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標(biāo)簽 > MOSFET
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統(tǒng)上應(yīng)用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位信號處理的場合上,也有越來越多模擬信號處理的集成電路可以用MOSFET來實現(xiàn)。
安森美SiC Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹
安森美推出了具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用,如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系...
BLDC驅(qū)動必修課:為何現(xiàn)代MOSFET驅(qū)動IC偏愛“上高下高”邏輯???
在無刷直流(BLDC)電機(jī)的控制系統(tǒng)中,6路PWM信號精準(zhǔn)控制上下橋MOSFET的開關(guān)是核心。你是否注意到,驅(qū)動IC對PWM高低電平有效性的配置,經(jīng)歷了...
TPS54531 具有 Eco 模式的 3.5V 至 28V 輸入、5A、570kHz 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS54531 器件是一款 28V、5A 非同步降壓轉(zhuǎn)換器,集成了低 R DS(on) 高側(cè) MOSFET。為了提高輕負(fù)載時的效率,脈沖跳躍 Eco ...
TPS54540 具有 Eco 模式的 42 V、5 A、降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS54540 是一款 42 V、5 A 降壓穩(wěn)壓器,集成了高壓側(cè) MOSFET。該器件可承受高達(dá) 45V 的負(fù)載突降脈沖,符合 ISO 7637 標(biāo)...
2025-06-27 標(biāo)簽:MOSFET元件降壓穩(wěn)壓器 129 0
TPS65288 4.5V 至 18V 輸入、3A/2A/2A 三路同步降壓轉(zhuǎn)換器,帶雙負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS65288 是一款具有 3 個降壓轉(zhuǎn)換器的電源管理 IC。兩個高側(cè) 并集成了低側(cè) MOSFET,以提供更高效率的完全同步轉(zhuǎn)換。 這些轉(zhuǎn)換器旨在簡化...
2025-06-27 標(biāo)簽:MOSFET電源管理IC降壓轉(zhuǎn)換器 148 0
TPS65287 4.5V 至 18V 輸入,3A/2A/2A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,帶負(fù)載開關(guān)和按鈕控制數(shù)據(jù)手冊
TPS65287 是一款具有 3 個降壓轉(zhuǎn)換器的電源管理 IC。兩個高側(cè) 并集成了低側(cè) MOSFET,以提供更高效率的完全同步轉(zhuǎn)換。 這些轉(zhuǎn)換器旨在簡化...
TPS560200 17V 輸入、500mA 同步降壓穩(wěn)壓器,采用 SOT-23 封裝,具有高級節(jié)能模式?數(shù)據(jù)手冊
TPS560200 是 17V、500mA、低 Iq 自適應(yīng)器件 導(dǎo)通時間 D-CAP2 模式同步單片降壓轉(zhuǎn)換器,集成 MOSFET,易于使用 5 引腳...
TPS53515 1.5V 至 18V、12A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS53515是一款由德州儀器(Texas Instruments)生產(chǎn)的高效、單通道同步降壓SWIFT?轉(zhuǎn)換器,適用于1.5V至18V的輸入電壓范圍...
2025-06-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET光通信 173 0
TPS53513 1.5V 至 18V、8A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS53513 器件是一款小型同步降壓轉(zhuǎn)換器,具有自適應(yīng)導(dǎo)通時間 D-CAP3 控制模式。該器件易于使用,外部元件數(shù)量少,適用于注重空間的電源系統(tǒng)。 ...
2025-06-26 標(biāo)簽:MOSFET元件電源系統(tǒng) 155 0
禾納AET3156AP P通道EpicMOST規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-06-19 標(biāo)簽:MOSFET 71 0
AET3152AP常用P溝道場效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-23 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管p溝道 128 0
AET3152AP P溝道高級模式MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-22 標(biāo)簽:MOSFETp溝道 60 0
ZSKY-ZS7N65A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 43 0
ZSKYN- 120N06D- TO252-2L N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 76 0
2025高端掃地機(jī)器人MOSFET選型分析:從分立器件到系統(tǒng)級能效革命
在2025年智能清潔設(shè)備激烈競爭中,旗艦級掃地機(jī)器人的性能邊界正被MOSFET技術(shù)重新定義。本文深度拆解最新一代產(chǎn)品的功率電子架構(gòu),揭示三大核心發(fā)現(xiàn): ...
性能飛躍!納芯微新一代CSP MOS NPM12017A守衛(wèi)鋰保安全
納芯微發(fā)布全新CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12017A系列,性能顯著提升,阻值降低26%,溫升降30%,耐受能力提升50%,達(dá)國...
揚(yáng)杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品
揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品,產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低導(dǎo)通...
2025-06-27 標(biāo)簽:MOSFET清潔能源揚(yáng)杰科技 174 0
集成單相MOSFET驅(qū)動器、高端MOSFET和低端MOSFET為一體的驅(qū)動器
電機(jī)驅(qū)動芯片是包含了速度控制、力矩控制、位置控制及過載保護(hù)等功能的集成電路,可以根據(jù)輸入信號,按照內(nèi)置的算法控制電機(jī)繞組電路流動方向,從而控制電動機(jī)的啟...
揚(yáng)杰科技亮相2025南京世界半導(dǎo)體博覽會
此前,6.20~22日,為期三天的2025南京世界半導(dǎo)體博覽會圓滿落幕,本次大會集聚優(yōu)勢資源,聚焦人工智能技術(shù)、第三代半導(dǎo)體、汽車半導(dǎo)體、先進(jìn)封裝等熱點(diǎn)...
2025-06-24 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體揚(yáng)杰科技 450 0
IPAC碳化硅直播季丨如何應(yīng)用CoolSiC? MOSFET設(shè)計高能效系統(tǒng)?
碳化硅直播季首場直播收獲了過萬的觀看量,“打鐵需趁熱”,第一期話題直直戳中了可靠性這個核心戰(zhàn)場,第二期就必須得火力全開,好好嘮嘮怎么把碳化硅的優(yōu)勢發(fā)揮到...
IGBT指的是什么?工作原理、特性、測量關(guān)鍵參數(shù)?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱為? 絕緣柵雙極型晶體管 ?,是一種復(fù)合全控型功率半導(dǎo)體器件,兼具? ...
英飛凌新一代750V SiC MOSFET產(chǎn)品亮點(diǎn)
英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業(yè)界領(lǐng)先的抗寄生導(dǎo)通能力和成熟的柵極氧化層技術(shù),可在Totem Pole、ANPC、Vie...
東芝推出兩項創(chuàng)新技術(shù)提升碳化硅功率器件性能
日本川崎——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(簡稱“東芝”)研發(fā)了一項創(chuàng)新技術(shù),該技術(shù)可在增強(qiáng)溝槽型碳化硅(SiC)MOSFET[2]的UIS耐用性[3]...
吉時利數(shù)字源表2450如何實現(xiàn)MOSFET柵極漏電流的超低噪聲測量
一、引言 隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展,MOSFET的尺寸不斷縮小,柵極漏電流成為影響器件性能的重要因素。柵極漏電流不僅增加電路功耗,還可能引入噪聲,影響信...
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