2018年，中電化合物半導體項目落戶在杭州灣新區(qū)。目前，該項目的6英寸碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片已進入客戶認證階段。預計最快明年便能實現量產。 按照計劃，這個全浙江省首個第三代半導體項目設計年產能將達8萬片，達產后的年銷售額可達6億元。 杭州灣新區(qū)開發(fā)區(qū)投資合作局副局長林直表示，目前，寧波正全力打造10條國內領先、具有國際影響力的標志性產業(yè)鏈，其中，集成電路便是其中重要的一條。

以中電化合物半導體為主的第三代半導體材料項目將進一步完善、強化杭州灣新區(qū)乃至全市集成電路產業(yè)鏈，有助于寧波搶占新一代信息技術制高點。 當前，第一代半導體材料在輸出功率方面已達極限，要提高功率只能增大器件體積，并留出足夠散熱空間，第三代半導體材料即以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料應運而生，從根本上解決功率與體積的矛盾，成為半導體技術研究前沿和競爭焦點。

主要應用于5G通訊、新能源汽車、軌道交通、智能電網等領域。 隨著5G、新能源汽車等產業(yè)的不斷推動，我國第三代半導體材料市場高速增長。2019年市場規(guī)模7.86億元，同比增長31.7%，未來三年仍將保持20%以上的增速；2019年，我國第三代半導體器件市場規(guī)模86.29億元，增長率99.7%，至2022年，市場規(guī)模將達到608.21億元，增長率78.4%。 我國計劃在2021—2025年期間，把大力支持發(fā)展半導體產業(yè)，寫入正在制定的“十四五”規(guī)劃。將在教育、科研、開發(fā)、融資、應用等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導體行業(yè)。

原文標題：浙江省首個第三代半導體項目即將量產

文章出處：【微信公眾號：5G半導體】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。