日前，中國(guó)臺(tái)灣“內(nèi)政部 ”公布?xì)w化高級(jí)專業(yè)人才審查會(huì)審查結(jié)果，美國(guó)籍的曹敏通過(guò)審查，歸化成為臺(tái)灣人，這受到各界矚目。

據(jù)報(bào)道，曹敏畢業(yè)于上海復(fù)旦大學(xué)電子工程學(xué)系，之后赴美留學(xué)，取得美國(guó)斯坦福大學(xué)物理系博士學(xué)位。

臺(tái)灣方面的報(bào)道指出 ，美國(guó)籍的曹敏專長(zhǎng)是半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)計(jì)，曾帶領(lǐng)臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司團(tuán)隊(duì)，開(kāi)發(fā)20納米及10納米制程技術(shù)。最值得一提的是，他帶領(lǐng)臺(tái)積電1400人團(tuán)隊(duì)，進(jìn)行跨部門(mén)合作，歷經(jīng)3年的堅(jiān)持努力，突破高介電材料/金屬閘技術(shù)，并創(chuàng)新采用雙重曝光技術(shù)，成功開(kāi)發(fā)20納米制程技術(shù)。

20納米能順利投產(chǎn)的另一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)是雙重曝光（double patterning）技術(shù)，這也是臺(tái)積電首次采用這項(xiàng)技術(shù)。曹敏團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出智能圖案拆解技術(shù)及創(chuàng)新的多層蝕刻保護(hù)膜，能克服光罩對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題的限制，使雙曝雙蝕刻制程達(dá)到可控制量產(chǎn)的要求。曹敏強(qiáng)調(diào)，「在雙重曝光領(lǐng)域，臺(tái)積電有大量創(chuàng)新，業(yè)界只有我們能成功運(yùn)用，遙遙領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手?！?/p>

這項(xiàng)成果讓臺(tái)積電的晶圓密度能夠超越全球芯片巨擘英特爾（Intel），技術(shù)大幅領(lǐng)先國(guó)際，增強(qiáng)臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)力，確保在晶圓代工領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，并于2013年獲得經(jīng)濟(jì)部產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新獎(jiǎng)的年度創(chuàng)新突破獎(jiǎng)肯定。

據(jù)臺(tái)積電官網(wǎng)介紹，曹敏博士于2018年2月起擔(dān)任臺(tái)積公司技術(shù)發(fā)展Pathfinding副總經(jīng)理。在此之前，曹敏博士自2016年起擔(dān)任Pathfinding處資深處長(zhǎng)。曹敏博士于2002年加入臺(tái)積公司，成功協(xié)助開(kāi)發(fā)多項(xiàng)先進(jìn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制程技術(shù)，包括90納米、65納米、40納米、28納米、20納米以及10納米。

自2006年至2008年，曹敏博士帶領(lǐng)了40納米泛用型制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)，此項(xiàng)技術(shù)也是臺(tái)積公司首款利用超密度微縮的納米制程。2009年，首次利用高介電常數(shù)金屬閘極（HKMG）技術(shù)，成功帶領(lǐng)了28納米高效能制程的開(kāi)發(fā)。曹敏博士其后亦帶領(lǐng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)20納米及10納米制程技術(shù)。

在加入臺(tái)積公司之前，曹敏博士自1994年至1999年任職于惠普實(shí)驗(yàn)室（Hewlett-Packard Laboratories），1999年至2000年任職于PDF解決方案公司（PDF Solutions），2000年至2002年任職于百利通半導(dǎo)體公司（Pericom Semiconductor）。

曹敏博士在集成電路技術(shù)領(lǐng)域共擁有36項(xiàng)專利。曹博士曾在許多委員會(huì)擔(dān)任重要職務(wù)，包括國(guó)際電子元件會(huì)議（IEDM）和國(guó)際VLSI技術(shù)和電路專題研討會(huì)。曹敏博士畢業(yè)于上海復(fù)旦大學(xué)電子工程學(xué)系，于舊金山州立大學(xué)物理學(xué)系取得碩士學(xué)位，并于美國(guó)斯坦福大學(xué)物理學(xué)系取得博士學(xué)位。

現(xiàn)在，曹敏擔(dān)任研究發(fā)展／技術(shù)發(fā)展／Pathfinding副總經(jīng)理。接下來(lái)，臺(tái)積電在3納米后，技術(shù)藍(lán)圖要如何發(fā)展，是否要用新方法提高價(jià)值，就要靠他研究。
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