微波功率放大器主要分為真空和固態(tài)兩種形式?；谡婵掌骷墓β史糯笃?，曾在軍事裝備的發(fā)展史上扮演過(guò)重要角色，而且由于其功率與效率的優(yōu)勢(shì)，現(xiàn)在仍廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、通信、電子對(duì)抗等領(lǐng)域。后隨著GaAs晶體管的問(wèn)世，固態(tài)器件開始在低頻段替代真空管，尤其是隨著GaN，SiC等新材料的應(yīng)用，固態(tài)器件的競(jìng)爭(zhēng)力已大幅提高[1]。本文將對(duì)兩種器件以及它們競(jìng)爭(zhēng)與融合的產(chǎn)物——微波功率模塊（MPM）的發(fā)展情況作一介紹與分析，以充分了解國(guó)際先進(jìn)水平，也對(duì)促進(jìn)國(guó)內(nèi)技術(shù)的發(fā)展有所助益。

1. 真空放大器件

跟固態(tài)器件相比，真空器件的主要優(yōu)點(diǎn)是工作頻率高、頻帶寬、功率大、效率高，主要缺點(diǎn)是體積和質(zhì)量均較大。真空器件主要包括行波管、磁控管和速調(diào)管，它們具有各自的優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用于不同的領(lǐng)域。其中，行波管主要優(yōu)勢(shì)為頻帶寬，速調(diào)管主要優(yōu)勢(shì)為功率大，磁控管主要優(yōu)勢(shì)為效率高。行波管應(yīng)用最為廣泛，因此本文主要以行波管為例介紹真空器件。

1.1 歷史發(fā)展

真空電子器件的發(fā)展可追溯到二戰(zhàn)期間。1963年，TWTA技術(shù)在設(shè)計(jì)變革方面取得了實(shí)質(zhì)性進(jìn)展，提高了射頻輸出的功率和效率，封裝也更加緊湊。1973年，歐洲首個(gè)行波管放大器研制成功。然而，到了20世紀(jì)70年代中期，半導(dǎo)體器件異軍突起，真空器件投入大幅減少，其發(fā)展遭遇極大困難。直到21世紀(jì)初，美國(guó)三軍特設(shè)委員會(huì)詳細(xì)討論了功率器件的歷史、現(xiàn)狀和發(fā)展，指出真空器件和固態(tài)器件之間的平衡投資戰(zhàn)略。2015年，美國(guó)先進(jìn)計(jì)劃研究局DARPA分別啟動(dòng)了INVEST，HAVOC計(jì)劃，支持真空功率器件的發(fā)展和不斷增長(zhǎng)的軍事系統(tǒng)需要，特別是毫米波及THz行波管[2-4]。當(dāng)前真空器件已取得長(zhǎng)足進(jìn)步，在雷達(dá)、通信、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛。

1.2 研究與應(yīng)用現(xiàn)狀

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，現(xiàn)階段行波管主要呈現(xiàn)以下特點(diǎn)。一是高頻率、寬帶、高效率的特點(diǎn)，可有效減小系統(tǒng)的體積、重量、功耗和熱耗，在星載、彈載、機(jī)載等平臺(tái)上適應(yīng)性更強(qiáng)，從而在軍事應(yīng)用上優(yōu)勢(shì)突出。二是耐高溫特性，使行波管的功率和相位隨著溫度的變化波動(dòng)微小，對(duì)系統(tǒng)的環(huán)境控制要求大大降低。三是抗強(qiáng)電磁干擾和攻擊特性，使其在高功率微波武器和微波彈的對(duì)抗中顯示出堅(jiān)實(shí)的生存能力。四是壽命大幅提高，統(tǒng)計(jì)研究顯示，大功率行波管使用壽命普遍大于5 000 h，中小功率產(chǎn)品壽命大于10 000 h，達(dá)到武器全壽命周期。圖1為2000年前產(chǎn)品的平均首次故障時(shí)間（MTTF）統(tǒng)計(jì)，可以看出各類系統(tǒng)中真空器件的穩(wěn)定性都有提升，空間行波管的MTTF更是達(dá)到數(shù)百萬(wàn)h量級(jí)，表現(xiàn)出極高的可靠性[1, 4]。

圖 1 真空功率器件MTTF概況

公開報(bào)道顯示，美軍作戰(zhàn)平臺(tái)中真空器件被大量使用，是現(xiàn)役電子戰(zhàn)、雷達(dá)和通信的主要功率器件。新開發(fā)的高頻段、小型化行波管及功率模塊進(jìn)一步推動(dòng)高性能裝備的不斷出現(xiàn)。典型應(yīng)用包括車載防空反導(dǎo)系統(tǒng)、地基遠(yuǎn)程預(yù)警與情報(bào)系統(tǒng)、機(jī)載火控系統(tǒng)、無(wú)人機(jī)通信系統(tǒng)、電子戰(zhàn)系統(tǒng)、空間以及衛(wèi)星通信系統(tǒng)等[5]。下面介紹當(dāng)前正在研究和應(yīng)用的行波管的幾種重要技術(shù)。

1.2.1 行波管有源組陣技術(shù)

國(guó)外近幾年主要在更高頻段發(fā)展一系列的小型化行波管，頻段覆蓋X，Ku，K，Ka，140 GHz等，并不斷在新技術(shù)上獲得突破。國(guó)內(nèi)經(jīng)過(guò)近10多年的努力，行波管在保持大功率和高效率的前提下，體積減小了1個(gè)數(shù)量級(jí)，為有源組陣技術(shù)奠定了良好的基礎(chǔ)。

行波管有源組陣的形式分為單元放大式和子陣放大式兩種。與無(wú)源相控陣相比，其單個(gè)行波管的功率要求低，器件的可靠性和壽命相對(duì)較高。同時(shí)各通道相對(duì)獨(dú)立，某通道出現(xiàn)故障不會(huì)影響到其他通道，因此系統(tǒng)的可靠性高。而且整個(gè)輻射陣面可以分多個(gè)區(qū)域獨(dú)立工作，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)多目標(biāo)、多任務(wù)的能力。與固態(tài)有源相控陣相比，作用距離更遠(yuǎn)，威力更大，且配套的冷卻車和電源車相對(duì)短小精悍，系統(tǒng)機(jī)動(dòng)性高，戰(zhàn)場(chǎng)生存能力強(qiáng)。由于其全金屬、陶瓷密封結(jié)構(gòu)，在面對(duì)高功率微波武器時(shí)的生存能力更強(qiáng)。在相同的陣面功率時(shí)所需的單元數(shù)將少1個(gè)數(shù)量級(jí)，因此成本會(huì)大幅降低。與單脈沖雷達(dá)相比，其作用距離、分辨率、多目標(biāo)、多任務(wù)、壽命及任務(wù)可靠性等指標(biāo)會(huì)更好[5]。目前，國(guó)內(nèi)正在開展基于行波管的Ku波段稀布陣低柵瓣技術(shù)研究，以期在陣元間距30 mm的條件下實(shí)現(xiàn)?20 dB的柵瓣。

另外，與行波管有源組陣相配套的小型化大功率環(huán)行器研究進(jìn)展迅速。采用不等尺寸單元組成的非周期排列方式、徑向等間距排列的非周期環(huán)形陣和子陣非規(guī)則排列等新型陣面技術(shù)能夠很好解決大單元間距引起的柵瓣問(wèn)題，這些共同保障行波管有源組陣的推進(jìn)。

1.2.2 毫米波和THz行波管

5G移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展，對(duì)Ka到W波段的毫米波功率放大器提出了需求。未來(lái)5G需要寬帶接入一個(gè)地區(qū)，而又不能采用光纖的地方，則只能選擇毫米波波段[6]。THz波由于具有頻率高、寬帶寬、波束窄等特點(diǎn)，使得其在雷達(dá)探測(cè)領(lǐng)域具有重大的應(yīng)用潛力。但隨著頻率的升高，對(duì)器件的加工工藝要求也越來(lái)越高。近年來(lái)，微機(jī)械（MEMS）微細(xì)加工工藝的全面引入改善了傳統(tǒng)工藝，使得真空器件工作頻率進(jìn)入到毫米波和THz頻段，現(xiàn)有器件最高已經(jīng)達(dá)到1 THz。短毫米波行波管近年來(lái)漸趨成熟，并初步形成了相關(guān)的系列產(chǎn)品，表1為國(guó)內(nèi)外典型毫米波行波管產(chǎn)品[7]。諾格公司在2013年成功研制出了220 GHz的折疊波導(dǎo)行波管功率放大器，國(guó)內(nèi)中電第十二研究所以及中國(guó)工程物理研究院都開展了220 GHz行波管的研究工作，諾格公司在2016年還首次將行波管工作頻率提高到1 THz[8]。表2為一些THz行波管典型研究的測(cè)試結(jié)果。

1.3 發(fā)展趨勢(shì)

1.3.1 更高頻段

毫無(wú)疑問(wèn)，工作頻段高是TWTA的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)所在。在高頻段，固態(tài)功率放大器（SSPA）的輸出功率和效率均遠(yuǎn)低于TWTA，因此高頻化是TWTA的必然發(fā)展趨勢(shì)。MEMS微細(xì)加工工藝促使毫米波和THz頻段的研究推進(jìn)?？臻g行波管隨著Ku波段的趨于飽和以及高清電視、多媒體通信等市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)使得Ka波段的應(yīng)用逐漸增多，而且有往Q/V頻段遷移的趨勢(shì)，已逐漸成為新的研究熱點(diǎn)[9]。而THz頻段的通信具有極高傳輸速率，隨著波導(dǎo)技術(shù)的進(jìn)步，在外太空探測(cè)中TWTA的應(yīng)用潛力很大。

1.3.2 更高的效率

應(yīng)用以來(lái)，各個(gè)波段行波管的效率均在不斷提高。目前L3公司制造的Ku波段88125H，效率可達(dá)73%，為當(dāng)前公開報(bào)道的最高值。目前電源效率已經(jīng)很高，普遍優(yōu)于90%，進(jìn)一步提高效率將是一種研發(fā)挑戰(zhàn)，因此主要靠提高行波管的效率以實(shí)現(xiàn)總效率值的增加。通過(guò)優(yōu)化行波管螺旋節(jié)距分布就是一種提升效率的有效方法[10]。

1.3.3 小型化行波管

TWTA小型化技術(shù)在過(guò)去幾十年中已有了顯著的改進(jìn)，而且行波管有源組陣等技術(shù)的發(fā)展推動(dòng)著行波管小型化不斷向前發(fā)展。另外TWTA的一個(gè)潛在的變化是增加Mini-TWT的使用。Mini-TWT是傳統(tǒng)TWT的小版本，是微波功率模塊的基礎(chǔ)，雖無(wú)法達(dá)到高射頻輸出功率，但在減小體積的同時(shí)也提高了效率，尤其在衛(wèi)星通信等領(lǐng)域影響重大[11-12]。

2. 固態(tài)放大器件

固態(tài)器件，也就是半導(dǎo)體電子器件。與TWTA類似，SSPA通常需配置集成電源，其不同在于，SSPA使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為射頻功率放大的主要器件，工作電壓低，實(shí)現(xiàn)也更加容易。由于其單體輸出功率較低，為了實(shí)現(xiàn)高功率放大，SSPA需要將許多功率晶體管并聯(lián)放置，從而實(shí)現(xiàn)輸出功率的合成。固態(tài)器件具有體積小、噪聲低、穩(wěn)定性好的優(yōu)點(diǎn)，缺點(diǎn)是應(yīng)用頻帶低、單體輸出功率小、效率低。

2.1 歷史發(fā)展

二戰(zhàn)以來(lái)，信息技術(shù)取得了飛速發(fā)展，發(fā)起并推動(dòng)了第三次科技革命，深刻地改變了人們的生活和學(xué)習(xí)方式，也改變了世界格局和軍事斗爭(zhēng)形式。微電子技術(shù)是信息技術(shù)的核心，而半導(dǎo)體材料是微電子技術(shù)的基石[13]。受半導(dǎo)體材料本身的限制，固態(tài)功率器件效率比較低，在較高頻率下輸出功率非常小，并且隨著頻率和帶寬的增加，其輸出功率電平顯著下降，器件成本也大幅度上升。為滿足無(wú)線通訊、雷達(dá)、航空航天等對(duì)器件高頻率、寬帶寬、大功率和高效率的要求，20世紀(jì)90年代起，以GaN和SiC為代表的寬禁帶新型半導(dǎo)體材料深刻地改變了固態(tài)功率放大器的性能，并引起了人們的關(guān)注和研究。

2.2 研究與應(yīng)用現(xiàn)狀

2.2.1 應(yīng)用現(xiàn)狀

公開信息顯示，各家的產(chǎn)品主要還是集中在L，S和C波段。就空間應(yīng)用SSPA來(lái)說(shuō)，2016年，馬薩諸塞州航空航天技術(shù)研究所的研究表明，SSPA實(shí)際上可用于高達(dá)Ku波段的頻率，且該波段中SSPAs的比例從波音公司之前研究中的大約1%增加到6%，但更高波段則很少有應(yīng)用了。一些領(lǐng)先的制造商的產(chǎn)品也可以大致說(shuō)明SSPA的應(yīng)用情況。NEC公司的SSPA，在L波段輸出功率和標(biāo)稱增益為55 W和61 dB，S波段為24 W和70 dB，C波段則為20 W和86 dB。Airbus Defense and Space公司開發(fā)的SSPA，L波段和S波段器件的輸出功率為15 W，效率為31%，標(biāo)稱增益為67 dB，C波段的輸出功率為20 W，效率為37%，標(biāo)稱增益為70 dB[11]。

2.2.2 GaN產(chǎn)品

GaN材料作為寬禁帶半導(dǎo)體的重要代表，以優(yōu)越的性能優(yōu)勢(shì)，在眾多半導(dǎo)體材料中脫穎而出，引起了廣泛的關(guān)注和研究。如表3所示，GaN相比其它材料具有更優(yōu)越的特性：大的禁帶寬度，是GaN材料大功率應(yīng)用的根本所在；優(yōu)越的電子遷移率，決定了器件的最高工作頻率和放大增益；高的飽和電子漂移速度，提高了頻率特性，使其適于高頻器件的應(yīng)用；高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，有利于器件應(yīng)用于大功率信號(hào)，也有利于器件尺寸的減??；良好的熱導(dǎo)率，可降低溝道溫度，使得器件的工作性能穩(wěn)定；低的介電常數(shù)，這可使器件尺寸增大以提高器件功率，也可提高器件頻率特性；高的Baliga優(yōu)值，使其特別適合于高頻寬帶大功率領(lǐng)域應(yīng)用[13-14]。

近年來(lái)，在微波發(fā)射系統(tǒng)中普遍應(yīng)用多個(gè)微波單片集成電路（MMIC）進(jìn)行功率合成以獲得更高的輸出功率。而采用GaN材料研制的MMIC單片功率密度高、電流小、效率高。國(guó)內(nèi)已采用Ku頻段GaN材料單片和一款波導(dǎo)合成網(wǎng)絡(luò)研制出一種功率放大器，并通過(guò)多個(gè)該放大器進(jìn)行功率合成，得到了更大的寬帶輸出功率，在軍事及民用領(lǐng)域均可適用[15-16]。另提出了一種基于等效電路參數(shù)多偏差統(tǒng)計(jì)模型的微波GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）功率放大器的設(shè)計(jì)方法，并利用統(tǒng)計(jì)建模方法驗(yàn)證了統(tǒng)計(jì)模型。采用此模型進(jìn)行Ku波段GaN HEMT功率放大器設(shè)計(jì)，具有較高的漏極效率，模擬結(jié)果在統(tǒng)計(jì)上與測(cè)量結(jié)果一致[17]。

2.3 發(fā)展趨勢(shì)

GaN和SiC等新材料優(yōu)勢(shì)明顯，它們使得固態(tài)器件的功率、頻率和帶寬都得到了極大的提高。SiC的材料成本較高，這也成為阻礙其發(fā)展的一個(gè)因素，但應(yīng)用前景廣闊。GaN技術(shù)正快速發(fā)展并逐步走向應(yīng)用，未來(lái)還將繼續(xù)向高功率和高效率改進(jìn)，包括基于金剛石襯底提高散熱能力和最大功率密度，采用新型場(chǎng)板結(jié)構(gòu)改善晶體管電流崩塌效應(yīng)以提高輸出功率，采用堆疊結(jié)構(gòu)提高功放電路電壓擺幅和輸出功率等。此外，它還將繼續(xù)向更高頻段突破，包括等比例縮小技術(shù)提升特征頻率，克服擊穿電壓降低、短溝道效應(yīng)、漏延遲、寄生RC延遲惡化等問(wèn)題。更高集成度增強(qiáng)技術(shù)，電滲析法（ED）工藝技術(shù)及支持片上系統(tǒng)SoC技術(shù)等也是其發(fā)展方向[18]。

3. 微波功率模塊

如前所述，電真空器件單管功率大于固態(tài)器件，可以應(yīng)用的頻段也更高，但真空器件需要高壓電源，體積和質(zhì)量較大。而固態(tài)功率器件由于半導(dǎo)體本身材料限制，效率較低，而且不適用于高頻率。在此情況下，微波功率模塊（MPM）應(yīng)運(yùn)而生。MPM作為一種新型的微波功率器件，其最大的特點(diǎn)在于充分利用了真空器件和固態(tài)器件的優(yōu)點(diǎn)，并避免了其各自的缺點(diǎn)，從而獲得高增益、低噪聲、大功率、高效率等二者單獨(dú)使用無(wú)法獲得的優(yōu)良性能。其集成電源的設(shè)計(jì)使用戶不用直接面對(duì)高壓，提高了安全性。

3.1 MPM簡(jiǎn)介

MPM將固態(tài)功放、小型化行波管及微型集成電源全部封裝在一個(gè)小空間內(nèi)，創(chuàng)造性地把固態(tài)和真空兩種技術(shù)結(jié)合起來(lái)，在性能上遠(yuǎn)遠(yuǎn)地超過(guò)單獨(dú)的固態(tài)和真空器件。如圖2所示，固態(tài)放大器作為前級(jí)，為整個(gè)放大鏈提供低噪聲和相當(dāng)?shù)脑鲆?，行波管為末?jí)功放，提供大功率輸出，集成電源提供MPM所需的各級(jí)電壓，并為模塊提供控制和保護(hù)功能[19]。

圖 2 MPM的組成

MPM將兩種器件的優(yōu)點(diǎn)有機(jī)結(jié)合，具備了大功率、高效率、小體積和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，可用于通信、電子對(duì)抗以及民用領(lǐng)域。對(duì)于機(jī)載和星載等應(yīng)用平臺(tái)，由于其對(duì)放大器的體積、質(zhì)量等要求嚴(yán)格，MPM也將具有很好的前景[20]。另外，由于MPM應(yīng)用非常方便，傳統(tǒng)的TWTA也有被MPM替代的趨勢(shì)。

3.2 MPM研究現(xiàn)狀

3.2.1 國(guó)外發(fā)展現(xiàn)狀

MPM的概念自20世紀(jì)80年代末首次提出以來(lái)，相關(guān)技術(shù)已較為成熟。目前多家國(guó)外公司如L3，Thales，Triton，CPI，Selex ES，MITEQ，dBcontrol，e2v等，均推出了自己的MPM產(chǎn)品。如圖3所示，可以看出不同品牌及型號(hào)的MPM已涵蓋了2～45 GHz的范圍，最高已達(dá)到W波段和G波段，連續(xù)波輸出功率最高達(dá)250 W，并呈現(xiàn)出低頻模塊高功率化、低功率模塊高頻化的特點(diǎn)[21]。

圖 3 當(dāng)前MPM頻率功率分布

MPM諧波抑制均控制在?11～4 dBc之間，雜波控制在?60～40 dBc之間。MPM效率主要取決于功率器件和集成電源的效率，目前國(guó)外集成電源效率一直處于領(lǐng)先水平，MPM產(chǎn)品效率均在30%左右。在小型化上，各廠家MPM尺寸上嚴(yán)格把控，總體控制較為成熟，相對(duì)集中在2～3 kg之間。而在尺寸上由于散熱、電磁兼容設(shè)計(jì)等不同，體積大小不一，部分產(chǎn)品達(dá)到了MPM小型化的極致，如L3公司推出的Ka頻段50 W產(chǎn)品，其型號(hào)為M1871，如圖4所示，注冊(cè)商標(biāo)采用NanoMPM，尺寸為127 mm×76 mm×25 mm，且質(zhì)量?jī)H為700 g[21]。

圖 4 M1871 MPM

3.2.2 國(guó)內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀

在我國(guó)，對(duì)于MPM的研究起步比較晚，直到2001年以后才正式開展MPM的研究。通過(guò)近20年的努力，在典型頻段內(nèi)，國(guó)內(nèi)也成功研制了功率量級(jí)和尺寸與國(guó)外相當(dāng)?shù)腗PM產(chǎn)品。當(dāng)前，國(guó)內(nèi)研發(fā)的W波段MPM，實(shí)現(xiàn)連續(xù)波50 W的輸出功率，增益47 dB，帶寬6 GHz，尺寸370 mm×180 mm×45 mm，模塊總效率超過(guò)10%，均衡放大組件能提供16.5 dB以上的增益，均衡量達(dá)到7 dB。測(cè)試結(jié)果顯示，在6 GHz帶寬內(nèi)輸出功率大于50 W，整管效率為15.7%，集成電源能提供最高17 kV的高壓，該模塊滿足了雷達(dá)、通信、電子對(duì)抗等系統(tǒng)對(duì)W波段寬帶大功率輸出的要求[22]。中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十二研究所開發(fā)的4～18 GHz 50 W MPM，如圖5所示，效率達(dá)32%，但尺寸僅為140 mm×86 mm×20 mm，其所用的小型化行波管尺寸為135 mm×25 mm×16 mm，質(zhì)量135 g。中國(guó)航天科技集團(tuán)公司五院西安分院正在研制Ku頻段500 W脈沖雙管MPM，結(jié)構(gòu)如圖6所示，兩支固態(tài)放大器、行波管和集成電源安裝在一個(gè)盒體內(nèi)，其中固態(tài)放大器安裝于行波管上方，通過(guò)螺釘緊固在機(jī)殼上，固態(tài)放大器和行波管之間通過(guò)半鋼電纜進(jìn)行互聯(lián)，尺寸為310 mm×248 mm×60 mm，重量＜7 kg[1, 21]。

圖 5 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十二研究所4～18 GHz 50 W MPM

圖 6 Ku頻段500 W脈沖雙管MPM

3.3 MPM發(fā)展趨勢(shì)

3.3.1 高頻率與寬頻帶

向更高的頻率推進(jìn)，是MPM的發(fā)展方向。目前其工作頻段已經(jīng)達(dá)到了毫米波波段，我們將毫米波波段的微波功率模塊又稱之為毫米波功率模塊（Millimeter Wave Power Module，MMPM）。L3公司推出W頻段100 W的MPM—M2839，其工作于92～96 GHz，重量為6.3 kg，尺寸375 mm×213 mm×83 mm。該公司又在W頻段MPM的基礎(chǔ)上，推出了E波段MPM，該產(chǎn)品按工作頻率分為71～76 GHz和81～86 GHz的兩個(gè)型號(hào)，尺寸都是376 mm×26.5 mm×7.6 mm。而滿足帶寬的要求是最初研制MPM的目的之一，隨著技術(shù)的發(fā)展，目前已推出了多款工作頻帶4.5～18 GHz的MPM產(chǎn)品，可以在2個(gè)倍頻程的帶寬內(nèi)提供250 W的最大輸出功率[1, 21]。Thales公司推出針對(duì)電子對(duì)抗應(yīng)用的MPM產(chǎn)品，如圖7所示工作頻率4.5～18 GHz的200 W MPM產(chǎn)品TH24512，以及工作頻率18～40 GHz的65 W電子對(duì)抗用MPM[23]。

圖 7 TH24512 MPM

3.3.2 小型化

實(shí)現(xiàn)MPM的小型化，首先要實(shí)現(xiàn)各組件自身的小型化。而行波管作為MPM的末級(jí)輸出，影響最為關(guān)鍵。L3公司推出的產(chǎn)品M1870（Ku波段）和M1871（Ka波段）。它們的功率分別為40 W和50 W，尺寸分別為140 mm×77 mm×25 mm、重700 g和168 mm×104 mm×25 mm、重1.13 kg，代表了MPM小型化的最高水平[1, 21, 23]。集成電源也是一個(gè)重要部分。信息工程大學(xué)在2016年研制的厚度不足12 mm、效率達(dá)到94%左右的用于MPM的EPC組件，如圖8所示，在超薄設(shè)計(jì)上達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平，為MPM的小型化設(shè)計(jì)和陣列化應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。

圖 8 信息工程大學(xué)的超薄EPC組件

3.3.3 標(biāo)準(zhǔn)化

MPM模塊化的設(shè)計(jì)為大批量生產(chǎn)提供了便利，可使成本進(jìn)一步降低，在模塊化基礎(chǔ)上生產(chǎn)的系列產(chǎn)品可根據(jù)不同場(chǎng)合要求進(jìn)行設(shè)計(jì)，從而滿足不同需求。如針對(duì)雷達(dá)應(yīng)用的工作頻段13.5～18 GHz功率110 W產(chǎn)品、針對(duì)數(shù)據(jù)通信應(yīng)用的工作頻段14.5～15.5 GHz功率100 W產(chǎn)品，均采用了統(tǒng)一的2 250 mm×232 mm×35 mm封裝，系列產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化程度較高。另外，針對(duì)電子作戰(zhàn)、衛(wèi)星通信傳輸?shù)葘掝l帶高功率的要求，也在進(jìn)行相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)。

3.3.4 新型MPM

隨著各類信息系統(tǒng)和器件不斷朝著微型化和集成化的方向發(fā)展，雙通道MPM、雙模MPM和T/R型MPM等將成為研究重點(diǎn)。雙通道MPM可同時(shí)實(shí)現(xiàn)兩路干擾信號(hào)輸出，也具備空間合成能力，功率密度較傳統(tǒng)MPM提高近1倍。當(dāng)一路行波管出現(xiàn)故障時(shí)，MPM仍可在功率減半的條件下工作，提高M(jìn)PM的冗余度。雙模MPM同時(shí)實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)連續(xù)波和脈沖兩種工作模式，實(shí)現(xiàn)新型的雙模干擾體制，為小型化、高性價(jià)比的雷達(dá)干擾一體化奠定基礎(chǔ)。T/R型MPM使系統(tǒng)的天線可以收發(fā)共孔徑，突破行波管收發(fā)功能，解決環(huán)型器頻段限制和損耗問(wèn)題。

MPM作為一種全新的功率器件，將真空和固態(tài)器件進(jìn)行了有效結(jié)合，其應(yīng)用已經(jīng)覆蓋了軍事、民用等各個(gè)領(lǐng)域。針對(duì)應(yīng)用環(huán)境的不同，MPM也可通過(guò)合理選擇器件的性能參數(shù)，以滿足不同的需求。如滿足數(shù)據(jù)傳輸和通信的應(yīng)用，則提高線性度；滿足星載和機(jī)載系統(tǒng)的應(yīng)用，則增強(qiáng)效率；滿足電子對(duì)抗系統(tǒng)的應(yīng)用，則實(shí)現(xiàn)高增益。隨著技術(shù)的發(fā)展，MPM在無(wú)人機(jī)等平臺(tái)上也將表現(xiàn)出更為重要的作用。

4. 總結(jié)

功率放大器的最新技術(shù)繼續(xù)得益于固態(tài)和真空技術(shù)的共同進(jìn)步。通過(guò)對(duì)商業(yè)化產(chǎn)品和工業(yè)級(jí)的原型器件的統(tǒng)計(jì)，得出了當(dāng)代放大器可用峰值飽和輸出功率隨頻率變化的曲線，如圖9所示。圖中將單個(gè)GaN MMIC的峰值飽和輸出功率與單個(gè)行波管器件和集成的MPM進(jìn)行比較，可以看到，大于50 dBm的輸出功率水平代表了毫米波頻率范圍內(nèi)商業(yè)器件性能的前沿。特別是MPM適用于小體積、輕質(zhì)量、大功率、低成本（SWaP-efficient）等高性價(jià)比應(yīng)用平臺(tái)。

圖 9 真空、固態(tài)及MPM最新飽和輸出功率隨頻率變化圖

5. 結(jié)論

本文首先分別介紹了真空和固態(tài)放大器件的組成和特點(diǎn)，然后介紹了它們的發(fā)展歷史、當(dāng)前的技術(shù)研究狀況和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。而后引出了兩種器件相結(jié)合的產(chǎn)物——微波功率模塊，并重點(diǎn)介紹了微波功率模塊的產(chǎn)生過(guò)程和當(dāng)前國(guó)內(nèi)外的發(fā)展?fàn)顩r，并對(duì)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了分析和預(yù)測(cè)。最后總結(jié)了當(dāng)前三種器件的功率水平。

總之，真空和固態(tài)器件各有特點(diǎn)，應(yīng)根據(jù)具體應(yīng)用場(chǎng)合和工作頻段，做最優(yōu)選用。顯然，在高頻段上真空器件優(yōu)勢(shì)明顯，是實(shí)現(xiàn)毫米波、THz功率的有效途徑，因此需求巨大，應(yīng)繼續(xù)拓展。而在低頻段上由于GaN等新材料的應(yīng)用，SSPA占據(jù)著統(tǒng)治的地位，未來(lái)仍然會(huì)是研究的熱點(diǎn)。MPM則集成了二者的優(yōu)點(diǎn)，一方面解決了真空器件“加電難”的問(wèn)題，另一方面又解決了固態(tài)器件在高頻段難以達(dá)到高功率的問(wèn)題，因此必然會(huì)成為各個(gè)領(lǐng)域研究應(yīng)用的重點(diǎn)。我國(guó)的MPM也要在充分學(xué)習(xí)國(guó)外先進(jìn)技術(shù)的基礎(chǔ)上，堅(jiān)持小型化、標(biāo)準(zhǔn)化，并向高頻和寬帶方向發(fā)展，不斷改善薄弱環(huán)節(jié)，增強(qiáng)工藝水平，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的自主可控。