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支持高密度電源轉換設計

TI LMG341xR050 GaN

Texas Instruments（TI）的LMG341xR050氮化鎵（GaN）功率級。這款600V、500mΩ的器件具有集成柵極驅動器和強大的保護功能，可讓設計人員在電源轉換系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉換器等應用。 TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關節(jié)點振鈴，以及可將開關損耗降低多達80%的零反向恢復。此器件的集成式柵極驅動器支持100V/ns開關，實現(xiàn)幾乎為零的VDs振鈴，其微調柵極偏置電壓可通過補償閾值變化確?？煽壳袚Q。此功率級集成了一系列獨特的功能，比如圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC）結構等密集高效拓撲，讓設計人員能夠優(yōu)化電源性能并提高可靠性。 LMG341xR050 GaN功率級擁有強大的保護功能，不需要外部保護元件，即可提供過熱保護、瞬態(tài)電壓抗擾性，并且所有電源軌都具有欠壓鎖定（UVLO）保護。此外，LMG341xR050還可提供響應時間低于100ns的過流保護和高于150V/ns的壓擺率抗擾性。