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碳化硅元件潛力大 IDM到硅晶圓廠爭(zhēng)相擴(kuò)大布局

汽車玩家 ? 來(lái)源:鉅亨網(wǎng) ? 作者:鉅亨網(wǎng) ? 2020-03-23 14:53 ? 次閱讀
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隨著 5G、電動(dòng)車等新應(yīng)用興起,第三代化合物半導(dǎo)體材料逐漸成為市場(chǎng)焦點(diǎn),看好碳化硅 (SiC) 等功率半導(dǎo)體元件,在相關(guān)市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)與成長(zhǎng)性,許多 IDM、硅晶圓與晶圓代工廠,均爭(zhēng)相擴(kuò)大布局;即便近來(lái)市場(chǎng)遭遇新冠肺炎等不確定因素襲擊,業(yè)者仍積極投入,盼能搶在爆發(fā)性商機(jī)來(lái)臨前,先站穩(wěn)腳步。

目前全球 95% 以上的半導(dǎo)體元件,都是以第一代半導(dǎo)體材料硅作為基礎(chǔ)功能材料,主要應(yīng)用在資訊與微電子產(chǎn)業(yè),不過(guò),隨著電動(dòng)車、5G 等新應(yīng)用興起,推升高頻率、高功率元件需求成長(zhǎng),硅基半導(dǎo)體受限硅材料的物理性質(zhì),在性能上有不易突破的瓶頸,也讓廠商開(kāi)始爭(zhēng)相投入化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域。

第三代半導(dǎo)體材料包括氮化鎵 (GaN)、碳化硅 (SiC) 等寬頻化合物半導(dǎo)體材料,其中,碳化硅具備低導(dǎo)通電阻、高切換頻率、耐高溫與耐高壓等優(yōu)勢(shì),可應(yīng)用于 1200 伏特以上的高壓環(huán)境。

相較于氮化鎵,碳化硅更耐高溫、耐高壓,較適合應(yīng)用于嚴(yán)苛的環(huán)境,應(yīng)用層面廣泛,如風(fēng)電、鐵路等大型交通工具,及太陽(yáng)能逆變器、不斷電系統(tǒng)、智慧電網(wǎng)、電源供應(yīng)器等高功率應(yīng)用領(lǐng)域。

近來(lái)隨著電動(dòng)車與混合動(dòng)力車發(fā)展,碳化硅材料快速在新能源車領(lǐng)域崛起,主要應(yīng)用包括車載充電器、降壓轉(zhuǎn)換器與逆變器。且據(jù)研究機(jī)構(gòu) HIS 與 Yole 預(yù)測(cè),碳化硅晶圓的全球電力與功率半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)值,將從去年的 13 億美元,擴(kuò)增至 2025 年的 52 億美元。

目前碳化硅晶圓市場(chǎng)由 CREE 獨(dú)霸,市占率高達(dá) 6 成之多,臺(tái)灣硅晶圓大廠、也是全球第三大硅晶圓供應(yīng)商環(huán)球晶,也積極跨入碳化硅晶圓領(lǐng)域,已有產(chǎn)品小量出貨,去年 8 月更宣布與 GTAT 簽訂碳化硅晶球長(zhǎng)約,確保取得長(zhǎng)期穩(wěn)定、且符合市場(chǎng)需求的碳化硅晶球供應(yīng),以加速碳化硅晶圓產(chǎn)品發(fā)展。

另一家臺(tái)灣硅晶圓廠合晶也持續(xù)關(guān)注碳化硅或氮化鎵產(chǎn)品,并評(píng)估進(jìn)行策略合作,未來(lái)可能與其他廠商結(jié)盟。韓國(guó)唯一的半導(dǎo)體硅晶圓廠 SK Siltron,也呼應(yīng)韓國(guó)政府近來(lái)推動(dòng)的材料技術(shù)自主化政策,今年 2 月底收購(gòu)美國(guó)化學(xué)大廠杜邦 (DuPont) 的碳化硅晶圓事業(yè),積極切入次世代半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。

除硅晶圓廠外,臺(tái)灣投入碳化硅領(lǐng)域的還包括布局最早的漢磊投控 (3707-TW) ,已在此領(lǐng)域建立完整生產(chǎn)鏈,旗下磊晶硅晶圓廠嘉晶 (3016-TW) 切入 4 吋與 6 吋 SiC 磊晶硅晶圓代工服務(wù),已獲客戶認(rèn)證并量產(chǎn);同集團(tuán)的晶圓代工廠漢磊科,則提供 SiC Diode、SiC MOSFET 代工服務(wù)。

近來(lái)新加入市場(chǎng)的,還有尋求新事業(yè)發(fā)展的太陽(yáng)能廠太極。太極上 (2) 月與中科院簽署碳化硅專利授權(quán)合作開(kāi)發(fā)合約,將著墨在碳化硅長(zhǎng)晶與基板,初期切入高壓功率元件應(yīng)用市場(chǎng),最快第 4 季可量產(chǎn)基板。

而在 IDM 廠方面,除英飛凌 (Infineon)、羅姆 (ROHM) 等 IDM 大廠積極布局外,安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 也在本月與 GTAT 簽訂 5 年碳化硅材料供給協(xié)議。

雖然受限成本與技術(shù)門檻較高、產(chǎn)品良率不高等因素,使碳化硅晶圓短期內(nèi)難普及,但隨著既有廠商與新進(jìn)者相繼擴(kuò)增產(chǎn)能布局,且在電動(dòng)車、5G 等需求持續(xù)驅(qū)動(dòng)下,可望加速碳化硅晶圓產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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