荷蘭恩智浦半導(dǎo)體公司周二表示，已在美國(guó)亞利桑那州錢(qián)德勒市（Chandler）開(kāi)設(shè)了一家工廠，生產(chǎn)用于5G電信設(shè)備的氮化鎵芯片。

氮化鎵是硅的替代品。 這種材料是5G網(wǎng)絡(luò)中的一個(gè)關(guān)鍵成分，因?yàn)樗梢蕴幚?G網(wǎng)絡(luò)中使用的高頻，同時(shí)比其他芯片材料消耗更少的功率和占用更少的空間。

恩智浦表示，這座新工廠將生產(chǎn)6英寸芯片，此類(lèi)芯片的尺寸是大多數(shù)傳統(tǒng)硅芯片的一半，但在替代材料中很常見(jiàn)。該公司表示，新工廠將有一個(gè)研究和開(kāi)發(fā)中心，以幫助工程師加速氮化鎵半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā)和專(zhuān)利申請(qǐng)。恩智浦表示，預(yù)計(jì)該廠將于年底前達(dá)到全部生產(chǎn)能力。

美國(guó)兩黨議員提出多項(xiàng)與芯片相關(guān)的法案，計(jì)劃耗資數(shù)百億美元的巨額補(bǔ)貼，推動(dòng)本國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展，其原因是擔(dān)憂(yōu)中國(guó)崛起。

美國(guó)聯(lián)邦國(guó)會(huì)為了推動(dòng)半導(dǎo)體的國(guó)內(nèi)生產(chǎn)，開(kāi)始討論新投入250億美元規(guī)模的補(bǔ)貼。希望通過(guò)巨額的公共支援對(duì)抗中國(guó)，提升英特爾等美國(guó)大型企業(yè)的開(kāi)發(fā)能力。其背景是如果對(duì)半導(dǎo)體生產(chǎn)的海外依存置之不理，除了產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的下降之外，還擔(dān)憂(yōu)有可能對(duì)安全保障和軍事實(shí)力產(chǎn)生負(fù)面影響。

美國(guó)信息技術(shù)與創(chuàng)新基金會(huì)(ITIF)的分析顯示，在世界半導(dǎo)體市場(chǎng)，以最大廠商英特爾為代表的美國(guó)企業(yè)的份額占到47％，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)居第2位的韓國(guó)（19％）和第3位的日本（10％）。不過(guò)，美國(guó)波士頓咨詢(xún)集團(tuán)統(tǒng)計(jì)顯示，從產(chǎn)能來(lái)看，美國(guó)僅占世界的12％。

這是因?yàn)槊绹?guó)英偉達(dá)和美國(guó)高通等專(zhuān)注于半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì)的無(wú)廠企業(yè)眾多，生產(chǎn)委托給臺(tái)灣等海外的情況很多。

如果直接關(guān)系到軍事技術(shù)的半導(dǎo)體的美國(guó)國(guó)內(nèi)生產(chǎn)出現(xiàn)空洞化，供給渠道將變得不穩(wěn)定，成為安全保障方面的風(fēng)險(xiǎn)。另一方面，中國(guó)大陸產(chǎn)能的全球份額已達(dá)到15％，超過(guò)了美國(guó)。有預(yù)測(cè)稱(chēng)到10年后將增至24％，在世界范圍躍居首位。

擔(dān)憂(yōu)中國(guó)崛起的美國(guó)國(guó)會(huì)和政權(quán)希望通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體的巨額補(bǔ)貼，推動(dòng)供應(yīng)鏈回歸美國(guó)國(guó)內(nèi)。對(duì)半導(dǎo)體的公共支援計(jì)劃列入2021財(cái)政年度（2020年10月～2021年9月）預(yù)算。參議院和眾議院都在超黨派審議自主的半導(dǎo)體支援法案，兩院已啟動(dòng)了統(tǒng)一行動(dòng)。推動(dòng)制造業(yè)回歸美國(guó)的特朗普政權(quán)還計(jì)劃推動(dòng)相關(guān)法案的通過(guò)。

截至9月26日浮出水面的超黨派的兩院統(tǒng)一法案的草案提出，面向半導(dǎo)體工廠和研究設(shè)施等，聯(lián)邦政府每1件支付最多30億美元的補(bǔ)貼。半導(dǎo)體工廠存在建設(shè)費(fèi)達(dá)到100億美元的情況，明顯左右競(jìng)爭(zhēng)力。建立150億美元規(guī)模的基金，用10年時(shí)間展開(kāi)投資的方案最有可能。

此外，對(duì)于安全保障方面機(jī)密性更高的半導(dǎo)體生產(chǎn)，存在國(guó)防部等提供50億美元開(kāi)發(fā)資金的方案。在美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)，英特爾在新一代產(chǎn)品的微細(xì)化技術(shù)上，落后于臺(tái)積電（TSMC）。為了扭轉(zhuǎn)劣勢(shì)，還將向研究開(kāi)發(fā)追加分配50億美元的預(yù)算。對(duì)半導(dǎo)體的補(bǔ)貼僅聯(lián)邦政府就達(dá)到合計(jì)250億美元規(guī)模，各州和地方政府也將通過(guò)稅收優(yōu)惠等提供支援。

中國(guó)正在政企合作將半導(dǎo)體打造為支柱產(chǎn)業(yè)，2014年設(shè)立政策性基金。截至2019年的投資額達(dá)到1400億元（約合205億美元）。如果加上地方政府的相關(guān)基金，累計(jì)投資額為超過(guò)5千億元的規(guī)模。中國(guó)提出到2025年使半導(dǎo)體的70％在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的目標(biāo)。高科技領(lǐng)域已經(jīng)成為中美的主戰(zhàn)場(chǎng)。

信奉市場(chǎng)主義經(jīng)濟(jì)的美國(guó)此前對(duì)于向特定產(chǎn)業(yè)投入巨額補(bǔ)貼持慎重態(tài)度。曾向尖端技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)等投入公共預(yù)算，但向工廠建設(shè)等直接投入補(bǔ)貼實(shí)屬罕見(jiàn)。高科技領(lǐng)域的公共支援大戰(zhàn)存在扭曲自由市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的風(fēng)險(xiǎn)。

半導(dǎo)體是美國(guó)屈指可數(shù)的出口產(chǎn)業(yè)，巨額補(bǔ)貼的投入也有違反世界貿(mào)易組織（WTO）規(guī)則的可能性。美國(guó)此次的補(bǔ)貼構(gòu)想打算涵蓋臺(tái)積電等海外企業(yè)在美國(guó)生產(chǎn)的情況，美國(guó)國(guó)會(huì)相關(guān)人士表示，“不屬于違規(guī)出口補(bǔ)貼”。草案還提出創(chuàng)建與日歐等同盟國(guó)共同開(kāi)發(fā)最新半導(dǎo)體的“多邊基金”，這被認(rèn)為意在緩解國(guó)際批評(píng)。

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