碳化硅功率器件以其優(yōu)異的高耐壓、低損耗、高導(dǎo)熱率等優(yōu)異性能，被普遍認(rèn)為是替代硅基功率器件最理想的新型半導(dǎo)體器件。在即將于2020 年 7 月 3- 5 日在國(guó)家會(huì)展中心（上海）召開(kāi)的2020慕尼黑上海電子展上，富士通就為現(xiàn)場(chǎng)觀眾帶來(lái)多款SiC產(chǎn)品及解決方案。

由于材料限制，傳統(tǒng)硅基功率器件在許多方面已逼近甚至達(dá)到了其材料的本征極限，如電壓阻斷能力、正向?qū)▔航怠⑵骷_(kāi)關(guān)速度等，尤其在高頻和高功率領(lǐng)域更顯示出其局限性。而相比硅，碳化硅在用電效率上能提升兩到三個(gè)百分點(diǎn)，可靠性更高，而且器件的體積重量更小，在無(wú)線通信、汽車電子、電網(wǎng)、高鐵、衛(wèi)星通信、軍工雷達(dá)、航空航天等領(lǐng)域應(yīng)用中具備硅基無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。

泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司（簡(jiǎn)稱：GPT）是中國(guó)碳化硅(SIC) 功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一，國(guó)內(nèi)首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商，生產(chǎn)碳化硅裸芯片（常規(guī)和雙面銀），碳化硅二極管，碳化硅MOS管，碳化硅橋堆等。

Ta=215℃的7000V1A和9000V1A SiC方案的線圈體積重量更小二極管模組

用于機(jī)車牽引混合模塊的3300V50A芯片

其生產(chǎn)的碳化硅肖特基二極管目前主要分為650V/1200V/1700V/3300V四個(gè)電壓等級(jí)，其中有針對(duì)普通應(yīng)用場(chǎng)合的650V/1200V電壓等級(jí)產(chǎn)品，以及針對(duì)于高壓應(yīng)用領(lǐng)域的1700V/3300V電壓等級(jí)產(chǎn)品。

泰科天潤(rùn)產(chǎn)品封裝表

目前泰科天潤(rùn)650V/1200V電壓等級(jí)的產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于光伏、通信、電動(dòng)汽車等應(yīng)用領(lǐng)域，此外公司的高電壓的1700V/3300V電壓等級(jí)產(chǎn)品也同樣成熟，1700V碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品型號(hào)齊全，也是同行中極少數(shù)可以批量供貨3300V碳化硅產(chǎn)品的功率半導(dǎo)體器件廠商。