芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代,晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是一次次對(duì)物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET,每一次架構(gòu)演進(jìn)到底解決了哪些物理瓶頸呢?
發(fā)表于 07-08 16:28
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工藝的持續(xù)發(fā)展提供了新的方向。
根據(jù)imec的一篇最新論文,imec的研究人員引入了一種名為“外壁叉片”(outer wall forksheet)的新型晶體管布局,預(yù)計(jì)該布局將從A10代(1納米
發(fā)表于 06-20 10:40
多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
發(fā)表于 04-15 10:24
晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作,進(jìn)晶體管
發(fā)表于 04-14 17:24
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DV2004L1 PNP功率晶體管快充開發(fā)系統(tǒng)控制.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 12-21 11:04
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晶體管與場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別 工作原理 : 晶體管 :晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。
發(fā)表于 12-03 09:42
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本文介紹了隧穿晶體管的原理及它的優(yōu)勢(shì)。 ? 我們所處的這個(gè)由永遠(yuǎn)在線的個(gè)人電腦、平板電腦和智能手機(jī)構(gòu)成的世界的誕生,要?dú)w功于一個(gè)了不起的趨勢(shì):金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的不斷微型化
發(fā)表于 11-27 09:04
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智能手機(jī)網(wǎng)絡(luò)連接速度的5000倍。典型的5G運(yùn)行速度約為200Mbps,而在實(shí)際使用中,由于信號(hào)連接問題,其提供的速度往往遠(yuǎn)低于100Mbp
發(fā)表于 10-22 16:27
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晶體管的輸出特性是描述晶體管在輸出端對(duì)外部負(fù)載的特性表現(xiàn),這些特性直接關(guān)系到晶體管在各種電路中的應(yīng)用效果和性能。晶體管的輸出特性受到多種因素的影響,包括輸入信號(hào)、電源電壓、溫度以及
發(fā)表于 09-24 17:59
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晶體管作為電子電路中的核心元件,其基本工作模式對(duì)于理解其工作原理和應(yīng)用至關(guān)重要。晶體管的工作模式主要可以分為兩大類:放大模式和開關(guān)模式。這兩種模式基于晶體管內(nèi)部PN結(jié)的特性,通過控制輸入電壓或電流來實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電流的控制。下面將詳
發(fā)表于 09-13 16:40
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NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管
發(fā)表于 09-13 14:10
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CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)闡述。
發(fā)表于 09-13 14:09
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晶體管時(shí)間繼電器,作為一種關(guān)鍵的電子控制元件,在現(xiàn)代自動(dòng)化控制系統(tǒng)、通信系統(tǒng)以及工業(yè)生產(chǎn)中扮演著重要角色。其利用晶體管的特性實(shí)現(xiàn)時(shí)間延遲控制,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、響應(yīng)速度快、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。
發(fā)表于 08-23 15:43
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晶體管計(jì)算機(jī)的誕生標(biāo)志著計(jì)算機(jī)技術(shù)的一個(gè)重要里程碑,它不僅推動(dòng)了計(jì)算機(jī)硬件的革新,還促進(jìn)了計(jì)算機(jī)軟件技術(shù)的發(fā)展。以下是對(duì)晶體管計(jì)算機(jī)誕生及其特點(diǎn)的詳細(xì)闡述。
發(fā)表于 08-23 15:06
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GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),是近年來在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì),融合了多種材料和工藝,以實(shí)現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。
發(fā)表于 08-15 11:01
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評(píng)論