（文章來源：泡泡網(wǎng)）
三星近日發(fā)布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片，HBM2E單顆最大容量為16GB，由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成，單個封裝可實(shí)現(xiàn)16GB容量，最高可提供3.2Gbps的穩(wěn)定數(shù)據(jù)傳輸速度。預(yù)計全新的HBM2E存儲芯片將在今年上半年開始量產(chǎn)。

三星在2019年3月曾宣布成功研發(fā)了業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的存儲芯片HBM2E是HBM2的升級版標(biāo)準(zhǔn)，HBM2的最大數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)2.4Gbps，在此之前使用HBM2存儲芯片的顯卡包括有AMD Radeon VII及NVIDIA Titan V，其中Radeon VII的顯存位寬為4096bit 、頻寬最高可達(dá)1TB/s，至于Titan V的顯存位寬為3072bit、頻寬也達(dá)到了653GB/s。

至于JEDEC(國際固態(tài)技術(shù)協(xié)會)最新發(fā)布的第三版HBM2E標(biāo)準(zhǔn)“JESD235C”，HBM2E存儲芯片的電壓依舊保持在1.2V，不過其針腳頻寬提高到3.2Gbps，較前一代2.4Gbps的最大數(shù)據(jù)傳輸速度提升33%。按照J(rèn)EDEC給出的設(shè)計規(guī)范，單Die最大可達(dá)2GB、單堆迭12Die能達(dá)到24GB的容量，將其配備在支持四堆迭的顯示核心上，便可為顯卡提供1.64TB/s的總頻寬。

有意思的是，“JESD235C“標(biāo)準(zhǔn)中僅僅制定了正常工作狀態(tài)的電壓，并未對全新的HBM2E電壓的做出任何的限制。因此，三星可以為自家的HBM2E存儲芯片加入“超頻”的特性，這樣可以實(shí)現(xiàn)不小的提升空間，為顯卡提供更高的頻寬。

全新的HBM2E記憶體“Flashbolt”采用三星1ynm制程工藝，單顆最大容量為16GB，由16Gb的單Die通過8層堆迭而成。三星官方介紹說，全新的“Flashbolt”在頻寬上面有比較明顯的提升，在默認(rèn)的3.2Gbps下，單顆HBM2E就可以提供高達(dá)410GB/s的頻寬，1秒內(nèi)便可傳輸82部 Full HD (5GB)全高清畫質(zhì)的影片。

至于三星內(nèi)部測試自家全新的“Flashbolt”存儲芯片，在“超頻”后可以達(dá)到最高4.2Gbps的傳輸速率，頻寬更高達(dá)538GB/s，比上代產(chǎn)品高出75%。按照三星官方的說法，全新的HBM2E存儲芯片將會在今年上半年開始量產(chǎn)，特別適用于HPC高性能運(yùn)算系統(tǒng)，并可幫助系統(tǒng)制造商及時改進(jìn)其超級電腦、AI驅(qū)動的數(shù)據(jù)分析以及最新的圖形系統(tǒng)。
（責(zé)任編輯：fqj）