賽靈思為 FPGA 和 MPSoC 器件中所有受支持的 I/O 標(biāo)準(zhǔn)提供了 I/O 緩存信息規(guī)范 (I/O Buffer Information Specification, IBIS) 模型。

本篇博文旨在提供有關(guān)如何為可編程邏輯 (PL) 和處理器系統(tǒng) (PS) 多用途 I/O (MIO) 進(jìn)行 IBIS 模型名稱(chēng)解碼的指導(dǎo)信息。 本文主要分 3 個(gè)部分:

PL I/O 標(biāo)準(zhǔn)

PS MIO 標(biāo)準(zhǔn)

PS DDR I/O 標(biāo)準(zhǔn)

在這 3 個(gè)章節(jié)中包含多個(gè)解碼器表格，其中逐一細(xì)分羅列了模型名稱(chēng)的每個(gè)部分并提供了一些模型名稱(chēng)示例。

1. 賽靈思 PL I/O 標(biāo)準(zhǔn) IBIS 解碼器

PL IBIS 解碼器可用于為所有可編程邏輯 I/O 執(zhí)行 PL IBIS 模型解碼。 它適用于 Zynq MPSoC PL I/O。

表 1：PL IBIS 解碼器

所有模型（LVDS 除外*）都將包含“bank 類(lèi)型 (Bank Type)”、“I/O 標(biāo)準(zhǔn) (IOStandard)”、“斜率 (Slew Rate)”和“輸出阻抗/驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度 (Output Impedance/DriveStrength)”。

*LVDS 模型將包含“bank 類(lèi)型 (Bank Type)”、“LVDS”、“I/O 標(biāo)準(zhǔn) (IOStandard)”和“數(shù)字端接 (Digital Termination)”。

內(nèi)部 100-ohm 差分終端僅在以 1.8V (LVDS) 或 2.5V (LVDS_25) 加電的 bank 中可用。 請(qǐng)參閱(UG571) v1.12 第 103 頁(yè)以獲取詳細(xì)信息。

https://china.xilinx.com/support/documentation/user_guides/c_ug571-ultrascale-selectio.pdf

注：并非每個(gè) IBIS 模型都包含所有模型設(shè)置。

如果模型名稱(chēng)中不含某項(xiàng)設(shè)置，即表示此模型不支持該項(xiàng)設(shè)置。

表 2 和表 3 提供了適用于 DDR4 和 SelectIO 的 PL IBIS 模型示例。

表2：PL DDR4 IBIS 模型

*時(shí)鐘和 DQS 為差分信號(hào)。 單端模型分配到每個(gè)分支。

差分信號(hào)在 IBIS 文件中的“[Diff Pin]”關(guān)鍵字下指定。

表 3：PL SelectIO IBIS 模型

2. 賽靈思 Zynq MPSoC PS MIO IBIS 模型

Zynq MPSoC MIO 管腳支持 LVCMOS，可提供以下選項(xiàng)

接口電壓：1.8V、2.5V 或 3.3V

驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度：2mA、4mA、8mA 或 12mA

斜率：Slow 或 Fast

MIO IBIS 模型格式為M0_PADH_02_F_NA_PBIDIR_18_18_NT_DR_H。

表 4 對(duì)每個(gè) IBIS 模型的驅(qū)動(dòng)設(shè)置進(jìn)行了解釋。

表 4：PS MIO IBIS 模型

3. 賽靈思 Zynq MPSoC PS DDR IBIS 模型

Zynq MPSoC PS DDR IBIS 信號(hào)與所有其它信號(hào)都不同。

表 5 顯示了適用于 Zynq MPSoC PS DDR IBIS 模型的解碼器。

其中為每一種 DDR 內(nèi)存類(lèi)型的 IBIS 模型都提供了相應(yīng)的示例。

表 5：PS DDR IBIS 解碼器

表 6 到 10 提供了對(duì)應(yīng)受支持的 PS DDR 技術(shù)的 Zynq PS DDR IBIS 示例。

表 6：PS DDR3

表 7：PS DDR3L

表 8：PS LPDDR3

表 9：PS DDR4

表 10：PS LPDDR4