一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀(guān)看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SiC(碳化硅)模塊設(shè)計(jì)方案在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)行業(yè)迅速普及

楊茜 ? 來(lái)源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-04-30 14:30 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

SiC(碳化硅)模塊設(shè)計(jì)方案在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)行業(yè)迅速普及,主要得益于以下幾方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素:

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)!傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭:傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)!傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢(shì)!傾佳電子楊茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)!

1. 效率與功率密度的顯著提升

高效率:SiC MOSFET的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗均低于傳統(tǒng)IGBT,且其開(kāi)關(guān)損耗隨溫度升高反而下降。文檔中仿真數(shù)據(jù)顯示,在125kW PCS中,SiC機(jī)型效率提升1%,功率密度整體提升25%,高溫重載下仍能保持出色性能。

高頻特性:SiC器件支持更高開(kāi)關(guān)頻率(如32~40kHz),減少了無(wú)源器件(如電感和電容)的體積,進(jìn)一步優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

wKgZPGgRw5uAQDQiAAOizSCfbeg369.jpg

wKgZO2gRw5yAasq6AAKrbfEK2_4001.jpg

wKgZPGgRw5yASoqhAANDejyOe88027.jpg

wKgZO2gRw52ADJPMAAImR2ds-ug106.jpg

2. 高溫與高可靠性表現(xiàn)

耐高溫能力:SiC器件結(jié)溫可達(dá)175℃,且高溫下導(dǎo)通電阻(RDS(on)RDS(on))波動(dòng)?。ㄇ度隨BD技術(shù)后波動(dòng)<3%),可靠性顯著優(yōu)于傳統(tǒng)器件。

散熱優(yōu)化:采用Si?N?陶瓷覆銅基板,抗彎強(qiáng)度高(700 N/mm),耐溫度沖擊性能優(yōu)異(1000次沖擊無(wú)分層),適合高頻、高功率應(yīng)用。

3. 系統(tǒng)成本與體積的優(yōu)化

緊湊設(shè)計(jì):SiC模塊尺寸更小(如SiC機(jī)型尺寸680×220×520mm,IGBT機(jī)型780×220×485mm),支持更高功率密度,減少設(shè)備占地面積。

初始成本降低:通過(guò)模塊化設(shè)計(jì)(如儲(chǔ)能一體柜),1MW/2MWh系統(tǒng)僅需8臺(tái)柜體,系統(tǒng)初始成本降低5%,投資回報(bào)周期縮短2.4個(gè)月。

4. 電網(wǎng)適應(yīng)性與安全性增強(qiáng)

低反向恢復(fù)損耗:SiC MOSFET內(nèi)嵌SBD二極管,反向恢復(fù)電流(Qrr)和損耗(Err)遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)器件(如文檔中對(duì)比W和I品牌),提升電網(wǎng)浪涌電流抵御能力。

米勒鉗位功能:集成米勒鉗位的驅(qū)動(dòng)方案(如BTD5350系列)有效抑制誤開(kāi)通風(fēng)險(xiǎn),確保系統(tǒng)在電網(wǎng)電壓波動(dòng)時(shí)的穩(wěn)定運(yùn)行。

5. 行業(yè)趨勢(shì)與技術(shù)成熟

政策與市場(chǎng)需求:全球能源轉(zhuǎn)型推動(dòng)對(duì)高效儲(chǔ)能系統(tǒng)的需求,SiC器件憑借性能優(yōu)勢(shì)成為工商業(yè)儲(chǔ)能的優(yōu)選方案。

供應(yīng)鏈完善:BASiC基本等廠(chǎng)商推出全產(chǎn)業(yè)鏈解決方案(包括模塊、驅(qū)動(dòng)芯片、隔離電源等),降低設(shè)計(jì)門(mén)檻,加速SiC技術(shù)的商業(yè)化落地。

6. 性能對(duì)比優(yōu)勢(shì)

靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù)對(duì)比顯示,BASiC的BMF240R12E2G3在導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)損耗(如Eon負(fù)溫度特性)、體二極管性能(VSD低至1.35V)等關(guān)鍵指標(biāo)上優(yōu)于國(guó)際競(jìng)品,進(jìn)一步推動(dòng)行業(yè)采用。

工商業(yè)儲(chǔ)能PCS方案趨勢(shì)加速演進(jìn):

SiC模塊憑借高效率、高可靠性、緊湊設(shè)計(jì)及成本優(yōu)勢(shì),解決了工商業(yè)儲(chǔ)能PCS在高溫、高功率、高頻應(yīng)用中的核心痛點(diǎn),同時(shí)隨著技術(shù)成熟和產(chǎn)業(yè)鏈完善,其綜合性?xún)r(jià)比已超越傳統(tǒng)方案,成為行業(yè)主流選擇。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    8625

    瀏覽量

    220595
  • 儲(chǔ)能變流器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    110

    瀏覽量

    5743
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    基于SiC碳化硅功率模塊的雙并聯(lián)設(shè)計(jì)135kW/145kW工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS

    ,針對(duì)135kW/145kW工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS)的系統(tǒng)化設(shè)計(jì)方案,從電氣配置、均流優(yōu)化、熱管理到經(jīng)濟(jì)性進(jìn)行全方位解析: ? 一、并聯(lián)
    的頭像 發(fā)表于 07-01 17:55 ?156次閱讀
    基于<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>模塊</b>的雙并聯(lián)設(shè)計(jì)135kW/145kW<b class='flag-5'>工商業(yè)</b><b class='flag-5'>儲(chǔ)</b><b class='flag-5'>能變流器</b>(<b class='flag-5'>PCS</b>)

    基于SiC碳化硅模塊的125kW工商業(yè)儲(chǔ)PCS解決方案:效率躍升1%

    傾佳電子推廣基于SiC碳化硅的125kW工商業(yè)儲(chǔ)PCS解決方案:效率躍升1% 隨著全球
    的頭像 發(fā)表于 06-23 11:20 ?182次閱讀
    基于<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>模塊</b>的125kW<b class='flag-5'>工商業(yè)</b><b class='flag-5'>儲(chǔ)</b>能<b class='flag-5'>PCS</b>解決<b class='flag-5'>方案</b>:效率躍升1%

    基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

    亞非拉市場(chǎng)工商業(yè)儲(chǔ)能破局之道:基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決
    的頭像 發(fā)表于 06-08 11:13 ?388次閱讀
    基于<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>模塊</b>的高效、高可靠<b class='flag-5'>PCS</b>解決<b class='flag-5'>方案</b>

    效率高達(dá)98.x%?揭開(kāi)SiC碳化硅功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS的面紗

    效率高達(dá)98.x%的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCSSiC碳化硅模塊
    的頭像 發(fā)表于 04-27 16:37 ?235次閱讀
    效率高達(dá)98.x%?揭開(kāi)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>模塊</b><b class='flag-5'>工商業(yè)</b><b class='flag-5'>儲(chǔ)</b><b class='flag-5'>能變流器</b><b class='flag-5'>PCS</b>的面紗

    BMF240R12E2G3成為新一代工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS)首選的SiC MOSFET功率模塊

    對(duì)高性能、高穩(wěn)定性功率模塊的核心需求。BMF240R12E2G3成為新一代工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS)首選的
    的頭像 發(fā)表于 04-14 18:31 ?299次閱讀

    碳化硅SiC)功率模塊方案對(duì)工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS市場(chǎng)格局的重構(gòu)

    碳化硅SiC模塊方案(如BMF240R12E2G3)對(duì)工商業(yè)儲(chǔ)
    的頭像 發(fā)表于 04-13 19:42 ?282次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)功率<b class='flag-5'>模塊</b><b class='flag-5'>方案</b>對(duì)<b class='flag-5'>工商業(yè)</b><b class='flag-5'>儲(chǔ)</b><b class='flag-5'>能變流器</b><b class='flag-5'>PCS</b>市場(chǎng)格局的重構(gòu)

    如何用SiC模塊打造最高效率大于98.8%的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS

    如何用SiC模塊打造最高效率及高性?xún)r(jià)比的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS) 通過(guò) 半橋兩電平拓?fù)淙嗨木€(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 04-11 14:54 ?316次閱讀
    如何用<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>模塊</b>打造最高效率大于98.8%的<b class='flag-5'>工商業(yè)</b><b class='flag-5'>儲(chǔ)</b><b class='flag-5'>能變流器</b><b class='flag-5'>PCS</b>

    碳化硅功率模塊儲(chǔ)能變流器SiC-PCS工商業(yè)儲(chǔ)能領(lǐng)域的滲透率加速狂飆

    SiC碳化硅模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS)全面替代
    的頭像 發(fā)表于 03-27 17:04 ?435次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>模塊</b><b class='flag-5'>儲(chǔ)</b><b class='flag-5'>能變流器</b><b class='flag-5'>SiC-PCS</b><b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>工商業(yè)</b><b class='flag-5'>儲(chǔ)</b>能領(lǐng)域的滲透率加速狂飆

    工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS)加速跨入碳化硅SiC模塊時(shí)代

    工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS)加速跨入碳化硅SiC模塊
    的頭像 發(fā)表于 03-26 06:46 ?420次閱讀
    <b class='flag-5'>工商業(yè)</b><b class='flag-5'>儲(chǔ)</b><b class='flag-5'>能變流器</b>(<b class='flag-5'>PCS</b>)加速跨入<b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)<b class='flag-5'>模塊</b>時(shí)代

    SiC模塊解決儲(chǔ)能變流器PCSSiC MOSFET雙極性退化失效痛點(diǎn)

    碳化硅SiC) MOSFET的雙極性退化(Bipolar Degradation)是其實(shí)際應(yīng)用中面臨的重要可靠性問(wèn)題,尤其儲(chǔ)
    的頭像 發(fā)表于 03-09 06:44 ?753次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>模塊</b>解決<b class='flag-5'>儲(chǔ)</b><b class='flag-5'>能變流器</b><b class='flag-5'>PCS</b>中<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET雙極性退化失效痛點(diǎn)

    基本半導(dǎo)體產(chǎn)品125kW工商業(yè)儲(chǔ)PCS中的應(yīng)用

    工商業(yè)儲(chǔ)能系統(tǒng)中,儲(chǔ)能變流器PCS)是核心組件之一,其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。隨
    的頭像 發(fā)表于 03-03 16:35 ?1443次閱讀
    基本半導(dǎo)體產(chǎn)品<b class='flag-5'>在</b>125kW<b class='flag-5'>工商業(yè)</b><b class='flag-5'>儲(chǔ)</b>能<b class='flag-5'>PCS</b>中的應(yīng)用

    儲(chǔ)能變流器PCS碳化硅功率模塊全面取代IGBT模塊

    儲(chǔ)能變流器PCS)中,碳化硅SiC)功率模塊
    的頭像 發(fā)表于 02-05 14:37 ?659次閱讀

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流
    發(fā)表于 01-20 14:19

    基于SiC碳化硅的雙向儲(chǔ)能變流器PCS設(shè)計(jì)

    隨著雙向儲(chǔ)能變流器(PCS)朝著高電壓、高效率的趨勢(shì)發(fā)展,SiC器件雙向PCS中開(kāi)始應(yīng)用。
    的頭像 發(fā)表于 01-06 08:47 ?1141次閱讀

    基本半導(dǎo)體產(chǎn)品125kW工商業(yè)儲(chǔ)PCS中的應(yīng)用

    SiC-MOSFET碳化硅模塊125kW工商業(yè)PCS中的應(yīng)用
    發(fā)表于 12-30 15:22 ?3次下載