2020年5月30日，聯(lián)合微電子中心（CUMEC）在重慶向全球隆重發(fā)布“180nm全套硅光工藝PDK（process design kit）”。180nm全套硅光工藝PDK的發(fā)布標志著聯(lián)合微電子中心具備硅基光電子領域全流程自主工藝能力，并正式開始向全球提供硅光芯片流片服務。

硅光芯片是將硅光材料和器件通過特殊工藝制造的集成電路，主要由光源、調(diào)制器、探測器、無源波導器件等組成，將多種光器件集成在同一硅基襯底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸帶寬更高等特點，因為硅光芯片以硅作為集成芯片的襯底，所以能集成更多的光器件；在光模塊里面，光芯片的成本非常高，但隨著大規(guī)模生產(chǎn)的實現(xiàn)，硅光芯片的低成本成了巨大優(yōu)勢；硅波導的傳輸性能好，因為硅光材料折射率差更大，可以實現(xiàn)高密度的波導和同等面積下更高的傳輸帶寬。

聯(lián)合微電子中心此次發(fā)布的是PDK命名為CSIP180AL，其中C代表聯(lián)合微電子（CUMEC），SIP代表硅光子（Silicon Photonics），180代表180納米工藝節(jié)點，AL代表鋁互連（Aluminum interconnect）。預計2021年5月發(fā)布基于銅互連的PDK2.0。

據(jù)工藝負責人表示，此次發(fā)布的PDK主要針對高性能通信（High Speed Communication）、激光雷達（LiDAR）和人工智能（AI）?；诼?lián)合微電子的制造技術和設計IP，能夠實現(xiàn)高速光收發(fā)芯片、激光雷達芯片等產(chǎn)品批量生產(chǎn)，可以廣泛用于5G和數(shù)據(jù)中心、無人駕駛和機器人等場合。

聯(lián)合微電子中心成立于2018年10月，是中國電科和重慶市共同打造的微電子技術協(xié)同創(chuàng)新平臺，致力于解決國家微電子行業(yè)及其未來產(chǎn)業(yè)高端發(fā)展需求，走超越摩爾定律的技術路線，打造集硅基光電子、異質異構三維集成、鍺硅射頻等工藝、技術和產(chǎn)品為一體的光電融合高端特色工藝平臺。
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