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5G時(shí)代POI襯底SAW大熱,以高性能和更優(yōu)成本取代TC-SAW和BAW

花茶晶晶 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:黃晶晶 ? 2020-07-27 17:13 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)

最近,高通與Soitec達(dá)成協(xié)議,Soitec將為高通的射頻濾波器大規(guī)模生產(chǎn)POI襯底,以用于智能手機(jī)射頻前端模塊。今年初高通發(fā)布的ultraSAW濾波器技術(shù)正是基于SoitecPOI襯底。

什么是POI襯底?

Soitec濾波器業(yè)務(wù)經(jīng)理Christophe Didier在近期的媒體說(shuō)明會(huì)上,對(duì)包括電子發(fā)燒友網(wǎng)在內(nèi)的行業(yè)媒體詳解了POI襯底的技術(shù)和市場(chǎng)前景。

POI襯底在最頂層是一層大概幾百納米厚的單晶的壓電層,在它之下是一層氧化埋層,大概也是幾百納米厚度,在最底下基底的部分是高電阻率硅材料。

來(lái)源:Soitec


POI用的壓電材料和當(dāng)前一般使用在SAW(聲表面波)濾波器用的材料一樣,主要包括兩種材料,分別是鉭酸鋰和鈮酸鋰。而這里的氧化埋層相當(dāng)于溫度補(bǔ)償層,作用是抑制壓電材料,因?yàn)閴弘姴牧显跍囟茸兓臅r(shí)候可能會(huì)擴(kuò)張或者收縮,從而影響到頻率,因而需要氧化埋層抑制壓電材料,即器件層的鉭酸鋰或鈮酸鋰。

而底層的高電阻率硅的作用是減少損耗。能夠在極薄的壓電層限制波能等效。而由于能很好地控制整個(gè)壓電層,可以在壓電層獲得更好的等效的波傳播。

因此,主要的射頻前端生產(chǎn)商已經(jīng)開始生產(chǎn)以POI為襯底的濾波器,主要采用的規(guī)格是直徑150毫米的POI,此款POI產(chǎn)品作為第一個(gè)使用Smart CutTM技術(shù)生產(chǎn)非硅類材料的優(yōu)化襯底,目前在Soitec法國(guó)貝寧3廠已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

從未來(lái)的技術(shù)發(fā)展來(lái)看,Soitec計(jì)劃使用鈮酸鋰代替鉭酸鋰,從而更好地把握濾波器的帶寬,同時(shí)也在開發(fā)直徑200毫米的POI襯底,以降低總體成本。

POI襯底SAW可取代TC-SAW和BAW

濾波器有不同的類型,包括SAW、BAW、XBAR等,而POI襯底的SAW以其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)在5G架構(gòu)上能夠取代TC-SAW(溫度補(bǔ)償型SAW)和BAW。

Christophe Didier解析,SAW對(duì)溫度過(guò)于敏感,溫度變化會(huì)影響頻率,但這種溫度的敏感是可以改善的,這種溫度帶來(lái)的變化叫做TCF,衡量單位是ppm.K,改善方法就是通過(guò)TC-SAW(溫度補(bǔ)償型SAW)加上一層溫度補(bǔ)償層。

來(lái)源:Soitec


另外一項(xiàng)濾波器技術(shù)BAW(體聲波),它的過(guò)程特別復(fù)雜,需要很多步驟才能搭建一個(gè)聲學(xué)上需要的“腔”。

通過(guò)對(duì)比可以看到,基于POI襯底的SAW技術(shù)優(yōu)勢(shì)就是能源效率更高,比TC-SAW的能源損耗更小。所以它相對(duì)于SAW和TC-SAW,獲得了更高頻率、更廣帶寬。相對(duì)BAW來(lái)說(shuō),這種基于POI襯底的SAW工藝流程更簡(jiǎn)單且成本更低。因?yàn)榭梢詫⒑芏鄠€(gè)濾波器集成在同一個(gè)芯片上,所以面積也更小。從生產(chǎn)角度來(lái)講,它的生產(chǎn)流程跟SAW是相似的,但是比TC-SAW和BAW都要簡(jiǎn)單很多。

通過(guò)幾組測(cè)試數(shù)據(jù)來(lái)看基于POI襯底的SAW性能與優(yōu)勢(shì):

第一個(gè)系數(shù)是品質(zhì)系數(shù),采用Bode Q來(lái)測(cè)量中頻段的諧振器的參數(shù),測(cè)出來(lái)的參數(shù)是大于4000。

第二個(gè)參數(shù)是耦合系數(shù),耦合系數(shù)涉及到可以實(shí)現(xiàn)更廣帶寬的濾波功能,這里耦合系數(shù)k2測(cè)出來(lái)是大于8%。

第三個(gè)參數(shù)是TCF(頻率溫度系數(shù)),這是跟溫度相關(guān)的、導(dǎo)致頻率變化的一個(gè)系數(shù),我們測(cè)得的TCF是小于10 ppm.K-1。

相較于TC-SAW一般用于低頻段和中頻段的濾波技術(shù),BAW則一般用于中頻段和高頻段,POI襯底的SAW可以解決中頻段和高頻段這兩個(gè)頻段的技術(shù)難題,在5G濾波器方面成為取代TC-SAW和BAW的更優(yōu)解決方案。

市場(chǎng)前景

濾波器在5G智能手機(jī)上是非常關(guān)鍵的組件,鑒于5G的MIMO、載波聚合等技術(shù)的使用,預(yù)計(jì)智能手機(jī)在5G時(shí)代的前端模塊的濾波器面積將會(huì)增加50%。

根據(jù)Yole Development的數(shù)據(jù),射頻濾波器未來(lái)的市場(chǎng)規(guī)模從2018年的31億美元有望上升到2025年的約51億美元。就POI襯底的價(jià)值而言,Christophe Didier認(rèn)為POI襯底將會(huì)成為未來(lái)幾年的一項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。到2024年預(yù)計(jì)POI襯底的可服務(wù)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到100萬(wàn)片的晶圓。

本文由電子發(fā)燒友網(wǎng)原創(chuàng),未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載。如需轉(zhuǎn)載,請(qǐng)?zhí)砑游?a target="_blank">信號(hào)elecfans999。


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