根據(jù)分析機(jī)構(gòu) Yole 的數(shù)據(jù)顯示，英特爾和 Macom 在射頻的GaN-on-Si 專利領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。

Yole 機(jī)構(gòu)稱，英特爾的 RF-GaN-on-Si 專利組合主要涉及用于 SoC 的 III-N 晶體管、RF 開關(guān)、超短溝道長度、場板和 III-N/ 硅單片集成電路。英特爾采取了全球?qū)＠麘?zhàn)略，在美國和***分別有 17 項(xiàng)和 20 項(xiàng)專利正在申請中。

此外，富士通（Fujitsu）擁有 40 多項(xiàng)專利，Macom 擁有 20 多項(xiàng)專利，在 GaN-on-Si 射頻領(lǐng)域的可執(zhí)行知識產(chǎn)權(quán)方面處于領(lǐng)先地位。其中富士通的投資組合專注于硅基 GaN 材料，特別是緩沖層，其發(fā)明可能在其他襯底上實(shí)現(xiàn)，包括 SiC 或其他應(yīng)用。

與英特爾一樣，富士通也采取了全球?qū)＠麘?zhàn)略。相比之下，Macom 的產(chǎn)品組合更側(cè)重用于 RF 的 GaN-on-Si 器件，解決外延、器件、模塊和封裝級別的特定技術(shù)挑戰(zhàn)。例如，為了通過 HEMT-epi 結(jié)構(gòu)中的反摻雜劑來解決寄生通道，2015 年進(jìn)行了一項(xiàng)強(qiáng)有力的專利申請工作。

Yole 在其新的 GaN on Silicon 專利分析中確定了 10 多項(xiàng)相關(guān)專利申請。此外，Macom 與 GaN-on-Si 相關(guān)的專利主要集中在美國，盡管它現(xiàn)在已經(jīng)要求國外對大量新發(fā)表的發(fā)明進(jìn)行延期。

Yole 表示：“對 GaN-on-Si 技術(shù)用于電力應(yīng)用的興趣日益增長，但這并沒有顯著地加速專利申請活動(dòng)，”然而，我們觀察到英飛凌在收購 IR 后有穩(wěn)步的專利申請活動(dòng)，美國初創(chuàng)企業(yè) Transphorm 成為一匹黑馬產(chǎn)品組合顯著增強(qiáng)，源于富士通將其電源業(yè)務(wù)移交給這家公司。

Transphorm 的知識產(chǎn)權(quán)地位在 2014 年與 Furukawa Electric 達(dá)成許可協(xié)議后得到進(jìn)一步加強(qiáng)，F(xiàn)urukawa Electric 是 GaN on Si 專利領(lǐng)域的關(guān)鍵知識產(chǎn)權(quán)參與者。同樣，英飛凌科技也與另一家老牌 GaN 玩家松下簽訂了一項(xiàng)重要的知識產(chǎn)權(quán)許可協(xié)議，涉及 Si 和電力電子專利領(lǐng)域。

ST 在 2018 年宣布了一項(xiàng)與 CEA Leti 合作的研發(fā)計(jì)劃，CEA Leti 在 GaN-on-Si 專利領(lǐng)域處于有利地位。

“在過去的幾年里，在電力電子行業(yè)，我們看到了市場對 GaN-HEMTs 越來越感興趣，與 Si-MOSFET 相比，GaN-HEMTs 帶來了誘人的性能和成本競爭力，”Yole 介紹，“除了創(chuàng)新的初創(chuàng)公司，幾乎所有電力電子行業(yè)的集成設(shè)備制造商都提出，與硅 MOSFET 解決方案相比，GaN-on-Si 器件使系統(tǒng)具有更高的功率、更高的效率和更小的腳印。”

Yole 表示，在電力電子領(lǐng)域，GaN-on-Si 器件是中壓硅 SJ-MOSFET 的直接競爭對手。