如今內(nèi)存市場(chǎng)正在經(jīng)歷一段混亂時(shí)期，而且還沒(méi)有結(jié)束。

到2020年目前為止，對(duì)3D NAND和DRAM兩種主要存儲(chǔ)器的需求略好于預(yù)期。但由于經(jīng)濟(jì)放緩、庫(kù)存問(wèn)題和持續(xù)的貿(mào)易戰(zhàn)，市場(chǎng)將存在一些不確定性。

此外，3D NAND市場(chǎng)正在向新一代技術(shù)發(fā)展，一些廠商遇到了產(chǎn)能問(wèn)題。而3D NAND和DRAM的供應(yīng)商正面臨來(lái)自中國(guó)的新的競(jìng)爭(zhēng)壓力。

在2019年放緩之后，存儲(chǔ)市場(chǎng)本應(yīng)在今年反彈。隨著COVID-19大流行爆發(fā)，突然之間，很多國(guó)家采取了各種措施來(lái)緩解疫情，例如禁止外出和關(guān)閉企業(yè)等。隨之而來(lái)的是經(jīng)濟(jì)動(dòng)蕩和失業(yè)。

然而，事實(shí)證明，在家工作推動(dòng)了對(duì)個(gè)人電腦、平板電腦和其他產(chǎn)品的需求；對(duì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的需求也在不斷增長(zhǎng)。所有這些都推動(dòng)了對(duì)內(nèi)存和其他芯片類(lèi)型的需求。

正在進(jìn)行的中美貿(mào)易戰(zhàn)繼續(xù)給市場(chǎng)帶來(lái)不確定性，但也引發(fā)了一波恐慌性的芯片買(mǎi)賣(mài)。基本上，美國(guó)已經(jīng)對(duì)中國(guó)華為實(shí)施了各種貿(mào)易限制。因此，一段時(shí)間以來(lái)，華為一直在囤積芯片，推高了需求。

這類(lèi)交易已經(jīng)進(jìn)入尾聲，要與華為開(kāi)展業(yè)務(wù)，美國(guó)公司和其他公司將需要在9月14日之后從美國(guó)政府獲得新的執(zhí)照。許多供應(yīng)商正在切斷與華為的聯(lián)系，這將影響芯片需求。

總的來(lái)說(shuō)，整個(gè)內(nèi)存市場(chǎng)是復(fù)雜的，有幾個(gè)未知因素。為了幫助業(yè)界了解未來(lái)，本文將研究DRAM、3D NAND和下一代內(nèi)存市場(chǎng)。

DRAM動(dòng)蕩

現(xiàn)如今一個(gè)完整系統(tǒng)集成了處理器、圖形以及內(nèi)存和存儲(chǔ)，通常被稱為內(nèi)存/存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)。在該層次結(jié)構(gòu)的第一層，SRAM集成到處理器以實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)訪問(wèn)；下一層是獨(dú)立的DRAM，用于主存；磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和基于NAND的SSD用于存儲(chǔ)。

2019年是DRAM的艱難時(shí)期，需求低迷，價(jià)格下跌。三大DRAM制造商之間的競(jìng)爭(zhēng)一直很激烈。根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，在DRAM市場(chǎng)，三星在2020年第二季度以43.5%的市場(chǎng)份額位居第一，緊隨其后的是SK海力士（30.1%）和美光（21%）。

隨著來(lái)自中國(guó)的新競(jìng)爭(zhēng)者的加入，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)預(yù)計(jì)將更加激烈。據(jù)Cowen & Co報(bào)道，中國(guó)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT）正在推出其首條19nm DRAM生產(chǎn)線，其中17nm產(chǎn)品正在生產(chǎn)中。

CXMT將如何影響市場(chǎng)還有待觀察。與此同時(shí)，2020年的DRAM市場(chǎng)喜憂參半。IBS預(yù)計(jì)，DRAM市場(chǎng)總規(guī)模將達(dá)到620億美元，與2019年的619.9億美元基本持平。

在家辦公經(jīng)濟(jì)，加上數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的繁榮，推動(dòng)了2020年上半年和第三季度對(duì)DRAM的強(qiáng)勁需求。IBS首席執(zhí)行官Handel Jones表示：“2020年第一季度至第三季度增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力是數(shù)據(jù)中心和個(gè)人電腦。”

如今，DRAM廠商正在推出基于1xnm節(jié)點(diǎn)的設(shè)備。FormFactor（一家芯片測(cè)試應(yīng)用探針卡供應(yīng)商）高級(jí)副總裁Amy Leong表示：“隨著DRAM供應(yīng)商開(kāi)始增加‘1y nm’和‘1z nm’節(jié)點(diǎn)，我們看到第三季度DRAM需求持續(xù)增強(qiáng)?！?/p>

然而，現(xiàn)在人們擔(dān)心2020年下半年經(jīng)濟(jì)會(huì)放緩。IBS的Jones表示，“ 2020年第四季度，由于數(shù)據(jù)中心需求放緩，會(huì)出現(xiàn)一些疲軟，但不會(huì)大幅下滑。”

與此同時(shí)，到目前為止，智能手機(jī)的內(nèi)存需求表現(xiàn)平平，但這種情況可能很快就會(huì)改變。在移動(dòng)DRAM前端，廠商正在加緊推出基于新的LPDDR5接口標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品。據(jù)三星稱，16GB的LPDDR5設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸速率為5500Mb /s，大約比之前的移動(dòng)存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)（LPDDR4X， 4266Mb/s）快1.3倍。

Cowen分析師Karl Ackerman在一份研究報(bào)告中表示：“我們預(yù)計(jì)，隨著搭載更高DRAM容量的旗艦5G智能手機(jī)產(chǎn)量增加，到2020年，移動(dòng)DRAM和NAND需求將不斷增長(zhǎng)?！?/p>

下一代無(wú)線技術(shù)5G有望在2021年推動(dòng)DRAM需求。IBS預(yù)計(jì)，DRAM市場(chǎng)將在2021年達(dá)到681億美元。IBS的Jones表示“2021年，增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力將是智能手機(jī)和5G智能手機(jī)，此外，數(shù)據(jù)中心的增長(zhǎng)將會(huì)相對(duì)強(qiáng)勁?！?/p>

NAND挑戰(zhàn)

在經(jīng)歷了一段緩慢增長(zhǎng)之后，NAND閃存供應(yīng)商也希望在2020年實(shí)現(xiàn)反彈。“我們對(duì)NAND閃存的長(zhǎng)期需求持樂(lè)觀態(tài)度，” FormFactor的Leong說(shuō)。

IBS的數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存市場(chǎng)的總規(guī)模預(yù)計(jì)將在2020年達(dá)到479億美元，比2019年的439億美元增長(zhǎng)9%。Jones說(shuō)：“2020年第一季度到第三季度的主要應(yīng)用驅(qū)動(dòng)是智能手機(jī)、個(gè)人電腦和數(shù)據(jù)中心。我們看到2020年第四季度需求出現(xiàn)了一些疲軟，但并不嚴(yán)重?！?/p>

據(jù)IBS預(yù)計(jì)，NAND市場(chǎng)2021年將達(dá)到533億美元。Jones 表示：“2021年的主要驅(qū)動(dòng)力將是智能手機(jī)，我們看到每部智能手機(jī)的銷(xiāo)量和NAND容量都在增加?！?/p>

根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，在NAND市場(chǎng)，三星在2020年第二季度以31.4%的市場(chǎng)份額位居第一，緊隨其后的是Kioxia（17.2%）、Western Digital（15.5%）、SK海力士（11.7%）、美光（11.5%）和英特爾（11.5%）。

如果這還不夠競(jìng)爭(zhēng)激烈的話，中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）最近推出了一款64層的NAND芯片，進(jìn)入了3D NAND市場(chǎng)?！癥MTC在2021年將有相對(duì)強(qiáng)勁的增長(zhǎng)，但它的市場(chǎng)份額非常低?！盝ones說(shuō)。

與此同時(shí)，供應(yīng)商一直在加緊開(kāi)發(fā)3D NAND閃存，它是planar NAND閃存的繼承者。與二維結(jié)構(gòu)的planar NAND不同，3D NAND類(lèi)似于一座垂直摩天大樓，其中水平的存儲(chǔ)單元層被堆疊起來(lái)，然后使用微小的垂直通道連接起來(lái)。

3D NAND是由堆疊在一個(gè)設(shè)備的層數(shù)量化的。隨著層數(shù)的增加，系統(tǒng)中的位密度也會(huì)增加。但是，隨著更多層的添加，制造方面的挑戰(zhàn)將逐步升級(jí)。

3D NAND也需要一些復(fù)雜的沉積和蝕刻步驟?！拔覀兪褂貌煌幕瘜W(xué)物質(zhì)，也需要一些蝕刻技術(shù)，特別是高縱橫比蝕刻（簡(jiǎn)稱HAR）。對(duì)于3D NAND，這變得非常關(guān)鍵。”在最近的一次展示中，TEL America副總裁Ben Rathsack說(shuō)道。

去年，供應(yīng)商開(kāi)始出貨64層3D NAND產(chǎn)品。TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Choe表示：“如今，92層和96層的3D NAND設(shè)備很常見(jiàn)；這些設(shè)備在移動(dòng)設(shè)備、SSD和企業(yè)市場(chǎng)中被廣泛采用?！?/p>

下一代技術(shù)是128層3D NAND。有報(bào)道稱，由于產(chǎn)能問(wèn)題，這里出現(xiàn)了一些延遲。Choe稱：“128L剛剛發(fā)布，128L SSD剛剛面市；不過(guò)，產(chǎn)能問(wèn)題仍然存在?！?/p>

目前還不清楚這個(gè)問(wèn)題會(huì)持續(xù)多久。盡管如此，供應(yīng)商們正在采取不同的方式來(lái)擴(kuò)大3D NAND的規(guī)模。有些使用所謂的字符串疊加方法。例如，一些廠商正在開(kāi)發(fā)兩個(gè)64層的設(shè)備，并將它們堆疊起來(lái)，形成一個(gè)128層的設(shè)備。

其他廠商則走另一條路。Choe說(shuō)：“三星在128L中一直采用單棧方式，這涉及到非常高的縱橫比垂直通道蝕刻?！?/p>

業(yè)界將繼續(xù)擴(kuò)大3D NAND的規(guī)模。Choe預(yù)計(jì)，到2021年底，176- 192層的3D NAND部件將投入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)。

這里有一些挑戰(zhàn)?！拔覀儗?duì)3D NAND規(guī)模持樂(lè)觀態(tài)度，”Lam Research的CTO Gottscho說(shuō)。“擴(kuò)大3D NAND規(guī)模有兩個(gè)大挑戰(zhàn)。其中之一就是當(dāng)你沉積越來(lái)越多的層時(shí)，薄膜中的應(yīng)力會(huì)增加，這會(huì)使晶圓發(fā)生扭曲，所以當(dāng)你進(jìn)入雙層或三層時(shí)，對(duì)齊就成了一個(gè)更大的挑戰(zhàn)?！?/p>

目前還不清楚3D NAND能發(fā)展到什么程度，但對(duì)更多比特的需求總是存在的。Gottscho說(shuō)：“長(zhǎng)期來(lái)看，需求非常強(qiáng)勁。數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)生成和存儲(chǔ)出現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)，所有這些挖掘數(shù)據(jù)的應(yīng)用程序?qū)樾聭?yīng)用程序提供更多數(shù)據(jù)，因此對(duì)數(shù)據(jù)和非易失性存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的需求將持續(xù)增長(zhǎng)?！?/p>

下一代內(nèi)存

業(yè)界一直在開(kāi)發(fā)幾種下一代內(nèi)存類(lèi)型，如相變存儲(chǔ)器（PCM）、STT-MRAM、電阻式RAM（ReRAM）等。

這些內(nèi)存類(lèi)型極具吸引力，因?yàn)樗麄兘Y(jié)合了SRAM的速度和閃存的非易失性以及無(wú)限持久性。但是，這些新內(nèi)存需要更長(zhǎng)的時(shí)間來(lái)開(kāi)發(fā)，因?yàn)樗鼈兪褂脧?fù)雜的材料和轉(zhuǎn)換模式來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

在新的內(nèi)存類(lèi)型中，PCM是最成功的。一段時(shí)間以來(lái)，英特爾一直在推出3D XPoint，這是一款PCM；美光也在推PCM。PCM通過(guò)改變材料的狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，速度比FLASH快，有更好的持久性。

STT-MRAM也在出貨。它具有靜態(tài)存儲(chǔ)器的速度和FLASH的非易失性，具有無(wú)限的持久性。它利用電子自旋的磁性為芯片提供非易失的特性。

STT-MRAM應(yīng)用在獨(dú)立和嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)中。在嵌入式領(lǐng)域，它的目標(biāo)是在22nm及以上節(jié)點(diǎn)的微控制器和其他芯片上取代NOR （eFlash）。

與FLASH相比，ReRAM具有更低的讀取延遲和更快的寫(xiě)入性能。ReRAM將電壓施加到材料堆上，使電阻發(fā)生變化，從而在存儲(chǔ)器中記錄數(shù)據(jù)。

UMC產(chǎn)品管理技術(shù)總監(jiān)David Uriu表示：“在某種程度上，ReRAM和MRAM都受到了缺乏成功批量使用案例的影響。從PCM到MRAM再到ReRAM，每種技術(shù)都有自己的優(yōu)缺點(diǎn)。這些技術(shù)的未來(lái)預(yù)測(cè)令人興奮，但事實(shí)是，它們?nèi)栽谘芯恐?。?/p>

如今PCM已經(jīng)發(fā)力，其他技術(shù)才剛剛開(kāi)始生根發(fā)芽?！爱a(chǎn)品采用的成熟度問(wèn)題需要隨著時(shí)間推移來(lái)證明，以獲得對(duì)解決方案能力的信心，”Uriu說(shuō)?！俺杀?、模擬性能和一般使用案例的問(wèn)題已經(jīng)提出來(lái)，只有少數(shù)遇到了挑戰(zhàn)。大多數(shù)風(fēng)險(xiǎn)太大，無(wú)法投入生產(chǎn)?！?/p>

這并不是說(shuō)MRAM和ReRAM的潛力有限?！拔覀兇_實(shí)看到了MRAM和ReRAM的未來(lái)潛力。PCM雖然相對(duì)昂貴，但被證明是有效的，并且已經(jīng)開(kāi)始成熟。我們的行業(yè)不斷改進(jìn)與開(kāi)發(fā)這些較新的內(nèi)存設(shè)計(jì)相關(guān)的材料和用例，這些將被帶到市場(chǎng)上的高級(jí)應(yīng)用，如人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)和內(nèi)存處理或內(nèi)存計(jì)算應(yīng)用。它們將擴(kuò)展到我們今天使用的許多機(jī)器中，用于消費(fèi)、智能物聯(lián)網(wǎng)、通信、3D傳感、醫(yī)療、交通和信息娛樂(lè)等應(yīng)用?！?/p>

責(zé)任編輯：haq