近日，兆易創(chuàng)新在投資者互動平臺上表示，其DRAM芯片自主研發(fā)及產業(yè)化項目于2020年5月完成資金募集，現(xiàn)項目研發(fā)工作正在進行中。

2019年9月，兆易創(chuàng)新發(fā)布非公開發(fā)行股票預案，擬募集資金總額不超過人民幣43億元，用于DRAM芯片自主研發(fā)及產業(yè)化項目及補充流動資金，以實現(xiàn)國內存儲芯片設計企業(yè)在DRAM領域的突破。

公告顯示，兆易創(chuàng)新DRAM芯片研發(fā)及產業(yè)化項目計劃投資總額約40億元，擬投入募集資金33億元。兆易創(chuàng)新擬通過本項目，研發(fā)1Xnm級（19nm、17nm）工藝制程下的DRAM技術，設計和開發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。

根據(jù)兆易創(chuàng)新此前發(fā)布的《非公開發(fā)行A股股票申請文件一次反饋意見的回復》顯示，兆易創(chuàng)新對DRAM芯片研發(fā)及產業(yè)化項目各個階段的實施時間、整體進度進行了安排。

根據(jù)安排，兆易創(chuàng)新計劃在2020年定義首款芯片的生產制程，并將經過驗證后的設計展開流片試樣，經過反復測試、反復修改直到樣片設計符合設計規(guī)范并通過系統(tǒng)驗證；2021年，首款芯片客戶驗證完成后進行小批量產，測試成功后進行大批量產；2022年至2025年，兆易創(chuàng)新計劃完成多系列產品陸續(xù)研發(fā)及量產。

資料顯示，兆易創(chuàng)新自2005年設立并進入閃存芯片設計行業(yè)，通過技術開拓、業(yè)務并購，目前已成為中國大陸最為領先的芯片設計企業(yè)之一，其主營業(yè)務為閃存芯片及其衍生產品、微控制器產品、傳感器模塊的研發(fā)、技術支持和銷售。

上述項目的實施有助于兆易創(chuàng)新豐富自身產品線，提升我國在全球存儲器產業(yè)地位。兆易創(chuàng)新表示，本次非公開發(fā)行是公司打造國內領先存儲器廠商、全球領先芯片設計公司的關鍵戰(zhàn)略，發(fā)行完成后，公司在存儲器領域將成為覆蓋Flash、DRAM的領軍企業(yè)。項目實施完畢后，兆易創(chuàng)新在存儲器領域的產品結構將得到進一步豐富，在NOR Flash、NAND Flash基礎上切入DRAM存儲芯片。項目完成后，兆易創(chuàng)新將掌握DRAM技術、具備DRAM產品設計能力。