據(jù)媒體報道,臺積電將于2022年下半年開始量產(chǎn)3納米芯片,單月產(chǎn)能5.5萬片起,在2023年月產(chǎn)量將達(dá)到10.5萬片。
據(jù)悉,臺積電 N3 將繼續(xù)使用 FinFET 鰭式場效晶體管,而不是過渡到 GAA 環(huán)繞式結(jié)構(gòu)場效晶體管。這與三星不同,三星已經(jīng)表示要在 3 納米節(jié)點使用 GAA。臺積電預(yù)計 N3 將在 2022 年成為最新、最先進(jìn)的節(jié)點。與 N5 相比,收益同樣不大,性能僅提升 1.1-1.15 倍,功耗提升 1.25-1.3 倍。與 7 納米相比,N3 在同樣的功率下,性能應(yīng)該提高 1.25 倍 - 1.35 倍,或者在同樣的性能下功耗降低 1.55 倍 - 1.6 倍。
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