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國(guó)產(chǎn)SiC模塊賦能充電樁電源模塊功率等級(jí)跳躍和智能電網(wǎng)融合

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-03-05 16:50 ? 次閱讀

綜合分析充電樁電源模塊的功率等級(jí)發(fā)展趨勢(shì)及國(guó)產(chǎn)SiC模塊的關(guān)鍵作用,國(guó)產(chǎn)SiC模塊賦能充電樁電源模塊功率等級(jí)跳躍和智能電網(wǎng)融合

1. 未來充電樁模塊的功率級(jí)別

隨著電動(dòng)汽車對(duì)快速充電需求的增長(zhǎng),充電樁電源模塊的功率等級(jí)正從當(dāng)前的40kW-60kW向更高水平發(fā)展。根據(jù)行業(yè)趨勢(shì)和技術(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)(如文件中提到的40kW模塊測(cè)試及更高功率方案設(shè)計(jì)),未來主流充電樁模塊將向150kW-350kW甚至更高功率邁進(jìn)。例如:

超快充場(chǎng)景特斯拉V4超充站支持350kW,保時(shí)捷800V平臺(tái)支持270kW,均需更高功率模塊支持。

電網(wǎng)與儲(chǔ)能融合:為實(shí)現(xiàn)車網(wǎng)互動(dòng)(V2G)和儲(chǔ)能系統(tǒng)集成,充電樁需支持雙向能量流動(dòng),功率需求進(jìn)一步提升。

2. SiC模塊的核心優(yōu)勢(shì)

基于文件中的技術(shù)參數(shù)和實(shí)測(cè)數(shù)據(jù),BASiC基本半導(dǎo)體(BASiC Semiconductor) SiC MOSFET模塊在高功率充電樁中具備以下關(guān)鍵優(yōu)勢(shì):

(1) 更高的功率密度

高頻特性:SiC器件開關(guān)頻率可達(dá)MHz級(jí)(傳統(tǒng)Si基IGBT通常為kHz級(jí)),顯著減小電感、電容等被動(dòng)元件體積。

緊湊封裝:如BMF240R12E2G3模塊采用Press-FIT技術(shù)和Si3N4陶瓷基板,熱阻低至0.09K/W,支持高密度布局。

(2) 更優(yōu)的轉(zhuǎn)換效率

低導(dǎo)通損耗:SiC模塊的導(dǎo)通電阻(如BMF240R12E2G3的5.5mΩ@18V)遠(yuǎn)低于Si基器件,減少通態(tài)損耗。

低開關(guān)損耗:測(cè)試數(shù)據(jù)顯示,BASiC基本半導(dǎo)體(BASiC Semiconductor)第三代SiC MOSFET(B3M040120Z)關(guān)斷損耗比競(jìng)品低30%,總損耗減少4%,效率提升顯著。

零反向恢復(fù):內(nèi)置SiC SBD消除反向恢復(fù)電荷(Qrr),降低高頻開關(guān)損耗。

(3) 高溫與高頻穩(wěn)定性

耐高溫能力:SiC器件結(jié)溫可達(dá)175°C,高溫下導(dǎo)通電阻上升幅度較小,減少散熱負(fù)擔(dān)。

高頻適應(yīng)性:如雙脈沖測(cè)試中,SiC模塊在800V/40A條件下開關(guān)速度達(dá)2.69kA/μs,dv/dt達(dá)59.38kV/μs,適合高頻拓?fù)洌ㄈ鏛LC、矩陣變換器)。

(4) 系統(tǒng)級(jí)功能擴(kuò)展

電力電子變壓器(PET):高頻SiC模塊支持AC/DC、DC/DC多級(jí)高效轉(zhuǎn)換,實(shí)現(xiàn)緊湊型隔離變壓器設(shè)計(jì)。

儲(chǔ)能變流集成:通過雙向SiC模塊電路設(shè)計(jì),充電樁可無縫切換充放電模式,支持V2G和儲(chǔ)能系統(tǒng)。

3. 技術(shù)挑戰(zhàn)與解決方向

驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):需搭配米勒鉗位功能(如BTD5350MCWR)抑制誤開通,優(yōu)化柵極負(fù)壓(-4V)和驅(qū)動(dòng)電路布局。

成本控制:隨著8英寸晶圓量產(chǎn)和模塊封裝優(yōu)化(如Pcore?系列),SiC器件成本將持續(xù)下降。

可靠性驗(yàn)證:需強(qiáng)化功率循環(huán)測(cè)試(Si3N4基板的高可靠性)和高溫動(dòng)態(tài)特性驗(yàn)證。

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結(jié)論

未來充電樁模塊將向150kW-350kW發(fā)展,BASiC基本半導(dǎo)體(BASiC Semiconductor) SiC MOSFET模塊憑借高頻、高效、高溫穩(wěn)定的特性,成為實(shí)現(xiàn)高功率密度(>10kW/L)、高效率(>98%)、多功能集成(PET、儲(chǔ)能變流)的核心技術(shù)。隨著國(guó)產(chǎn)第三代SiC工藝成熟和規(guī)?;瘧?yīng)用,其成本優(yōu)勢(shì)將進(jìn)一步凸顯,推動(dòng)充電樁向超快充、智能電網(wǎng)融合方向演進(jìn)。

審核編輯 黃宇

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