此外，臺積電還曾宣布其3nm工藝正在研發(fā)過程中，而2nm工藝預(yù)計2024年才會投產(chǎn)。而這些芯片工藝的升級其實就是晶體管密度的不斷增強以及晶體管技術(shù)的更新?lián)Q代。

據(jù)了解，從英特爾首發(fā)22nm FinFET工藝至今，這種FinFET鰭式晶體管就被沿用至今，未來的5nm以及4nm都將繼續(xù)使用此類晶體管。而在2018年，三星曾率先發(fā)布3nm工藝需要采用的GAA環(huán)繞柵極晶體管，此類技術(shù)相比原有的FinFET鰭式晶體管，可在多方面增強芯片性能、降低功耗和核心面積。

而在三星之后，中科院研發(fā)出了2nm及以下工藝所需要的新型晶體管——疊層垂直納米環(huán)柵晶體管。據(jù)悉，早在2016年官方就開始針對此類技術(shù)開展相關(guān)研究，歷經(jīng)重重困難，中科院斬獲全球第一，研發(fā)出世界上首個具有自對準柵極的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管。

值得注意的是，這一疊層垂直納米環(huán)柵晶體管還獲得多項中、美發(fā)明專利授權(quán)，更在國際微電子器件領(lǐng)域的頂級期刊《IEEE Electron Device Letters》成功發(fā)表?？偠灾幢隳壳坝行┘夹g(shù)依舊被西方國家壟斷甚至被惡意阻撓其正常發(fā)展，但國產(chǎn)芯片依舊迸發(fā)出了不容忽視的力量。

疊層垂直納米環(huán)柵晶體管的誕生就是最有力的證明，同時也是中國特色社會主義制度優(yōu)越性的展現(xiàn)。集中力量辦大事，即便面臨西方國家的技術(shù)封鎖和惡意阻撓，筆者相信在多方的努力下國產(chǎn)芯片未來可期。
（責任編輯：fqj）