一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

用基本的物理原理理解IGBT—并聯(lián)均流不簡單

454398 ? 來源:alpha007 ? 作者:alpha007 ? 2022-11-15 17:18 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū)

1、因?yàn)椴⒙?lián),所以精彩

IGBT與FRD、晶閘管等無元胞器件相比,天生就是并聯(lián)的。模塊封裝中更是需要多芯片并聯(lián)。正是因?yàn)椴⒙?lián),才使得IGBT器件的功率容量得以擴(kuò)展??梢哉f,沒有并聯(lián),就不是IGBT。

但是這里面就牽扯到并聯(lián)均流問題。

2、芯片越大越好?

有些人感覺把IGBT芯片做大一點(diǎn),一顆頂兩顆,這樣就可以減少封裝中的并聯(lián)均流問題了。事實(shí)顯然沒有那么簡單。 首先,IGBT芯片是很多個(gè)元胞組成的,按15um的元胞寬度,方形元胞估算,1平方厘米的芯片上大約有40萬個(gè)元胞。這些元胞之間本身就是并聯(lián)的,也存在均流問題。芯片面積增大后,芯片內(nèi)部的均流問題也需要考慮。某個(gè)元胞的熱電正反饋是芯片損壞的開始。 如果芯片內(nèi)部總是均流的,IGBT的電流能力將遠(yuǎn)超額定電流。做過仿真的應(yīng)該注意過,對(duì)單個(gè)元胞進(jìn)行仿真,隨便你提高關(guān)斷電壓、寄生電感,元胞都是不會(huì)損壞的,而且隨便一個(gè)設(shè)計(jì)都可以實(shí)現(xiàn)SSCM。對(duì),就是ABB提出的那個(gè)開關(guān)自鉗位模式。電壓過沖達(dá)到一定值后,關(guān)斷電流di/dt將因動(dòng)態(tài)雪崩而下降,使VCE被鉗位。 這就是均流的力量。現(xiàn)實(shí)中的IGBT,幾乎一切與大電流相關(guān)的損壞都來自于均流問題。所以,芯片內(nèi)部的均流也是非常重要的。 此外,芯片制造過程中總有缺陷,有良率問題。不管大芯片還是小芯片,都是一個(gè)致命缺陷就會(huì)失效。單芯片面積越大,良率自然越低。晶圓加工中剩余的邊角料也會(huì)浪費(fèi)更多。

所以,增大芯片面積,既有均流設(shè)計(jì)問題,也要考慮生產(chǎn)線的工藝能力和成本。

3、柵電阻的等效

實(shí)際模塊設(shè)計(jì)中,每個(gè)模塊中可能有多個(gè)襯板,每個(gè)襯板上一般都會(huì)有一個(gè)襯板電阻。比如某1200A的模塊有6個(gè)襯板,每個(gè)襯板上電阻為6歐。根據(jù)并聯(lián)電阻的規(guī)律,這6個(gè)6歐的電阻,相當(dāng)于模塊外部接一個(gè)1歐的電阻。

事實(shí)上這兩種處理是等效的嗎?當(dāng)然不是。因?yàn)槟K布局中一定會(huì)有寄生參數(shù),導(dǎo)致不同襯板與信號(hào)源之間的總阻抗不一樣。引入襯板電阻后,可以減小不同襯板之間這方面的差異,改善均流問題。

同理,芯片的片上電阻與襯板電阻也是不能完全等效的。

那么芯片內(nèi)部不同區(qū)塊的均流問題,是不是要考慮呢?怎么處理呢?這個(gè)相信答案已經(jīng)很清晰了。

均流問題包含的范疇實(shí)在太大,靜態(tài)的,動(dòng)態(tài)的,短路的。相對(duì)容易處理的是寄生參數(shù)導(dǎo)致的不均流的抑制,相對(duì)難的是芯片制造工藝的控制,還有一些從器件設(shè)計(jì)上需要考慮的。這些恐怕十篇也寫不清楚。本身這個(gè)系列也是列舉一些典型的點(diǎn),剩下的留給有心的自己去思考了。

審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1278

    文章

    4069

    瀏覽量

    254558
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    并聯(lián)MOSFET設(shè)計(jì)指南:、寄生參數(shù)與熱平衡

    的整體可靠性。然而,MOSFET并聯(lián)設(shè)計(jì)并非簡單的“多加幾個(gè)”過程,必須考慮到、寄生參數(shù)與熱平衡等諸多因素。本文將探討如何在實(shí)際設(shè)計(jì)中有效應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),優(yōu)化并
    的頭像 發(fā)表于 07-04 10:03 ?167次閱讀
    <b class='flag-5'>并聯(lián)</b>MOSFET設(shè)計(jì)指南:<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>、寄生參數(shù)與熱平衡

    并聯(lián)與串聯(lián)設(shè)計(jì)中的MDD快恢復(fù)整流器:與耐壓怎么搞?

    會(huì)考慮將快恢復(fù)整流器進(jìn)行并聯(lián)或串聯(lián)設(shè)計(jì)。但看似簡單的“疊加”,實(shí)際涉及一系列電氣與熱學(xué)挑戰(zhàn),尤其是壓控制問題。本文將深入剖析快恢復(fù)整
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:31 ?138次閱讀
    <b class='flag-5'>并聯(lián)</b>與串聯(lián)設(shè)計(jì)中的MDD快恢復(fù)整流器:<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>與耐壓怎么搞?

    Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素

    Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素
    的頭像 發(fā)表于 06-06 08:25 ?1390次閱讀
    Si-<b class='flag-5'>IGBT</b>+SiC-MOSFET<b class='flag-5'>并聯(lián)</b>混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素

    SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動(dòng)態(tài)問題

    在電力電子領(lǐng)域,當(dāng)多個(gè)SiC MOSFET模塊并聯(lián)時(shí),受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響,會(huì)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)電流不均的問題,制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動(dòng)態(tài)
    的頭像 發(fā)表于 05-30 14:33 ?1088次閱讀
    SiC MOSFET模塊<b class='flag-5'>并聯(lián)</b>應(yīng)用中的動(dòng)態(tài)<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>問題

    SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)的基本要求和注意事項(xiàng)

    通過并聯(lián)SiC MOSFET功率器件,可以獲得更高輸出電流,滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)的基本要求和注意事項(xiàng)。
    的頭像 發(fā)表于 05-23 10:52 ?587次閱讀
    SiC MOSFET<b class='flag-5'>并聯(lián)</b>運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>的基本要求和注意事項(xiàng)

    OPA541并聯(lián)不均

    使用手冊(cè)推薦的OPA541并聯(lián)電路時(shí),當(dāng)VIN給負(fù)電平時(shí),主從,當(dāng)VIN給正點(diǎn)是主運(yùn)放輸出全部電流,從運(yùn)放未輸出電流
    發(fā)表于 04-02 17:05

    MDD整流二極管的并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用:如何與提高耐壓能力?

    電力電子電路設(shè)計(jì),有時(shí)單個(gè)整流二極管的電流承載能力或耐壓能力無法滿足應(yīng)用需求,此時(shí)可以通過并聯(lián)或串聯(lián)方式來增強(qiáng)電流或耐壓能力。然而,并聯(lián)時(shí)需要解決問題,串聯(lián)時(shí)要保證
    的頭像 發(fā)表于 03-17 11:45 ?827次閱讀
    MDD整流二極管的<b class='flag-5'>并聯(lián)</b>與串聯(lián)應(yīng)用:如何<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>與提高耐壓能力?

    MOS管的并聯(lián)使用:如何保證電流

    。因此,如何保證并聯(lián)MOS管的電流,是設(shè)計(jì)中的一個(gè)關(guān)鍵問題。今天我們將從選型、布局和電路設(shè)計(jì)三個(gè)方面,探討實(shí)現(xiàn)電流的方法: 1. M
    的頭像 發(fā)表于 02-13 14:06 ?1945次閱讀
    MOS管的<b class='flag-5'>并聯(lián)</b>使用:如何保證電流<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>?

    碳化硅(SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用控制技術(shù)的綜述

    碳化硅(SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用控制技術(shù)的綜述,傾佳電子楊茜綜合了當(dāng)前研究進(jìn)展與關(guān)鍵技術(shù)方向。
    的頭像 發(fā)表于 02-05 14:36 ?634次閱讀
    碳化硅(SiC)MOSFET<b class='flag-5'>并聯(lián)</b>應(yīng)用<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>控制技術(shù)的綜述

    詳解IGBT并聯(lián)的技術(shù)要點(diǎn)(2)

    大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載,并聯(lián)器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱,有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化,會(huì)影響
    的頭像 發(fā)表于 01-21 09:48 ?1571次閱讀
    詳解<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>并聯(lián)</b>的技術(shù)要點(diǎn)(2)

    詳解IGBT并聯(lián)的技術(shù)要點(diǎn)(1)

    大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載,并聯(lián)器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱,有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間
    的頭像 發(fā)表于 01-16 10:44 ?1416次閱讀
    詳解<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>并聯(lián)</b>的技術(shù)要點(diǎn)(1)

    UPS電源“十全十測(cè)”之9:UPS并機(jī)性能測(cè)試

    一、什么是UPS并機(jī)性能UPS(不間斷電源)并機(jī)性能指的是在多臺(tái)UPS并聯(lián)運(yùn)行時(shí),各臺(tái)UPS能夠均勻分擔(dān)負(fù)載電流的能力。在實(shí)際應(yīng)用中
    的頭像 發(fā)表于 01-10 17:23 ?1318次閱讀
    UPS電源“十全十測(cè)”之9:UPS并機(jī)<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>性能測(cè)試

    N+1熱插拔電源模塊并聯(lián)系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

    N+1個(gè)熱插拔電源模塊并聯(lián)系統(tǒng)設(shè)計(jì) 摘要 目前工業(yè)及國防領(lǐng)域中對(duì)開關(guān)電源的體積、功率、可靠性等要求高,急需一種新型拓?fù)潆娫聪到y(tǒng)。介紹了一種采用Vicor高功率密度器件設(shè)計(jì)的具有熱插拔功能
    的頭像 發(fā)表于 11-21 09:36 ?1194次閱讀
    N+1熱插拔電源模塊<b class='flag-5'>并聯(lián)</b><b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

    冗余系統(tǒng)中的

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《冗余系統(tǒng)中的.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 10-17 11:20 ?4次下載
    冗余系統(tǒng)中的<b class='flag-5'>均</b><b class='flag-5'>流</b>

    RC-IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢(shì)

    因?yàn)?b class='flag-5'>IGBT大部分應(yīng)用場(chǎng)景都是感性負(fù)載,在IGBT關(guān)斷的時(shí)候,感性負(fù)載會(huì)產(chǎn)生很大的反向電流,IGBT不能反向?qū)?,需要?b class='flag-5'>IGBT的兩端并聯(lián)
    的頭像 發(fā)表于 10-15 15:26 ?3400次閱讀
    RC-<b class='flag-5'>IGBT</b>的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢(shì)