MOS管相比三極管來講，具有更低的導通內阻，在驅動大功率的負載時，發(fā)熱量就會小很多。MOS管的驅動與三極管有一個比較大的區(qū)別，MOS管是電壓驅動型的元件，如果驅動電壓達不到要求，MOS就會不完全導通，內阻變大而造成過熱。

MOS管驅動電路

MOS管分為N溝道與P溝道兩種，N溝道用于電源負極的控制，P溝道用于電源正極的控制，兩者直接的控制信號電壓也存在區(qū)別。對于NMOS來講，當柵極與源極的電壓超過一定電壓閾值的之后就會導通，PMOS與之相反。

NMOS與PMOS還有一點比較大的區(qū)別，NMOS的導通內阻一般比PMOS要小一些，并且制造成本性對較低，所以在功率較大的控制場合，一般會選用NMOS，當然也要根據(jù)控制電路的邏輯關系進行選擇。以NMOS為例，當Vgs大于最小控制電壓閾值時，MOS管會導通，但是其導通內阻無法達到最小設計值，所以想要保證其導通內阻，就要有足夠的控制驅動電壓。

上圖是常用N溝道MOS管AO4468參數(shù)手冊中給出的導通內阻參考值，當控制電壓4.5V的時候，導通內阻小于22mΩ；控制電壓10V時，導通內阻小于14mΩ，從這個參數(shù)上能夠看出，不同的驅動電壓下，導通內阻是存在一定差別的。

單片機如何驅動MOS管

常用的單片機一般分為5V單片機與3V單片機，單片機的IO口輸出的高電平電壓最高是可以接近電源電壓的，但會比電源電壓小一些。由于三極管是電流驅動型的元件，所以不需要太高的驅動電壓就可以飽和導通，而對于MOS管來講，根據(jù)不同型號參數(shù)的，導通電壓會有差別，單片機IO能夠輸出的電壓，對于大部分的MOS管來講是達不到其導通條件的。

所以在單片機驅動MOS的電路中，通常會采用三極管作為前級驅動，由電源電壓驅動MOS管開啟，有些開啟電壓較高的MOS管，還會提高驅動電壓，而不使用單片機的5V供電，比如12V、15V等等。

所以單片機不能直接驅動MOS管的主要原因是驅動能力的問題，單片機的IO輸出的電壓達不到MOS管的導通條件，或者達不到飽和導通的條件。