ROHM開發(fā)出“1200V 第４代SiC MOSFET”，非常適用于包括主機逆變器在內(nèi)的車載動力總成系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的電源。第4代SiC MOSFET實現(xiàn)了業(yè)界先進的低導(dǎo)通電阻，針對下一代電動汽車（xEV）高效且小型輕量化的電動系統(tǒng)、第４代SiC MOSFET起到核心驅(qū)動作用的主機逆變器系統(tǒng)的小型化和高效化、充電時間隨著電動汽車（EV）電池容量的增加而縮短、電池電壓提高（800V）等趨勢，該產(chǎn)品被寄予厚望。目前，第４代SiC MOSFET可以以裸芯片的形式提供樣品。

*2020年6月17日羅姆調(diào)查

＜1200V 第4世代SiC MOSFET的亮點＞

?進一步改進了ROHM自有的雙溝槽結(jié)構(gòu)，與以往產(chǎn)品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下，成功地將單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約40％。

?通過大幅降低寄生電容，使開關(guān)損耗比以往產(chǎn)品降低約50％。

?通過實現(xiàn)上述亮點，可減小逆變器和電源等各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的尺寸并降低功耗。

改進了自有的溝槽結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)業(yè)界先進的低導(dǎo)通電阻

ROHM于2015年世界上第一家成功地實現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn)，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。一直以來，業(yè)界存在降低導(dǎo)通電阻會導(dǎo)致短路耐受時間變短（二者之間存在此消彼長的關(guān)系）的問題，但此次開發(fā)的第四代SiC MOSFET，通過進一步改進自有的雙溝槽結(jié)構(gòu)，與以往產(chǎn)品相比，無需犧牲短路耐受時間，即可成功地將單位面積的導(dǎo)通電阻降低約40％。

大幅降低寄生電容，使開關(guān)損耗降低50％

通常，MOSFET的各種寄生電容具有隨著導(dǎo)通電阻的降低和電流的提高而增加的趨勢，隨著寄生電容的增加，開關(guān)損耗也會增加，這限制了SiC本來具備的高速開關(guān)優(yōu)勢。此次推出的第4代SiC MOSFET產(chǎn)品，通過大幅降低柵漏電容（CGD），成功地使SiC MOSFET開關(guān)損耗比以往產(chǎn)品降低約50％。

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