全球領(lǐng)先的納米電子和數(shù)字技術(shù)研究及創(chuàng)新中心Imec聯(lián)合先進的特殊工藝半導體晶圓代工廠格芯?（GLOBALFOUNDRIES?），宣布一款新型人工智能芯片。這款新型芯片基于采用格芯22FDX?解決方案的Imec模擬內(nèi)存內(nèi)計算（AiMC）架構(gòu)，經(jīng)過優(yōu)化可在模擬域的內(nèi)存計算硬件上執(zhí)行深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計算。該加速器可以實現(xiàn)高達2，900 TOPS/W的創(chuàng)紀錄能效，是低功耗設(shè)備邊緣推理的關(guān)鍵要素。這項新技術(shù)在隱私、安全和延遲方面的優(yōu)勢將會對各種邊緣設(shè)備的人工智能應用產(chǎn)生影響，包括從智能揚聲器至自動駕駛汽車等應用。

自早期的數(shù)字計算時代以來，處理器就已經(jīng)與存儲器分離開來。使用大量數(shù)據(jù)進行的運算同樣需要大量從存儲器檢索的數(shù)據(jù)元素。這種限制（稱為馮諾依曼瓶頸）可能會掩蓋實際的計算時間，尤其是在依賴于大型向量矩陣乘法運算的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中。這些計算利用精密的數(shù)字計算機進行，并且需要消耗大量的能量。但是，如果使用精度較低的模擬技術(shù)進行向量矩陣乘法運算，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)也能獲得準確的結(jié)果。

為應對這個挑戰(zhàn)，Imec及其工業(yè)聯(lián)盟機器學習計劃的行業(yè)合作伙伴（包括格芯）開發(fā)了一個新架構(gòu)。該架構(gòu)通過在SRAM單元中進行模擬計算，消除了馮諾依曼瓶頸問題。由此而來的模擬推理加速器（AnIA）構(gòu)建于格芯22FDX半導體平臺上，能效表現(xiàn)出色。表征測試表明，能效最高可達2，900 TOPS/W。如今可以在這款高能效加速器上本地執(zhí)行微型傳感器和低功率邊緣設(shè)備中的模式識別（通常由數(shù)據(jù)中心的機器學習提供支持）。

Imec機器學習計劃總監(jiān)Diederik Verkest表示：“AnIA的成功試產(chǎn)標志著模擬內(nèi)存內(nèi)計算（AiMC）的驗證又向前邁出了重要一步。此次參考實現(xiàn)不僅表明模擬內(nèi)存內(nèi)計算是切實可行的，而且還可實現(xiàn)數(shù)字加速器10至100倍的能效。在Imec的機器學習計劃中，我們對現(xiàn)有的以及新興的內(nèi)存設(shè)備進行優(yōu)化調(diào)整，使它們適合模擬內(nèi)存內(nèi)計算。這些令人滿意的結(jié)果鼓舞著我們進一步開發(fā)這項技術(shù)，朝著10，000 TOPS/W的目標邁進?！?/p>

格芯計算和有線基礎(chǔ)架構(gòu)產(chǎn)品管理副總裁Hiren Majmudar表示：“格芯一直與Imec保持著密切合作伙伴關(guān)系，以便利用我們的低功耗、高性能22FDX平臺實現(xiàn)新型AnIA芯片。此款測試芯片是向業(yè)界展示22FDX如何顯著降低能耗密集型人工智能和機器學習應用功耗的關(guān)鍵一步?！?/p>

展望未來，格芯將在22FDX平臺上實現(xiàn)AiMC功能，以便在AI市場領(lǐng)域提供差異化解決方案。格芯的22FDX采用22nm FD-SOI技術(shù)，在極低功耗下提供出色的性能，并能夠以0.5 V超低電壓和1皮安/微米（pA/um）的電流工作，實現(xiàn)超低待機泄漏。具有全新AiMC功能的22FDX正在格芯位于德國德累斯頓Fab 1的先進300mm生產(chǎn)線上進行開發(fā)。
責任編輯：tzh