文章來源：學(xué)習(xí)那些事

原文作者：小陳婆婆

本文介紹了晶圓揀選測試的目標(biāo)、具體過程以及核心要點。

在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓揀選測試（Wafer Sort）堪稱芯片從“原材料”到“成品”的關(guān)鍵質(zhì)控節(jié)點。作為集成電路制造中承上啟下的核心環(huán)節(jié)，其通過精密的電學(xué)測試，為每一顆芯片頒發(fā)“質(zhì)量合格證”，同時為工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。

1測試目標(biāo)

一、核心目標(biāo)

晶圓揀選測試的核心目標(biāo)可拆解為四大維度：

功能驗證的“全身體檢”

通過探針卡與芯片焊盤的物理接觸，測試系統(tǒng)依據(jù)DC（直流）、AC（交流）及功能規(guī)范，對芯片進(jìn)行全信號通路檢測。這相當(dāng)于為芯片設(shè)計了一套“體檢套餐”：

DC測試：驗證靜態(tài)電氣參數(shù)（如閾值電壓、漏電流）是否達(dá)標(biāo)

AC測試：考核信號傳輸速度、建立保持時間等動態(tài)特性

功能測試：通過向量激勵驗證數(shù)字/模擬電路功能實現(xiàn)

只有通過所有測試項的芯片，才能獲得進(jìn)入封裝工序的“通行證”。

性能分級的“賽道劃分”

對合格芯片實施速度分級（Speed Binning），通過調(diào)整測試條件（如電壓、溫度、時鐘頻率），將芯片按工作速度劃分為不同等級。例如：

高速檔：適用于高性能計算芯片

標(biāo)準(zhǔn)檔：滿足消費級產(chǎn)品需求

這種分級策略可實現(xiàn)芯片價值的最大化利用，避免“大材小用”或“小材大用”。

制造成品率的“健康診斷”

測試數(shù)據(jù)會生成晶圓級良率地圖（Wafer Map），通過空間分布分析可追溯失效模式：

環(huán)形失效：可能源于光刻膠涂布不均

邊緣聚集失效：需檢查研磨工藝參數(shù)

隨機點狀失效：需排查晶圓本身缺陷

這些數(shù)據(jù)為工藝工程師提供了“CT掃描”般的診斷依據(jù)。

測試覆蓋率的“成本平衡”

在測試成本與缺陷檢出率之間尋求最優(yōu)解，采用：

結(jié)構(gòu)化測試：通過掃描鏈（Scan Chain）檢測內(nèi)部節(jié)點

邊界掃描（JTAG）：驗證芯片間互連完整性

先進(jìn)測試策略可使測試覆蓋率達(dá)99%以上，同時控制測試時間在秒級。

二、失效芯片的“溯源追蹤”

現(xiàn)代測試系統(tǒng)采用失效分類編碼（Binning）體系，將失效模式數(shù)字化：

Bin8/9：開路/短路失效，可能源于金屬層刻蝕殘留

Bin10：電源短路，需檢查ESD防護(hù)電路設(shè)計

Bin12：功能失效，可能涉及IP核設(shè)計缺陷

通過空間映射（Mapping）技術(shù)，可將編碼數(shù)據(jù)與晶圓坐標(biāo)關(guān)聯(lián)，生成三維失效熱圖。結(jié)合制程數(shù)據(jù)（如機臺編號、批次信息），可實現(xiàn)：

工藝相關(guān)失效：如化學(xué)機械拋光（CMP）導(dǎo)致的金屬層凹陷

機臺相關(guān)失效：某光刻機臺對焦系統(tǒng)漂移引發(fā)的套刻偏差

材料相關(guān)失效：特定晶圓批次氧化層針孔密度超標(biāo)

三、行業(yè)實踐的演進(jìn)方向

當(dāng)前晶圓揀選測試正呈現(xiàn)三大趨勢：

大數(shù)據(jù)驅(qū)動的預(yù)測性分析：通過機器學(xué)習(xí)建立測試數(shù)據(jù)與工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)模型，實現(xiàn)缺陷預(yù)測

云測試平臺：將測試數(shù)據(jù)上傳云端，進(jìn)行跨工廠、跨批次的質(zhì)量追溯

先進(jìn)封裝適配：針對2.5D/3D封裝需求，增加TSV通孔測試、微凸點檢測等專項測試

作為半導(dǎo)體制造的“質(zhì)量守門人”，晶圓揀選測試不僅守護(hù)著芯片良率的生命線，更通過失效數(shù)據(jù)的深度挖掘，持續(xù)推動著制造工藝的迭代進(jìn)化。隨著節(jié)點向3nm及以下推進(jìn)，測試技術(shù)與工藝開發(fā)的協(xié)同創(chuàng)新，將成為突破物理極限的關(guān)鍵路徑。

2晶圓揀選測試

晶圓揀選測試——半導(dǎo)體質(zhì)量的“三重防火墻”

在半導(dǎo)體制造中，晶圓揀選測試（Wafer Sort）通過直流測試（DC Test）、輸出檢查（Output Check）和功能測試（Functional Test）構(gòu)建起芯片質(zhì)量的“三重防火墻”。這三類測試從電氣特性、性能參數(shù)到邏輯功能，對芯片進(jìn)行全方位“體檢”，確保只有合格的芯片進(jìn)入封裝階段。以下從行業(yè)實踐角度，對三類測試進(jìn)行技術(shù)拆解與案例分享。

一、直流測試（DC Test）：芯片的“基礎(chǔ)體檢”

直流測試是芯片質(zhì)量的“第一道關(guān)卡”，聚焦于芯片的靜態(tài)電氣特性，核心目標(biāo)包括：

1.連接性驗證（Continuity Check）

測試原理：通過探針卡與芯片壓點（Pad）的物理接觸，檢測每根探針與對應(yīng)焊盤的導(dǎo)通性。

行業(yè)價值：避免因探針接觸不良導(dǎo)致的“假性失效”，例如探針微小偏移可能引發(fā)開路誤判，需通過低阻值閾值（通常<10Ω）確認(rèn)接觸可靠性。

2.開路/短路檢測（Open/Short Test）

測試方法：在相鄰端口施加電壓，測量電阻值。

短路：端口間電阻<10Ω（閾值因工藝而異），可能由金屬層刻蝕殘留或光刻膠殘留導(dǎo)致。

開路：端口間電阻>1MΩ，常見于通孔未打通或金屬線斷裂。

案例：某12英寸晶圓邊緣出現(xiàn)規(guī)律性開路失效，經(jīng)分析為化學(xué)機械拋光（CMP）工藝壓力不均導(dǎo)致金屬層斷裂。

3.漏電流測試（Leakage Test）

測試對象：截止態(tài)晶體管（如CMOS的PMOS/NMOS）或ESD保護(hù)電路。

行業(yè)挑戰(zhàn)：隨著節(jié)點推進(jìn)至5nm以下，量子隧穿效應(yīng)導(dǎo)致亞閾值漏電顯著增加，需通過IDDQ測試（靜態(tài)漏電流測試）篩選高漏電芯片。

標(biāo)準(zhǔn)參考：工業(yè)界通常要求漏電流<1μA/門（Gate），否則芯片可能因靜態(tài)功耗超標(biāo)被淘汰。

二、輸出檢查（Output Check）：性能的“壓力測試”

輸出檢查聚焦于芯片輸出端口的驅(qū)動能力，模擬實際工作負(fù)載條件，驗證其帶負(fù)載能力：

1.灌電流（Sink Current）與拉電流（Source Current）測試

測試方法：

灌電流：在輸出端施加低電平（如0V），測量可吸入的最大電流（如8mA），同時檢測低電平電壓（VOL）是否≤0.4V。

拉電流：在輸出端施加高電平（如VDD），測量可輸出的最大電流（如4mA），同時檢測高電平電壓（VOH）是否≥0.8VDD。

行業(yè)意義：輸出電平穩(wěn)定性直接影響芯片與其他器件的信號完整性。例如，某款MCU因輸出驅(qū)動能力不足，導(dǎo)致I2C總線在長距離傳輸時信號失真。

2.動態(tài)負(fù)載模擬

先進(jìn)實踐：通過可編程負(fù)載板模擬電容性負(fù)載（如10pF~50pF），測試輸出信號的上升/下降時間（Tr/Tf）。

案例：某高速接口芯片在50Ω負(fù)載下Tr=0.5ns達(dá)標(biāo)，但接入10pF電容后Tr延遲至2ns，需優(yōu)化輸出級驅(qū)動電路。

三、功能測試（Functional Test）：邏輯的“全場景驗證”

功能測試是芯片質(zhì)量的“終極考驗”，通過輸入測試向量（Test Pattern）驗證邏輯正確性，覆蓋數(shù)字電路與存儲器兩大領(lǐng)域。

1. 數(shù)字電路功能測試

測試流程：

測試向量生成：采用ATPG（自動測試模式生成）工具生成覆蓋所有故障模型的向量（如Stuck-at、Transition、Path Delay）。

動態(tài)測試：通過時鐘脈沖（CLK）驅(qū)動輸入信號，比較器（Comparator）實時檢測輸出電平（VOH/VOL）是否符合規(guī)范。

故障診斷：若輸出與預(yù)期不符，通過故障字典定位到具體門電路或節(jié)點。

行業(yè)挑戰(zhàn)：

測試覆蓋率：需覆蓋99.9%以上的邏輯門，但先進(jìn)工藝中隨機缺陷（如橋接、開路）仍可能導(dǎo)致逃逸。

測試時間優(yōu)化：采用壓縮算法（如CompactTest）將測試時間從數(shù)小時壓縮至分鐘級。

2. 存儲器功能測試

存儲器測試需覆蓋地址譯碼、存儲陣列、讀出放大器等模塊，常見故障包括：

硬故障（Hard Fault）：

地址多重選擇：一個地址選中多個單元（如字線短路）。

存儲內(nèi)容固定：無論寫入何值，讀出數(shù)據(jù)恒為“0”或“1”（如晶體管閾值電壓漂移）。

軟故障（Soft Fault）：

讀后恢復(fù)時間過長：讀出放大器在連續(xù)讀取相同數(shù)據(jù)后，無法快速切換狀態(tài)（如電荷泵響應(yīng)延遲）。

寫后恢復(fù)時間過長：寫操作后需等待一定時間才能讀取正確數(shù)據(jù)（如位線電容放電不充分）。

測試方法：

March算法：通過遞增/遞減地址序列，檢測相鄰單元干擾（如March C+算法可覆蓋95%以上的存儲器故障）。

IDDQ測試：檢測靜態(tài)漏電，篩查字線/位線短路等隱蔽故障。

行業(yè)趨勢：從測試到數(shù)據(jù)驅(qū)動的工藝優(yōu)化

現(xiàn)代晶圓揀選測試已超越“質(zhì)檢”范疇，成為工藝優(yōu)化的數(shù)據(jù)引擎：

大數(shù)據(jù)分析：通過測試數(shù)據(jù)與機臺參數(shù)（如光刻機曝光能量、刻蝕機腔體壓力）的關(guān)聯(lián)分析，實現(xiàn)故障根源追溯。

AI賦能測試：采用機器學(xué)習(xí)模型預(yù)測測試逃逸率，動態(tài)調(diào)整測試向量優(yōu)先級。

云測試平臺：將測試數(shù)據(jù)上傳至云端，支持跨工廠、跨批次的良率對比與缺陷共享。

3晶圓揀選測試核心要點

晶圓揀選測試核心要點：效率、精度與可靠性的三角平衡

在半導(dǎo)體制造中，晶圓揀選測試（Wafer Sort）是芯片從晶圓到封裝的關(guān)鍵質(zhì)控環(huán)節(jié)，其核心目標(biāo)是在最短測試時間內(nèi)，精準(zhǔn)篩選出合格芯片，同時為工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。隨著集成電路規(guī)模突破百億級晶體管，測試效率與缺陷覆蓋率的矛盾日益凸顯。以下從行業(yè)實踐角度，對晶圓揀選測試的四大核心要點進(jìn)行技術(shù)解析。

一、測試消耗時間：效率與成本的博弈

測試時間直接關(guān)聯(lián)到制造成本與產(chǎn)能利用率。以超大規(guī)模集成電路（VLSI）為例，其測試時間可能長達(dá)數(shù)小時，成為產(chǎn)能瓶頸。優(yōu)化測試時間需從設(shè)計源頭入手：

1.可測性設(shè)計（DFT）

內(nèi)建自測試（BIST）：在芯片設(shè)計中嵌入專用測試電路（如掃描鏈、MBIST控制器），繞過功能路徑直接對關(guān)鍵模塊（如存儲器、鎖相環(huán)）進(jìn)行自檢。例如，某款A(yù)I芯片通過BIST將測試時間從4小時壓縮至30分鐘。

并行測試：對數(shù)字、模擬、射頻等混合信號電路實施同步測試。例如，某5G SoC芯片通過數(shù)字-模擬并行測試，將測試時間減少40%。

2.測試算法優(yōu)化

壓縮技術(shù)：采用差分測試向量壓縮算法（如Golomb編碼），將測試數(shù)據(jù)量減少50%以上。

自適應(yīng)測試：根據(jù)前序測試結(jié)果動態(tài)調(diào)整后續(xù)測試向量，避免冗余操作。

二、失效模式：從“癥狀”到“病因”的溯源

集成電路故障可歸納為三大類，其檢測需針對性設(shè)計測試向量：

1.固定故障（Stuck-at Fault）

表現(xiàn)：節(jié)點邏輯值永久固定為“0”或“1”，可能由晶體管柵氧擊穿或金屬層開路導(dǎo)致。

檢測：通過全“0”/全“1”測試圖形或March算法覆蓋99%以上的固定故障。

2.橋接故障（Bridging Fault）

表現(xiàn)：非連接節(jié)點間意外導(dǎo)通（如金屬層刻蝕殘留導(dǎo)致相鄰線短路）。

檢測：棋盤測試圖形可檢測相鄰單元干擾，但需結(jié)合電子束檢測（EBI）定位物理缺陷。

3.延遲故障（Delay Fault）

表現(xiàn)：信號傳輸時序違反規(guī)范（如建立/保持時間不足），可能由互連線RC延遲增大導(dǎo)致。

檢測：通過動態(tài)測試（At-Speed Test）在最高工作頻率下施加時序緊張的測試向量。

三、靜態(tài)漏電流測試（IDDQ Testing）：缺陷的“顯微鏡”

IDDQ測試通過測量靜態(tài)漏電流（通常為nA級）檢測隱蔽缺陷，其原理基于CMOS電路的互補特性：

1.測試原理

正常CMOS電路在靜態(tài)時，PMOS與NMOS管中僅有一個導(dǎo)通，漏電流極?。?1μA）。

工藝缺陷（如柵氧針孔、金屬層空洞）可能導(dǎo)致漏電流激增至μA級甚至mA級。

2.行業(yè)價值

缺陷覆蓋率提升：可檢測傳統(tǒng)功能測試無法覆蓋的缺陷（如亞閾值漏電）。

工藝監(jiān)控：IDDQ分布可反映光刻、刻蝕等關(guān)鍵工藝的穩(wěn)定性。

3.局限性

診斷困難：IDDQ異常僅能提示缺陷存在，需結(jié)合物理失效分析（PFA）定位根源。

先進(jìn)工藝挑戰(zhàn)：FinFET及GAA晶體管導(dǎo)致漏電基準(zhǔn)降低，需升級測試設(shè)備精度。

四、正常工作保障范圍測試：可靠性的“護(hù)城河”

為確保芯片在全生命周期內(nèi)可靠工作，需在測試階段設(shè)置比規(guī)格更嚴(yán)苛的限值：

1.guard banding策略

漏電限值加嚴(yán)：例如，用戶規(guī)格為8pA漏電，中測階段采用4pA限值，終測階段采用6pA限值，以抵消工藝波動與測試誤差。

電壓/溫度裕量：在高溫（125℃）或低壓（VDD-10%）條件下驗證功能正確性。

行業(yè)案例

汽車電子：AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)要求芯片在-40℃~150℃范圍內(nèi)通過動態(tài)測試，漏電流限值比消費級產(chǎn)品嚴(yán)格50%。

數(shù)據(jù)中心CPU：通過加速壽命測試（ALT）模擬10年使用場景，確保IDDQ在壽命末期仍低于規(guī)格。

五、行業(yè)趨勢：從“被動檢測”到“主動預(yù)防”

現(xiàn)代晶圓揀選測試正呈現(xiàn)兩大趨勢：

AI賦能測試：通過機器學(xué)習(xí)模型預(yù)測測試逃逸率，動態(tài)調(diào)整測試向量優(yōu)先級。例如，某代工廠利用AI將測試時間減少30%，同時保持99.9%的故障覆蓋率。

云測試平臺：將測試數(shù)據(jù)上傳至云端，進(jìn)行跨工廠、跨批次的良率對比與缺陷共享。例如，某IDM企業(yè)通過云平臺實現(xiàn)全球Fab數(shù)據(jù)實時分析，將缺陷定位時間從數(shù)天縮短至數(shù)小時。

晶圓揀選測試的四大要點——測試時間優(yōu)化、失效模式分析、靜態(tài)漏電流檢測與保障范圍測試，構(gòu)成了半導(dǎo)體制造的“效率-精度-可靠性”三角平衡。隨著節(jié)點向2nm及以下推進(jìn)，測試技術(shù)與工藝開發(fā)的協(xié)同創(chuàng)新，將成為突破物理極限、保障芯片性能的關(guān)鍵路徑。