據(jù)報道，市調(diào)機構(gòu)Yole Developpement的報告顯示，雖然存儲市場具有季節(jié)和周期性波動的特性，但全球NAND存儲市場規(guī)模仍會呈增長態(tài)勢，預計2019-2025年該市場規(guī)模年復合增長率為11%，將從2019年的440億美元增長至2025年的810億美元。

與此同時，3D NAND存儲晶圓制造設備市場規(guī)模也會同步增長，據(jù)Yole預估，該市場規(guī)模將會由2019的102億美元增長至2025年的175億美元，年復合增長率達到9%。

就設備廠商而言，阿斯麥（ASML）、應材（Applied Materials）、東京威力科創(chuàng)（Tokyo Electron）和科林研發(fā)（Lam Research）為前四大3D NAND存儲晶圓制造設備廠商，合計共占70%以上市場。

其中ASML為微影設備領(lǐng)域領(lǐng)導廠商?？屏盅邪l(fā)除了是蝕刻設備領(lǐng)導者外，也在積極拓展化學氣相沉積（CVD）與原子層沉積（ALD）設備市場。目前科林研發(fā)、應材、東京威力科創(chuàng)在CVD、ALD、物理氣相沉積（PVD），以及蝕刻設備等市場中競爭激烈。

另外，該報道指出，雖然各存儲制造廠商在提高3D NAND層數(shù)和整體晶粒儲存密度上會有各自不同策略，但大致可區(qū)分為串堆疊（string stacking）、儲存單元架構(gòu)（cell architecture），與邏輯電路設計等3個重點范疇。
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