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三星部署3D芯片封裝技術(shù),與臺(tái)積電展開博弈

21克888 ? 來源:電子發(fā)燒友整合 ? 作者:Norris ? 2020-09-17 10:51 ? 次閱讀
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在蘋果秋季發(fā)表會(huì)上,由臺(tái)積電最先進(jìn)5納米制程所代工打造的蘋果A14 Bionic處理器已先亮相,預(yù)計(jì)將搭載在蘋果的新款iPhone手機(jī)與新一代iPad Air平板電腦上。

而臺(tái)積電的競爭對(duì)手三星在先進(jìn)制程上的發(fā)展也不惶多讓,日前傳出拿下移動(dòng)處理器龍頭高通最新旗艦移動(dòng)處理器──驍龍875的代工訂單,顯示了臺(tái)積電與三星在先進(jìn)制程上的你來我往的激烈競爭。

而根據(jù)韓國媒體的報(bào)導(dǎo),目前這兩家全球最頂尖技術(shù)的晶圓代工廠商,當(dāng)前除了在先進(jìn)制程上的競賽之外,還將戰(zhàn)場擴(kuò)展到先進(jìn)封裝的范圍中,藉此以掌握未來的商機(jī)。

報(bào)導(dǎo)指出,目前臺(tái)積電和三星是全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)先進(jìn)制程的領(lǐng)頭羊,但近幾年臺(tái)積電在先進(jìn)制程的發(fā)展上總是領(lǐng)先三星。例如在7納米和5納米的先進(jìn)制程上,都是臺(tái)積電最早商用化,而且產(chǎn)品良率也較高,這使得臺(tái)積電近來始終獲得大多數(shù)市場客戶的青睞,因此贏得了不少的訂單。而在這方面,現(xiàn)階段仍舊落后的三星,顯然要采取一些辦法來扭轉(zhuǎn)劣勢(shì),因此其把晶圓代工環(huán)節(jié),進(jìn)一步延伸到芯片封裝中,繼續(xù)與臺(tái)積電進(jìn)行競爭。

日前,韓國供應(yīng)鏈就指出,三星自上個(gè)月開始已經(jīng)部署3D芯片封裝技術(shù),目的便是尋求在2022年跟臺(tái)積電在芯片先進(jìn)封裝領(lǐng)域展開競爭。據(jù)了解,三星的3D芯片先進(jìn)封裝技術(shù)訂名為“eXtended-Cube”,簡稱“X-Cube”,在8月中旬已經(jīng)進(jìn)行展示,在當(dāng)中將采用7納米制程技術(shù),來為客戶提供相關(guān)的產(chǎn)品。

而相對(duì)于三星的大動(dòng)作,當(dāng)然目前的晶圓代工龍頭臺(tái)積電同樣也已經(jīng)開發(fā)出先進(jìn)的芯片封裝技術(shù)。根據(jù)之前臺(tái)積電在全球技術(shù)論壇和開放創(chuàng)新平臺(tái)生態(tài)系統(tǒng)論壇期間所展示的,臺(tái)積電也已經(jīng)有3D硅堆疊及先進(jìn)的封裝技術(shù)系列和服務(wù),目的在于為客戶提供強(qiáng)大而靈活的互連性和先進(jìn)的封裝技術(shù),藉以釋放他們的創(chuàng)新。

根據(jù)日前臺(tái)積電總裁魏哲家指出,臺(tái)積電發(fā)展先進(jìn)制程后發(fā)現(xiàn),當(dāng)前2D半導(dǎo)體微縮已經(jīng)不符合未來的異質(zhì)整合需求,這使得臺(tái)積電所發(fā)展的3D半導(dǎo)體微縮成為滿足未來系統(tǒng)效能、縮小面積、整合不同功能等道路。

因此,之后臺(tái)積電也決定將CoWoS、InFO-R、Chip on Wafer、Wafer on Wafer等先進(jìn)3D封裝技術(shù)平臺(tái)匯整,未來將統(tǒng)一命名為“TSMC 3DFabric”,未來此平臺(tái)將持續(xù)提供介面連結(jié)解決方案,以達(dá)成客戶整合邏輯芯片、高頻寬存儲(chǔ)器及特殊制程芯片的需求。

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步強(qiáng)調(diào),臺(tái)積電和三星在芯片先進(jìn)封裝領(lǐng)域展開激烈競爭,其原因在于芯片先進(jìn)制程越來越受到摩爾定律極限的限制,而藉由先進(jìn)封裝的發(fā)展則會(huì)是下一代半導(dǎo)體決勝的關(guān)鍵。因此,誰能夠掌握其中的關(guān)鍵,也就能在競爭中取得致勝的先機(jī)。

不過,對(duì)于臺(tái)積電與三星在芯片先進(jìn)封裝技術(shù)上的競爭,報(bào)導(dǎo)也表示可能對(duì)包括封測大廠日月光和矽品這些原來的半導(dǎo)體封裝測試企業(yè)主要業(yè)務(wù)帶來影響。臺(tái)積電和三星的高手過招已經(jīng)延伸到3nm工藝上。當(dāng)然啦,兩家的3nm究竟是怎么定義的還有待考量。

去年年底,臺(tái)積電宣布其斥資近200億美元的3nm晶圓廠正式通過環(huán)評(píng)標(biāo)準(zhǔn),預(yù)計(jì)2020年開工興建、隔年試產(chǎn),并在2022到2023年間進(jìn)入量產(chǎn)。

這將成為第一座為3nm工藝建造的廠房。

▲三星代工廠制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)路線圖(來源:ExtremeTech)


三星關(guān)于3nm工藝的說法則不是很統(tǒng)一。在去年12月的IEDM會(huì)議上,三星晶圓代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Eun Seung Jung表示,三星已經(jīng)完成了3nm工藝技術(shù)的性能驗(yàn)證,并且在進(jìn)一步完善該工藝,目標(biāo)是在2020年大規(guī)模量產(chǎn)。但據(jù)外媒Tom’s Hardware的報(bào)道,三星將最早在2021年開始量產(chǎn)3nm GAA(全環(huán)柵技術(shù))工藝。

不過,多數(shù)業(yè)內(nèi)人士表示不太相信三星的3nm芯片能在2022年前投入生產(chǎn)。

如果按照兩家公司的既定計(jì)劃,臺(tái)積電和三星極有可能將在2022年上演3nm制程的初級(jí)對(duì)決。至于未來有何發(fā)展態(tài)勢(shì),則有待后續(xù)進(jìn)一步觀察。

本文由電子發(fā)燒友綜合報(bào)道,內(nèi)容參考自網(wǎng)易科技、臺(tái)積電,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來源。

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