SK海力士在鞏固其面向AI的存儲(chǔ)器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲(chǔ)器市場的領(lǐng)先地位,這些成就的背后皆源于SK
發(fā)表于 06-18 15:31
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三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使
發(fā)表于 04-18 10:52
列入貿(mào)易限制名單,也對SK海力士的決策產(chǎn)生了影響。業(yè)內(nèi)普遍預(yù)測,SK海力士將全面停止使用中國的EDA軟件,而三星
發(fā)表于 02-18 10:51
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據(jù)外媒最新報(bào)道,為了應(yīng)對NAND閃存市場的供應(yīng)過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導(dǎo)體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露,自去年年底以來,
發(fā)表于 02-12 10:38
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據(jù)外媒最新報(bào)道,韓國兩大存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子與SK海力士已正式結(jié)盟,共同致力于推動(dòng)LPDDR6的存內(nèi)計(jì)算(Processing In Memory,簡稱PIM)產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程。此舉旨
發(fā)表于 12-03 10:42
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近日,SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存(HBM4)芯片樣品。據(jù)悉,特斯拉計(jì)劃在測試這兩家公司提供的樣品后,選擇其中一家作為其HBM4芯片的供應(yīng)商。 與微軟、谷歌
發(fā)表于 11-21 14:22
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在近日舉行的SK AI峰會(huì)上,韓國存儲(chǔ)巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK
發(fā)表于 11-13 14:35
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領(lǐng)域的競爭對手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據(jù)悉,SK海力士已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這一消息無疑加劇了HBM市場的競爭態(tài)勢。 然而,對于
發(fā)表于 11-04 10:39
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韓國交易所近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,三星電子與SK海力士的市值份額差距已經(jīng)縮小至近13年來的最低水平。
發(fā)表于 10-28 15:44
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據(jù)可靠消息,SK海力士已重新啟動(dòng)向Meta(原Facebook)的數(shù)據(jù)中心供應(yīng)固態(tài)硬盤(SSD)的業(yè)務(wù)。此前,由于Meta延遲訂購,與Fadu合作贏得的項(xiàng)目曾一度暫停,時(shí)間長達(dá)約1年3個(gè)月,但現(xiàn)在該項(xiàng)目已恢復(fù)進(jìn)行。
發(fā)表于 10-17 15:32
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隨著三星電子定于10月8日發(fā)布第三季度初步財(cái)務(wù)報(bào)告,市場焦點(diǎn)轉(zhuǎn)向了其與SK海力士之間營業(yè)利潤的預(yù)期差距如何進(jìn)一步拉大。
發(fā)表于 10-08 15:58
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近期,科技界傳來重要消息,三星、SK海力士及美光三大半導(dǎo)體巨頭正全力推進(jìn)高帶寬內(nèi)存(HBM)的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。據(jù)預(yù)測,至2025年,這一領(lǐng)域的新增產(chǎn)量將激增至27.6萬個(gè)單位,推動(dòng)年度總
發(fā)表于 08-29 16:43
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SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃,即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐,標(biāo)志著SK海力士在DRAM制造
發(fā)表于 08-14 17:06
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據(jù)最新消息,SK海力士正醞釀一項(xiàng)重要財(cái)務(wù)戰(zhàn)略,考慮推動(dòng)其NAND與SSD業(yè)務(wù)子公司Solidigm在美國進(jìn)行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購
發(fā)表于 07-30 17:35
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SK 海力士,作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,近期在環(huán)保領(lǐng)域邁出了重要一步,宣布在其芯片生產(chǎn)的關(guān)鍵清洗工藝中,將采用更為環(huán)保的氣體——氟氣(F2)來替代傳統(tǒng)的三氟化氮(NF3)。這一舉措不僅彰顯了
發(fā)表于 07-26 15:44
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