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日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢如何?

我快閉嘴 ? 來源:與非網(wǎng) ? 作者: 腦極體 ? 2020-08-10 10:26 ? 次閱讀
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2019 年,日韓驟起貿(mào)易爭端,日本方面稱可能停止韓國的半導(dǎo)體原材料供應(yīng),一時間吃瓜群眾以為將看到兩國大戰(zhàn)。沒想到的是,強悍的韓國半導(dǎo)體很快“慫”了下來,三星太子李在榕第一時間飛到東京尋求解決,還碰了一鼻子灰悻悻而歸。

在我們的印象里,日本半導(dǎo)體行業(yè)不是衰退了嗎?怎么還是在貿(mào)易爭端中給人能一擊致命的感覺?

事實上,在今天的半導(dǎo)體全球分工中,日本半導(dǎo)體在芯片生產(chǎn)設(shè)備、生產(chǎn)原料等領(lǐng)域依舊占據(jù)著舉足輕重的地位,并且擁有全流程、體系完善、專利覆蓋全面的半導(dǎo)體業(yè)態(tài)。在中美圍繞半導(dǎo)體展開新一輪科技交鋒時,日本的產(chǎn)業(yè)鏈也成為了中國寶貴的外部資源。

根據(jù)日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(SEAJ)發(fā)布的報告,預(yù)計 2020 年日本半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額將達到 2.2181 萬億日元,同比 2019 年度增長 7%。而半導(dǎo)體設(shè)備之所以能在發(fā)展緩慢的日本經(jīng)濟中“一枝獨秀”,就是因為中美科技博弈大背景下,中國加大了對日本半導(dǎo)體設(shè)備、原材料、半成品的采購力度,目前中國已經(jīng)是日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第一大出口市場。而廣為國人所知的華為、中芯國際,都是日本半導(dǎo)體設(shè)備與原材料的重要買家。更有甚者,在美國宣布對華為進一步科技封鎖后,傳出了華為希望與尼康、佳能合作光刻機的消息。日本半導(dǎo)體行業(yè)在中美芯片博弈中的地位可見一斑。

而這所有日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的區(qū)位優(yōu)勢,都可以說是上世紀(jì)八十年代——那個日本經(jīng)濟黃金時期,也是日本半導(dǎo)體黃金十年的留下的“遺產(chǎn)”。

承接上文所述,日本從 60 年代開始,在 LSI 等領(lǐng)域推行了激進的貿(mào)易保護與產(chǎn)業(yè)刺激措施,最終培育出索尼、日立等一系列國際頂尖公司。到了 80 年代,日本繼續(xù)這條產(chǎn)業(yè)路線,抓住 DRAM 的技術(shù)機遇一飛沖天,超過美國成為全球半導(dǎo)體第一大國。1986 年,日本的半導(dǎo)體產(chǎn)能全球占比達到 45%;1989 年, 日本公司占據(jù)了世界存儲芯片市場 53% ,而美國僅占 37%;1990 年,全球前 10 大半導(dǎo)體公司中,日本公司就占據(jù)了 6 家,NEC、東芝與日立割據(jù)三甲,后來統(tǒng)一了 CPU 市場的英特爾也只能屈居第四。

與產(chǎn)業(yè)份額、公司地位同樣成功的,是當(dāng)時日本半導(dǎo)體堪稱“高質(zhì)量”的代名詞。1980 年,惠普在 16K DRAM 驗收測試中發(fā)現(xiàn),日本日立、NEC、富士通三家公司的產(chǎn)品,不良率是驚人的 0,遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于英特爾、德州儀器、莫斯泰克這美國三強。

盛極一時,風(fēng)頭無兩的日本半導(dǎo)體 80 年代,可能是中國產(chǎn)業(yè)最希望學(xué)習(xí)和模仿的案例,而這個時代僅僅維持了 10 年,也是國人必須引以為鑒的歷史。

那個硅谷從 0 到 1,富士山下從 2 到 3 的神奇時代,究竟發(fā)生了什么?

屬于霓虹國的 DRAM 時代

所謂硅谷從 0 到 1,日本從 2 到 3,在 70 年代中已經(jīng)發(fā)生了一個深刻的變化。50、60 年代,日本商人更多是購買美國專利,通過高良品率和低生產(chǎn)成本來打入民用市場。這種模式在美國公司逐漸重視民用市場后,很快就失去了效果。但在半導(dǎo)體市場上積攢了足夠技術(shù)、產(chǎn)能與野心的日本企業(yè),開始尋覓更大的機會:在核心市場中,技術(shù)領(lǐng)先美國,質(zhì)量全面占優(yōu)的機會。

這個機會就是此前我們專門討論過的 DRAM,即動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)。隨著 70 年代后半期,超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,以及存儲市場應(yīng)運而生,DRAM 變成了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新焦點。存儲市場技術(shù)門檻不高,但需要制程、工藝上的長期鉆研與演進,并且對良品率有較高的要求,這一切都正中長期布局 LSI 技術(shù)的日本企業(yè)與學(xué)、政各界之下懷。

DARM 很像今天的 5GAI,新的技術(shù)創(chuàng)造新的需求,新的需求導(dǎo)致新的機遇。想要改寫此前堅固的產(chǎn)業(yè)規(guī)則,就不能在別人身后疲于奔命,而是要在新技術(shù)變局中迎頭趕上,創(chuàng)造身位交錯的歷史契機。

回頭來看,會發(fā)現(xiàn) DRAM 的發(fā)展就是日本的契機。在 DRAM 產(chǎn)業(yè)化初期,1K 的 DRAM 最早在 1970 年于美國完成,日本在 1972 年才研制成功。而 16K DARM 就變成了美、日在 1976 年同年研制成功。第二年,也就是 1977 年,日本就突破了 64K 的 DRAM 生產(chǎn),美國卻等到 1979 年才研制出來。而 64K 不僅讓日本一舉贏得了 DRAM 市場的全球占有率桂冠,同時也宣布日本領(lǐng)先美國進入了 VLSI(超大規(guī)模集成電路)時代,兩強交錯就此完成。

在此期間,日本可謂以舉國之力,集合了產(chǎn)、學(xué)、政各種力量來突破 64K 和 128K DRAM 工藝,并且實現(xiàn)了相關(guān)半導(dǎo)體工藝的全面國產(chǎn)化。通過全產(chǎn)業(yè)鏈模式,不再依靠西方上游產(chǎn)業(yè)的日本半導(dǎo)體實現(xiàn)了驚人高的良品率,為 80 年代的黃金十年奠定了最重要的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。而日本 NEC、日立、東芝等主要公司也乘勢而起,成為全球半導(dǎo)體版圖中的頂尖存在。同時,大量日本制造業(yè)、化工業(yè),甚至船舶和冶金業(yè)公司也紛紛被 DRAM 的龐大蛋糕吸引,加入了 DRAM 產(chǎn)業(yè)鏈當(dāng)中。今天日本有千奇百怪的半導(dǎo)體公司,基本都是受到 DRAM 風(fēng)暴的感召。

需要注意的是, 雖然日本 DRAM 技術(shù)表現(xiàn)突出,但在處理器等更高端半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依舊缺乏獨立性與基礎(chǔ)創(chuàng)新能力。日本產(chǎn)通省和日本商人更多瞄準(zhǔn)的是利益,而不是底層技術(shù)的自主可控。高端芯片依舊牢牢控制在硅谷手中,這也是日本黃金十年背后若隱若現(xiàn)的憂患。

而今看來,中國半導(dǎo)體面對的局勢可以說與日本當(dāng)時有幾分相似。美國雖然牢牢控制著產(chǎn)業(yè)鏈上游,但 AI、5G、物聯(lián)網(wǎng)等新技術(shù)的崛起卻在帶來新的變數(shù)和機遇。尤其是物聯(lián)網(wǎng)芯片,其與通信產(chǎn)業(yè)高度相關(guān)、低門檻、低成本的特征,非常適合中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?;蛟S物聯(lián)網(wǎng)就是 21 世紀(jì)的 DRAM——畢竟大量設(shè)備的涌現(xiàn),很可能給半導(dǎo)體生產(chǎn)系統(tǒng)造成劇烈的底部變化。

當(dāng)然,這只是一個姑妄言之的猜測。

黃金十年背后的 VLSI 研究所

理解日本半導(dǎo)體的黃金十年,我們可能需要更多一些歸因。比如 DRAM 是日本的機遇,但日本到底是如何能在核心技術(shù)上超越美國,抓住這個機遇的呢?

這里有個隱藏的勝負(fù)手,就是堪稱彼時最成功產(chǎn)業(yè)協(xié)同組織的日本 VLSI 研究所——很多日本學(xué)者,將這一組織定義為半導(dǎo)體黃金十年最大的幕后功臣。

VLSI 研究所為何重要?這還需要從日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的獨特模式與發(fā)展機遇說起。

70 年代中期,日本 IC 產(chǎn)業(yè)在 LSI 領(lǐng)域賺的盆滿缽滿,但美國公司強大的研發(fā)和底層創(chuàng)造能力始終是太平洋彼岸最強大的敵人。比如 IBM 預(yù)計在 1978 年推出采用 VLSI(超大規(guī)模集成電路)的新型計算機,如果日本產(chǎn)業(yè)鏈還處在 LSI 的傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)周期,勢必很快在半導(dǎo)體貿(mào)易自由化背景下被美國公司輕易擊垮。

技術(shù)競賽的警鐘拉響,團結(jié)的日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迅速集結(jié)起來,開始思考如何應(yīng)對這場危機。想要與美國公司進行科技競賽,最大問題在于開發(fā) VLSI 需要消耗巨大的產(chǎn)業(yè)投入。而此時日本公司的體量與研發(fā)能力,對比 IBM 這樣的美國巨頭還有巨大差距。

既然單打獨斗,各自閉門造車無濟于事,日本產(chǎn)通省決定祭出日本商人的傳統(tǒng)藝能:團結(jié)就是力量。組織各公司、大學(xué)共同研究突破 VLSI 的技術(shù)難題,最終成果各大公司共享。用軍團戰(zhàn)術(shù)來應(yīng)對美國巨獸的潛在威脅。于是,1976 年日本產(chǎn)通省通從所屬電子技術(shù)綜合研究所選拔出一系列半導(dǎo)體專家, 由他們牽頭組織日本五大計算巨頭:富士通、NEC、日立、東芝和三菱電機,共同打造了“VLSI 研究所”。這個組織的目的在于超越美國,制造出最先進的 VLSI 存儲芯片,之前我們說過日本在 DRAM 上連連趕超美國,就是 VLSI 研究所造就的半導(dǎo)體奇跡。從 1976 到 1980 年,VLSI 研究所總共消耗研究資金 737 億日元, 其中五巨頭出資 446 億日元, 日本政府以向成員企業(yè)提供免息貸款形式補助 291 億日元,此后相關(guān)投入從專利收入和 DRAM 的市場回報中得到了有效回收。

并且 VLSI 研究所雖然到 1980 年宣布結(jié)束,但這種多家企業(yè)、大學(xué)、政府組成專項研究所的模式卻得到了繼承。80 年代日本能夠成為全球半導(dǎo)體第一,很大程度依賴于研究所模式能夠有效建立基礎(chǔ)研究底座,避免重復(fù)勞動,集中研究經(jīng)費,從而讓日本半導(dǎo)體具備清晰的產(chǎn)業(yè)方向與較高的發(fā)展速度。

VLSI 研究所模式,成功消解了日本公司相對弱小,無法集中力量攻克研發(fā)難關(guān)的問題。并且這個模式中規(guī)定了只開發(fā)基礎(chǔ)技術(shù),而不涉及半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā),從而保證了日本幾大公司可以在享用共同開發(fā)技術(shù)之后,在產(chǎn)品階段繼續(xù)保持競爭,開發(fā)市場,從而在一致對外與保持內(nèi)部競爭間達成了相對的平衡。

通過 VLSI 研究所模式,日本一舉在 DRAM 基礎(chǔ)技術(shù)上超越了美國,從而導(dǎo)致此后一系列產(chǎn)業(yè)格局的改寫。相比而言,美國在 70 年代出現(xiàn)了明顯的經(jīng)濟滯脹,科技企業(yè)缺乏創(chuàng)新的動力與支持。而集中力量干大事的日本看準(zhǔn)了美國公司的停滯,一舉沖垮了根深蒂固的半導(dǎo)體防線。某種意義上來說,在 5G 等技術(shù)上,今天的美國同樣出現(xiàn)了創(chuàng)新力不足、研發(fā)投入放緩的現(xiàn)象,那么五十年之后的中國又該如何抓住這個機會呢?或許這是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),乃至社會各界需要更深層思考的話題。

回顧歷史,會發(fā)現(xiàn) VLSI 研究所模式的優(yōu)缺點是相當(dāng)明顯的,其分?jǐn)偝杀?、集中力量突破基礎(chǔ)研究的方式當(dāng)然值得借鑒;然而其沒有改變商業(yè)模式與產(chǎn)業(yè)鏈模式,讓日本各企業(yè)依舊獨立發(fā)展,缺乏上下游搭建,也客觀上培養(yǎng)日本幾大企業(yè)都成了大而全的產(chǎn)業(yè)體態(tài),缺乏靈活多元的模塊化特征。這也為后續(xù)日本半導(dǎo)體的衰落埋下了隱憂。

到了 80 年代,隨著 VLSI 技術(shù)以及 DRAM 產(chǎn)品的成功,大量日本半導(dǎo)體產(chǎn)品與日本公司走向了美國。大量日本公司在美國建立子公司、合資公司,以及收購美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。至此,日本半導(dǎo)體走向了耀眼的盛世。

但極速擴張的日本半導(dǎo)體,也引發(fā)了美國的深刻忌憚與反彈。

日本的后路

如果從更長期歷史的角度看,VLSI 研究所模式到底是成功還是失敗了?這個問題可能頗具爭議。畢竟其滋養(yǎng)出全產(chǎn)業(yè)鏈模式的日本公司,確實在 90 年代一敗涂地。也給日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扣上了缺乏變通、舉國體制的種種帽子。但換個角度看,VLSI 研究所更像是日本在當(dāng)時特殊情況下沒有選擇的選擇。如果不這樣做,日本半導(dǎo)體將無法觸及核心科技,勢必被掉頭走向民用且資源強大的美國公司席卷一空。

另一方面,VLSI 研究所雖然沒有長期確保日本半導(dǎo)體的領(lǐng)先地位,但卻給日本半導(dǎo)體留下了后路。開頭我們所說的日本能夠通過光刻膠等幾個“小玩意”制裁韓國,背后都有 VLSI 研究所留下的影響。

在 70 年代中后期,日本的半導(dǎo)體設(shè)備與原材料同樣主要依靠從歐洲、美國進口。但在 VLSI 研究所逐步推進的過程里,日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始在產(chǎn)通省的有意引導(dǎo)下,以 DRAM 作為商業(yè)契機,推動本土半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備與生產(chǎn)材料快速發(fā)展。在政府高度補貼、幾大公司拿出真金白銀進行產(chǎn)業(yè)合作的背景下,VLSI 研究所孵化了多種多樣的半導(dǎo)體上游企業(yè)。比如在其資助下,開發(fā)了各種類型的電子束曝光裝置、干式腐蝕裝置等制造半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備。在 VLSI 研究所的引導(dǎo)下,光學(xué)領(lǐng)域、印刷領(lǐng)域、化工領(lǐng)域的日本公司,以各自擅長的方式,在產(chǎn)業(yè)鏈上游切入了半導(dǎo)體行業(yè)。我們最近熱議的佳能、尼康的光刻機生產(chǎn)能力,就是在這一階段得到了 VLSI 研究所的大力培養(yǎng),甚至一度制霸全球。

畢竟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有極高的門檻,內(nèi)部體系精密、技術(shù)秘訣眾多。一家非半導(dǎo)體公司想要進入產(chǎn)業(yè)上游,缺乏技術(shù)、信息、市場規(guī)則上的溝通很難成功。而 VLSI 研究所卻以半官方半產(chǎn)業(yè)的方式,給這些公司提供了溝通半導(dǎo)體行業(yè),拿到訂單與資金支持,發(fā)揮自身特長,加入產(chǎn)業(yè)鏈的機會。最終,VLSI 研究所變成了一次國民行動,培養(yǎng)起來的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備與原材料公司也將產(chǎn)品輸送到國際。在這個競爭相對較弱,適合慢工出細(xì)活的產(chǎn)業(yè)周期里,日本企業(yè)相對來說更加如魚得水。即使 90 年代日本半導(dǎo)體全線敗落,大量由 VLSI 研究所孵化的上游公司依舊確保了在全球產(chǎn)業(yè)鏈中的優(yōu)勢地位。今天,日本是最大的半導(dǎo)體原材料出口國,擁有全球非常少見的全產(chǎn)業(yè)鏈能力,或許也是 VLSI 研究所或有心或無意,給日本半導(dǎo)體工業(yè)留下的“退路”。

VLSI 研究所模式,也體現(xiàn)了美國與日本在國家扶持半導(dǎo)體方面極大的不同。彼時,美國的扶持方式主要是通過政府和軍方訂單來催生半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。而日本產(chǎn)通省則更多是通過多方面的資源調(diào)配與產(chǎn)業(yè)合作,瞄準(zhǔn)民用市場機遇,進行有組織有競爭的產(chǎn)業(yè)協(xié)調(diào)與幫扶。

日本半導(dǎo)體的黃金十年已經(jīng)遠(yuǎn)去,但其所面臨形勢與發(fā)展模式,卻與今天的中國留有非常多的相似之處。從那段歷史里,也能整理出幾份今天仍可借鑒的經(jīng)驗。比如說:

1、半導(dǎo)體突圍,必須依靠底層技術(shù)和核心產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

VLSI 研究所模式的初衷,就是打破日本半導(dǎo)體擅于制造,不擅創(chuàng)新的瓶頸。通過對底層技術(shù)的突破,尤其是對上游產(chǎn)業(yè)的大力發(fā)展,日本確實完成了美國重壓下的翻盤。并且在半導(dǎo)體上游的布局,直接影響了日本半導(dǎo)體如今的地緣區(qū)位,成為國際貿(mào)易中的一把“利劍”。直面艱難且充滿困境的底層技術(shù)、核心產(chǎn)業(yè),可能才是半導(dǎo)體博弈永恒的重心。

2、積極展開產(chǎn)學(xué)研政溝通,求得最有效的產(chǎn)業(yè)效率。

無論是 VLSI 研究所的成功,還是后來美國牽頭打造全球半導(dǎo)體協(xié)作體系,都證明了半導(dǎo)體不可能是一家公司勇往直前,而必須建立在有效的平臺模式、協(xié)作機制、模塊化分工之上。產(chǎn)業(yè)協(xié)作、專家監(jiān)督的另一重意義在于,可以有效克服急于求成、外行領(lǐng)導(dǎo)內(nèi)行,或者盲目跟風(fēng)、輕率投資、項目造假等情況的發(fā)生。這點在中國尤其需要注意。

3、找到變數(shù),并且合理驅(qū)動變數(shù)放大。

客觀來說,日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在 70-80 年代,確實完成了我們總是掛在嘴邊的“彎道超車”。日本半導(dǎo)體沒有選擇核心處理器這種高難度應(yīng)用,而是瞄準(zhǔn)了 DRAM 這種相對難度較低、市場廣闊的應(yīng)用場景。在發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的過程里,清晰合理的預(yù)判,以及對變化的預(yù)估,甚至推動變化發(fā)生都是非常重要的。經(jīng)常出現(xiàn)的情況是,我們或許沒必要砸下天文數(shù)字去搞高性能 CPU,或者難度極大的光刻制程工藝。但可以從新市場、新需求出發(fā),去搶占先機,然后平衡以往的產(chǎn)業(yè)劣勢。在芯片博弈中,需要洞若觀火的預(yù)見能力。物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛、AI 芯片,甚至量子計算芯片,芯片需求和芯片市場本身的變化,就是沖垮半導(dǎo)體枷鎖的戰(zhàn)局所在。選對方向,把核心攻堅和未來發(fā)展調(diào)一致,才是沖出封鎖的正道。

一系列正確的選擇,讓日本半導(dǎo)體來到了全球第一的寶座。但接下來的局勢卻更加復(fù)雜。日本產(chǎn)業(yè)鏈、公司甚至社會輿論的錯誤認(rèn)識,以及眾多“形勢比人強”的不得已因素,最終導(dǎo)致日本很快又丟掉了努力數(shù)十年的成果。

伴隨著日本經(jīng)濟泡沫的破裂,富士山上閃耀十年的芯片之光,竟然就此成了絕響。
責(zé)任編輯:tzh

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    2025 功率半導(dǎo)體的五大發(fā)展趨勢:功率半導(dǎo)體在AI數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的增長,SiC在非汽車領(lǐng)域應(yīng)用的增長,GaN導(dǎo)入到快速充電器之外的應(yīng)用領(lǐng)域, 中國功率半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的壯大以及晶圓尺寸的
    的頭像 發(fā)表于 03-04 09:33 ?1024次閱讀
    2025年功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的五大<b class='flag-5'>發(fā)展趨勢</b>

    淺析半導(dǎo)體激光器的發(fā)展趨勢

    文章綜述了現(xiàn)有高功率半導(dǎo)體激光器(包括單發(fā)射腔、巴條、水平陣列和垂直疊陣)的封裝技術(shù),并討論了其發(fā)展趨勢;分析了半導(dǎo)體激光器封裝技術(shù)存在的問題和面臨的挑戰(zhàn),并給出解決問題與迎接挑戰(zhàn)的方法及策略。
    的頭像 發(fā)表于 02-26 09:53 ?831次閱讀
    淺析<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>激光器的<b class='flag-5'>發(fā)展趨勢</b>

    人工智能半導(dǎo)體及先進封裝技術(shù)發(fā)展趨勢

    人工智能 (AI) 半導(dǎo)體和封裝技術(shù)正在快速發(fā)展,這得益于 AI 和高性能計算 (HPC) 應(yīng)用的高性能和復(fù)雜需求。隨著 AI 模型的計算量越來越大,傳統(tǒng)的半導(dǎo)體封裝方法難以滿足實現(xiàn)最佳 AI 功能
    的頭像 發(fā)表于 11-24 09:54 ?1380次閱讀
    人工智能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>及先進封裝技術(shù)<b class='flag-5'>發(fā)展趨勢</b>

    10萬億,日本投向半導(dǎo)體

    近年來,在地緣政治和各種因素的影響下,以中美為首的國家正在大力發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。與此同時,日韓和越南等國家,也正在大力投入這個產(chǎn)業(yè)。 日本:向芯片投資10萬億元
    的頭像 發(fā)表于 11-14 11:59 ?920次閱讀

    中國半導(dǎo)體的鏡鑒之路

    ,他們在1955年以前是從來不知道半導(dǎo)體是什么,但是在日本政府的鼓勵下,以及自身想要發(fā)展產(chǎn)業(yè)的需求下,全部投身去做了半導(dǎo)體,而且都非常有成就
    發(fā)表于 11-04 12:00

    從技術(shù)革命走向產(chǎn)業(yè)變革,解析高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的數(shù)字發(fā)展趨勢

    的《歐洲新產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略》、日本的《產(chǎn)業(yè)技術(shù)愿景2020》、法國的《使法國成為突破性技術(shù)經(jīng)濟體》等戰(zhàn)略報告,均在前瞻未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢,提出未來
    的頭像 發(fā)表于 10-30 18:08 ?503次閱讀
    從技術(shù)革命走向<b class='flag-5'>產(chǎn)業(yè)</b>變革,解析高新技術(shù)<b class='flag-5'>產(chǎn)業(yè)</b>的數(shù)字<b class='flag-5'>發(fā)展趨勢</b>

    日本羅姆半導(dǎo)體加強與臺積電氮化鎵合作,代工趨勢顯現(xiàn)

    近日,日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體(ROHM)宣布,將在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域深化與臺積電的合作,其氮化鎵產(chǎn)品將全面交由臺積電代工生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著氮化鎵市場的代工趨勢正在加速
    的頭像 發(fā)表于 10-29 11:03 ?1059次閱讀

    半導(dǎo)體封裝材料全解析:分類、應(yīng)用與發(fā)展趨勢

    在快速發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)中,封裝技術(shù)作為連接芯片與外部世界的橋梁,扮演著至關(guān)重要的角色。半導(dǎo)體封裝材料作為封裝技術(shù)的核心組成部分,不僅保護著脆弱的芯片免受外界環(huán)境的侵害,還確保了芯片與電路板之間的穩(wěn)定
    的頭像 發(fā)表于 09-10 10:13 ?4498次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>封裝材料全解析:分類、應(yīng)用與<b class='flag-5'>發(fā)展趨勢</b>!

    日本與英特爾合建半導(dǎo)體研發(fā)中心,將配備EUV光刻機

    英特爾將在日本設(shè)立先進半導(dǎo)體研發(fā)中心,配備EUV光刻設(shè)備,支持日本半導(dǎo)體設(shè)備和材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展,增強
    的頭像 發(fā)表于 09-05 10:57 ?681次閱讀

    先楫HPM6E00技術(shù)日 | 百人研討共話工業(yè)應(yīng)用創(chuàng)新及發(fā)展趨勢

    2024年8月29日,深圳 | 由上海先楫半導(dǎo)體科技有限公司(先楫半導(dǎo)體,HPMicro)主辦的HPM6E00技術(shù)日于深圳市南山區(qū)尚美科技大廈會議室如期舉辦。本次活動聚焦國內(nèi)首款擁有倍福正式授權(quán)
    發(fā)表于 09-02 10:14

    瑞薩電子2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢大會精彩回顧(上)

    瑞薩電子在2024年4月參加了由華強電子網(wǎng)在深圳主辦的《2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢大會》。本屆大會現(xiàn)場參會觀眾達4700+人次,同時現(xiàn)場視頻、照片直播近37萬+人次觀看。瑞薩電子EPBD的高級經(jīng)理譚紹鵬在大會現(xiàn)場發(fā)表了《打造中國
    的頭像 發(fā)表于 08-22 10:17 ?1257次閱讀
    瑞薩電子2024<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>產(chǎn)業(yè)</b><b class='flag-5'>發(fā)展趨勢</b>大會精彩回顧(上)