進(jìn)入2025年，海外儲(chǔ)能市場(chǎng)呈現(xiàn)發(fā)展新的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)：通過(guò)采用核心功率器件SiC功率模塊的新一代高效率高壽命儲(chǔ)能變流器PCS在海外市場(chǎng)得到廣泛認(rèn)可并得到客戶買(mǎi)單，比如德國(guó)SMA推出新一代采用SiC MOSFET功率模塊的構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能變流器PCS，而采用IGBT模塊的儲(chǔ)能變流器PCS逐漸成為技術(shù)平庸和落后的代名詞。

國(guó)產(chǎn)儲(chǔ)能變流器PCS企業(yè)把握海外市場(chǎng)這種變化趨勢(shì)，特別是國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊企業(yè)如何協(xié)同助力國(guó)產(chǎn)儲(chǔ)能變流器PCS廠商出海的具體機(jī)會(huì)與行動(dòng)路徑：可以從技術(shù)、成本、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同、市場(chǎng)布局等多個(gè)維度展開(kāi)。

一、技術(shù)優(yōu)勢(shì)與產(chǎn)品迭代：采用碳化硅SiC功率模塊的儲(chǔ)能變流器PCS以高效率高壽命搶占市場(chǎng)

高頻性能與系統(tǒng)優(yōu)化
SiC模塊的高開(kāi)關(guān)頻率（可達(dá)40kHz以上）顯著降低開(kāi)關(guān)損耗（較IGBT減少70%-80%），并減少電感、電容等無(wú)源器件的體積，提升功率密度。例如，采用SiC模塊的儲(chǔ)能變流器可將電感體積縮小至傳統(tǒng)方案的1/3，系統(tǒng)效率提升1%-3%，適配高頻化、高功率密度的市場(chǎng)需求。

案例：BMF240R12E2G3模塊，其導(dǎo)通電阻僅5.5mΩ，支持高頻運(yùn)行，已應(yīng)用廣泛應(yīng)用于工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS。

高溫穩(wěn)定性與可靠性
SiC材料耐高溫（結(jié)溫達(dá)175℃以上），且高溫下導(dǎo)通電阻的負(fù)溫度特性（損耗隨溫度升高而下降），顯著優(yōu)于IGBT的高溫劣化問(wèn)題。這一特性可簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì)，降低系統(tǒng)成本30%。

構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能PCS的技術(shù)適配
國(guó)產(chǎn)企業(yè)通過(guò)四橋臂拓?fù)浼夹g(shù)和SiC模塊的集成，開(kāi)發(fā)出支持寬頻自穩(wěn)控制、多場(chǎng)站級(jí)同步運(yùn)行的構(gòu)網(wǎng)型變流器，滿足弱電網(wǎng)區(qū)域的新能源離并網(wǎng)需求，提升電網(wǎng)主動(dòng)支撐能力。

二、成本優(yōu)勢(shì)與規(guī)?；?yīng)：國(guó)產(chǎn)SiC模塊打破海外廠商IGBT模塊定價(jià)權(quán)

國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈成本下探
中國(guó)6英寸SiC襯底產(chǎn)能增至2024年的超500萬(wàn)片/年，占據(jù)全球70%以上產(chǎn)能，單片價(jià)格從700美元降至300美元以下，降幅超50%。

全生命周期經(jīng)濟(jì)性
SiC方案在光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)中效率提升3%-5%，全生命周期電費(fèi)節(jié)省顯著提升投資收益。以1500V光伏系統(tǒng)為例，采用SiC后效率突破99%，光儲(chǔ)市場(chǎng)SiC規(guī)模在2024年同比增長(zhǎng)150%。

三、國(guó)產(chǎn)SiC模塊產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同與國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)口IGBT模塊加速

垂直整合與生態(tài)合作
儲(chǔ)能變流器PCS系統(tǒng)廠商直接參股SiC供應(yīng)鏈，推動(dòng)定制化器件開(kāi)發(fā)，壓縮成本并提升技術(shù)適配性。國(guó)產(chǎn)SiC模塊廠商從芯片到驅(qū)動(dòng)方案的全套SiC解決方案，替代英飛凌、三菱富士等IGBT模塊。

封裝與驅(qū)動(dòng)技術(shù)突破
國(guó)產(chǎn)模塊采用氮化硅AMB陶瓷基板（導(dǎo)熱率90W/mK）、Press-Fit壓接技術(shù)等先進(jìn)封裝，降低熱阻并提升可靠性。同時(shí)，配套驅(qū)動(dòng)芯片（如BTD25350系列）集成米勒鉗位功能，抑制SiC MOSFET誤開(kāi)通，確保開(kāi)關(guān)安全。

四、國(guó)產(chǎn)儲(chǔ)能變流器PCS海外市場(chǎng)拓展策略

認(rèn)證與渠道布局
國(guó)內(nèi)PCS企業(yè)已通過(guò)北美、歐盟認(rèn)證，并進(jìn)入美國(guó)市場(chǎng)。

國(guó)產(chǎn)SiC模塊性價(jià)比與差異化競(jìng)爭(zhēng)
國(guó)產(chǎn)SiC模塊較海外同類(lèi)產(chǎn)品價(jià)格低20%-30%，國(guó)產(chǎn)PCS通過(guò)國(guó)產(chǎn)SiC模塊打造的高效率高壽命系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)，吸引海外集成商采購(gòu)。

國(guó)產(chǎn)SiC模塊聚焦細(xì)分場(chǎng)景
針對(duì)工商業(yè)儲(chǔ)能、光儲(chǔ)微網(wǎng)等場(chǎng)景推出標(biāo)準(zhǔn)化模塊，滿足海外客戶對(duì)靈活配置和高性價(jià)比的需求。

五、國(guó)產(chǎn)SiC模塊未來(lái)挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)

技術(shù)瓶頸：國(guó)產(chǎn)SiC模塊需持續(xù)優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)（如第三代SiC MOSFET的鈍化層可靠性提升）和驅(qū)動(dòng)方案，以匹配高頻應(yīng)用需求。

國(guó)產(chǎn)SiC模塊國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)：應(yīng)對(duì)英飛凌等傳統(tǒng)巨頭轉(zhuǎn)向SiC擴(kuò)產(chǎn)的競(jìng)爭(zhēng)，需加速8英寸晶圓量產(chǎn)（預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)），進(jìn)一步降低單價(jià)至硅基IGBT水平。

國(guó)產(chǎn)SiC模塊市場(chǎng)需求波動(dòng)：通過(guò)綁定頭部集成商和參與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)制定，降低終端需求不確定性風(fēng)險(xiǎn)。

總結(jié)

國(guó)產(chǎn)SiC模塊企業(yè)需以高頻高效、成本優(yōu)勢(shì)和技術(shù)迭代為核心，通過(guò)垂直整合供應(yīng)鏈、加速海外認(rèn)證、聚焦細(xì)分市場(chǎng)，全面替代現(xiàn)有老舊IGBT方案。未來(lái)隨著8英寸晶圓量產(chǎn)和構(gòu)網(wǎng)型技術(shù)的成熟，國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊隨著國(guó)產(chǎn)儲(chǔ)能變流器PCS出海進(jìn)一步擴(kuò)大全球市場(chǎng)份額，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)儲(chǔ)能變流器PCS自主可控的產(chǎn)業(yè)升級(jí)，提升國(guó)產(chǎn)儲(chǔ)能變流器PCS海外市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

審核編輯 黃宇